-
公开(公告)号：CN118379305A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410283516.5
申请日：2024-03-13
申请人： 四川大学
IPC分类号： G06T7/11 , G06T7/136 , G06T7/187 , G06T3/4053 , G06T5/10 , G06T5/30 , G06T5/77 , G06N3/0464 , G06N3/09
摘要： 本发明公开了一种导电炭黑晶格结构提取方法，涉及图像处理技术领域。本发明针对导电炭黑进行晶格结构提取并收集相关数据，采用高分辨倍率透射电镜作为分析原始样本，相比传统方法，本发明的图像处理方法具有更高的灵活度和自动化水平，操作流程简单，首先，通过编写Python脚本并使用滑动窗口方法，可以将原始图像分割成多个小图像块，增加了处理的灵活性，适应不同尺寸和形状的导电炭黑晶格结构，其次通过傅里叶‑反傅里叶变换和灰度化处理，可以增强晶格结构与图像背景之间的对比度，使晶格结构更加清晰可见，有利于后续的提取和分析，此外，利用阈值调节和赋色处理，可二次增强晶格结构条纹。
-
公开(公告)号：CN118688234A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410800065.8
申请日：2024-06-20
申请人： 四川大学
IPC分类号： G01N23/203 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/44
摘要： 本发明公开了复合基体半导电屏蔽料中导电炭黑含量及分布分析方法，属于高压电缆技术领域，包括如下步骤：S1、准备复合基体半导电屏蔽料样品；S2、对复合基体半导电屏蔽料样品进行抛光处理；S3、对抛光处理后的复合基体半导电屏蔽料样品的抛光面进行电子束轰击，获取抛光面的背散射电子相形态图片，确定导电炭黑粒子在复合基体半导电屏蔽料样品中的分布情况；S4、对抛光处理后的复合基体半导电屏蔽料样品进行升温刻蚀，热解处理，得到炭黑热降解曲线，确定导电炭黑在复合基体半导电屏蔽料样品中的含量，操作简单，准确度高，对复配基体半导电屏蔽料的实际生产配比的调控具有理论指导价值，并可以为后续的屏蔽料的商业化提供有效可行的评价方法。
-
公开(公告)号：CN118772617A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410831920.1
申请日：2024-06-26
申请人： 四川大学
摘要： 本发明公开了复合液态金属的超分子聚氨酯脲弹性体材料及制备方法，属于聚合物复合材料领域，包括如下比例的重量组分：液态金属：3—4份；胱胺二盐酸盐：12—14份；氢氧化钾：15—25份；超纯水：90—110份；N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)：110—130份；二氯甲烷(DCM)：125—145份；无水硫酸镁：10—30份；二月桂酸二丁基锡(DBTDL)：0.06—0.08份；异佛尔酮二异氰酸酯(I PD I)：16—18份；聚四氢呋喃(PTMEG)：30—50份；制备方法包括如下步骤：制备超分子聚氨酯脲弹性体(PUU)和液态金属(LM)分散液，混合，真空脱气，去除溶剂后得到LM/PUU薄膜材料，利用与LM相容性好且自修复效率高的PUU与LM复合制备了自修复LM/PUU复合材料，性能优异，材料制备过程简单，工艺易于掌握，生产成本低，具备极高的推广价值。
-
公开(公告)号：CN117903518A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311690471.5
申请日：2023-12-11
申请人： 四川大学
IPC分类号： C08L23/08 , C08L23/06 , C08K3/04 , C08K7/00 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/34 , C08K3/36 , C08K3/38
摘要： 本发明公开了一种高压半导电屏蔽材料及其制备方法，该屏蔽料由以下配方所述的材料组成，其中的份数为质量百分比：基础树脂：50‑70份；导电炭黑：20‑30份；分散剂：0.5‑2份；功能助剂：1‑6份；交联剂：0.9‑2份；导热填料：0‑2份；其中基础树脂为乙烯‑醋酸乙酯(EVA)、低密度聚乙烯(LDPE)混合物，引入一定质量分数的LDPE可以有效提升EVA基半导电屏蔽材料的热稳定性能以及初始热分解温度，一定程度上改善了EVA基半导电屏蔽料的结晶能力，对EVA分子链热运动产生了一定的限制作用，保证了半导电屏蔽料良好的导电性能的同时也使半导电屏蔽材料导电网络的高温稳定性得到了明显的改善，有效抑制了半导电屏蔽料的PTC效应。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.017 秒)
