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公开(公告)号：CN1381894A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02105217.4
申请日：1997-10-10
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L21/8226 , H01L21/8224 , H01L21/8228 , H01L21/82285 , H01L27/0233 , H01L27/0647 , H01L27/0826
摘要： 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。
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公开(公告)号：CN108281419A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201711461305.2
申请日：2017-12-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H03K3/02332 , G06F17/5068 , H01L27/0233 , H03K3/01 , H03K3/356121 , H03K3/35625 , H03K19/094 , H03K23/58
摘要： 本发明的实施例提供了触发器电路的半导体标准单元和包括该单元的集成电路。触发器电路的半导体标准单元包括：沿着第一方向彼此基本平行地延伸的半导体鳍、设置在第一层级上并且沿着第一方向彼此基本平行地延伸的导电布线以及基本平行于基本垂直于第一方向的第二方向延伸并且形成在与第一层级不同的第二层级上的栅电极层。触发器电路包括由半导体鳍和栅电极层制成的晶体管，触发器接收数据输入信号，存储数据输入信号，并且响应于时钟信号输出指示存储的数据的数据输出信号，时钟信号是由半导体标准单元接收的唯一时钟信号，并且数据输入信号、时钟信号和数据输出信号通过至少导电布线在晶体管之中传输。
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公开(公告)号：CN1209818C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN02105216.6
申请日：1997-10-10
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L21/8226 , H01L21/8224 , H01L21/8228 , H01L21/82285 , H01L27/0233 , H01L27/0647 , H01L27/0826
摘要： 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。
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公开(公告)号：CN1751367B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200480004600.X
申请日：2004-02-17
申请人： 因芬尼昂技术股份公司
CPC分类号： H01G4/228 , H01G4/33 , H01L21/76838 , H01L27/0233 , H01L27/1085 , Y10T29/417
摘要： 本发明系提供一种半导体装置，其系具有由一高K电介质及一对在该电介质两侧之相互连接所形成之电容，本发明亦提供一种制造此种半导体装置之方法。该相互连接包含一通孔及一金属层。
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公开(公告)号：CN1331230C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN02105217.4
申请日：1997-10-10
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L21/8226 , H01L21/8224 , H01L21/8228 , H01L21/82285 , H01L27/0233 , H01L27/0647 , H01L27/0826
摘要： 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。
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公开(公告)号：CN104517963A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310450260.4
申请日：2013-09-27
申请人： 飞思卡尔半导体公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/04
CPC分类号： H03K3/012 , G06F17/50 , H01L27/0207 , H01L27/0233 , H03K3/356 , H03K19/0008
摘要： 一种状态保持电源选通单元，包括以两行或更多行布置的逻辑单元。所述逻辑单元具有有源层，所述有源层至少包括分别设置在第一和第二行中的第一阱和第二阱。在正常操作模式中，第一阱被以第一偏置电压供电，第二阱被以第二偏置电压供电，第一电源线被以VDDC供电，而第二电源线被以VDD供电。在待机模式中，第一阱优选被掉电，第二阱被以第二偏置电压供电，第一电源线被以VDDC供电，而第二电源线被掉电。
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公开(公告)号：CN1151544C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN99812687.X
申请日：1999-08-13
申请人： 乌尔苏拉·格吕茨迪克 , 尤塔·谢雷尔
IPC分类号： H01L21/266 , H01L21/74 , H01L21/8226 , H01L21/761 , H01L31/11
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/8222 , H01L21/8226 , H01L27/0233 , H01L27/082
摘要： 本发明涉及应用一个p-掺杂的半导体基片生产可集成半导体元件，尤其是晶体管或逻辑门的方法。在半导体基片上首先涂覆一掩模，以确定一个由边沿限定界限的窗口。然后通过用能量进行离浮子注入在半导体基片中产生一个n-掺杂的槽，此能量对于在半导体基片的表面上保留一个p-掺杂的内部区域是足够的，并且n-掺杂槽的边缘区域抵达半导体基片的表面。然后形成晶体管或逻辑门的n-掺杂和/或p-掺杂区被带入半导体基片的p-掺杂内部区域。此方法的优点在于不再需要昂贵的外延和隔离过程。在n-掺杂的基片情况下所有的注入被相反形式的代替，即n代替p，并且反之p代替n。
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公开(公告)号：CN1381893A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02105216.6
申请日：1997-10-10
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L21/8226 , H01L21/8224 , H01L21/8228 , H01L21/82285 , H01L27/0233 , H01L27/0647 , H01L27/0826
摘要： 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。
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公开(公告)号：CN1324495A
公开(公告)日：2001-11-28
申请号：CN99812687.X
申请日：1999-08-13
申请人： 乌尔苏拉·格吕茨迪克 , 尤塔·谢雷尔
IPC分类号： H01L21/266 , H01L21/74 , H01L21/8226 , H01L21/761 , H01L31/11
CPC分类号： H01L29/66272 , H01L21/8222 , H01L21/8226 , H01L27/0233 , H01L27/082
摘要： 本发明涉及应用一个p－掺杂的半导体基片生产可集成半导体元件,尤其是晶体管或逻辑门的方法。在半导体基片上首先涂覆一掩模,以确定一个由边沿限定界限的窗口。然后通过用能量进行离子注入在半导体基片中产生一个n－掺杂的槽,此能量对于在半导体基片的表面上保留一个p－掺杂的内部区域是足够的,并且n－掺杂槽的边缘区域抵达半导体基片的表面。然后形成晶体管或逻辑门的n－掺杂和/或p－掺杂区被带入半导体基片的p－掺杂内部区域。此方法的优点在于不再需要昂贵的外延和隔离过程。在n－掺杂的基片情况下所有的注入被相反形式的代替,即n代替p,并且反之p代替n。
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公开(公告)号：CN1751367A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004600.X
申请日：2004-02-17
申请人： 因芬尼昂技术股份公司
CPC分类号： H01G4/228 , H01G4/33 , H01L21/76838 , H01L27/0233 , H01L27/1085 , Y10T29/417
摘要： 本发明系提供一种半导体装置，其系具有由一高K电介质及一对在该电介质两侧之相互连接所形成之电容，本发明亦提供一种制造此种半导体装置之方法。该相互连接包含一通孔及一金属层。
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