一种硅块切割加工冷却循环系统

    公开(公告)号:CN107583355A

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201711027686.3

    申请日:2017-10-27

    IPC分类号: B01D36/04 B28D7/02

    摘要: 本发明公开一种硅块切割加工冷却循环系统,其特征在于,包括设置在硅块切割加工设备上的喷淋装置,所述的喷淋装置通过输送机构与储水箱连接,硅块切割加工设备上还设置了收集冷却污水的收集管,收集管将冷却污水输送至净化处理机构处理后回送至储水箱。本发明所述的硅块切割加工冷却循环系统,将硅块切割加工设备所需用到的冷却水循环利用,有效减小硅块切割加工所述的耗水量,从而可以极大的降低切割加工的成本,提高生产经济效益,整个循环系统的能耗低,循环工作稳定性好,有效减少排污量,节能环保。

    一种晶体硅生产厂房
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107829586A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201711024677.9

    申请日:2017-10-27

    IPC分类号: E04H5/02

    CPC分类号: E04H5/02

    摘要: 本发明公开一种晶体硅生产厂房,包括厂房,其特征在于,所述的厂房内沿左右向布置晶体硅生产线,在厂房的上下侧、晶体硅生产线的两侧设置功能副房和动力设施,并且动力设施位于晶体硅生产线中部的侧边。本发明所述的晶体硅生产厂房,结构紧凑,有效缩短所需的生产区域长度,提高土地利用效率,节约土地资源,在满足安全间距要求的前提下紧密布置生产设备,缩短物料流转距离,提高流转能力和效率,并且动力设施靠近在负荷设备的中部,从而能有效缩短动力输送的距离,减少线路损耗,降低生产能耗和成本。

    一种多晶硅片制备工艺
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107738370A

    公开(公告)日:2018-02-27

    申请号:CN201711027689.7

    申请日:2017-10-27

    摘要: 本发明公开一种多晶硅片制备工艺,包括以下步骤:(1)铸锭:将多晶硅原料放入铸锭炉中,使多晶硅原料生长成多晶硅锭;(2)切方:采用金刚线开方机将多晶小方棒切割成小方棒;(3)硅块加工:将切好的小方棒进行倒角和磨面;(4)粘胶:先将树脂板与晶托粘接在一起,再将小方棒与树脂板粘接在一起;(5)切片:使用金刚线切片机对粘好的小方棒进行切片;(6)脱胶;(7)硅片加工:将脱胶后的硅片进行抛光然后对硅片表面进行腐蚀;(8)插片清洗:将加工后的硅片放入片篮内,然后进行清洗;(9)热处理:将清洗干净的硅片进行热处理以消除晶体内热施主对电阻率的影响。该制备工艺既能保证硅片的质量又能提高生产效率。

    一种晶体硅生产厂房
    5.
    实用新型

    公开(公告)号:CN207377205U

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201721410399.6

    申请日:2017-10-27

    IPC分类号: E04H5/02

    摘要: 本实用新型公开一种晶体硅生产厂房,包括厂房,其特征在于,所述的厂房内沿左右向布置晶体硅生产线,在厂房的上下侧、晶体硅生产线的两侧设置功能副房和动力设施,并且动力设施位于晶体硅生产线中部的侧边。本实用新型所述的晶体硅生产厂房,结构紧凑,有效缩短所需的生产区域长度,提高土地利用效率,节约土地资源,在满足安全间距要求的前提下紧密布置生产设备,缩短物料流转距离,提高流转能力和效率,并且动力设施靠近在负荷设备的中部,从而能有效缩短动力输送的距离,减少线路损耗,降低生产能耗和成本。

    一种硅块切割加工冷却循环系统

    公开(公告)号:CN207462827U

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201721410557.8

    申请日:2017-10-27

    IPC分类号: B01D36/04 B28D7/02

    摘要: 本实用新型公开一种硅块切割加工冷却循环系统,其特征在于,包括设置在硅块切割加工设备上的喷淋装置,所述的喷淋装置通过输送机构与储水箱连接,硅块切割加工设备上还设置了收集冷却污水的收集管,收集管将冷却污水输送至净化处理机构处理后回送至储水箱。本实用新型所述的硅块切割加工冷却循环系统,将硅块切割加工设备所需用到的冷却水循环利用,有效减小硅块切割加工所述的耗水量,从而可以极大的降低切割加工的成本,提高生产经济效益,整个循环系统的能耗低,循环工作稳定性好,有效减少排污量,节能环保。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利