公开(公告)号：CN1751367B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200480004600.X

申请日：2004-02-17

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： H·-J·巴斯 ,  P·菲斯纳 ,  E·卡塔里奥鲁 ,  U·科斯特 ,  T·沙夫鲍尔

IPC分类号： H01G4/06 ,  H01G4/40 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/1085 ,  Y10T29/417

摘要： 本发明系提供一种半导体装置，其系具有由一高K电介质及一对在该电介质两侧之相互连接所形成之电容，本发明亦提供一种制造此种半导体装置之方法。该相互连接包含一通孔及一金属层。

公开(公告)号：CN1751367A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200480004600.X

申请日：2004-02-17

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： H·-J·巴斯 ,  P·菲斯纳 ,  E·卡塔里奥鲁 ,  U·科斯特 ,  T·沙夫鲍尔

IPC分类号： H01G4/06 ,  H01G4/40 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01G4/228 ,  H01G4/33 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/1085 ,  Y10T29/417

摘要： 本发明系提供一种半导体装置，其系具有由一高K电介质及一对在该电介质两侧之相互连接所形成之电容，本发明亦提供一种制造此种半导体装置之方法。该相互连接包含一通孔及一金属层。