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公开(公告)号：CN109686816B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811484034.7
申请日：2018-12-06
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种钝化接触N型太阳电池的制备方法，包括：对基体进行硼扩散，以在所述基体的正面形成发射结，且硼扩散后，所述基体的背面形成有背面硼扩散层，所述发射结上形成有硼硅玻璃层；去除所述背面硼扩散层；在所述基体的背面形成背面氧化层；在所述背面氧化层的与所述基体相背的一侧形成背面多晶硅，同时，所述硼硅玻璃层的与所述基体相背的一侧也绕镀有正面多晶硅；对所述背面多晶硅进行掺杂，得到掺杂层；依次分别去除所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层，且所述正面多晶硅与所述硼硅玻璃层分别利用不同的溶液去除；本发明可降低去除正面多晶硅时对硼硅玻璃层下发射极造成的损伤，起到保护作用，有利于提高太阳电池发电性能。
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公开(公告)号：CN111490128A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911007833.X
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本发明的目的在于公开一种N-PERT双面电池氧化硅/氮化硅叠层膜的制备方法，对硅片依次进行制绒、硼扩散、刻蚀、离子注入磷、RCA清洗、退火、背面沉积氮化硅膜、BOE清洗、正面镀氧化铝、正面沉积氧化硅/氮化硅叠层膜、印刷和烧结步骤；所述氧化硅/氮化硅叠层膜是由折射率n1和厚度x1的氧化硅薄膜与折射率n2和厚度x2的氮化硅薄膜周期性排列形成并形成光子晶体；与现有技术相比，通过PECVD方法沉积氧化硅/氮化硅叠层膜的叠层结构，调节氧化硅膜和氮化硅薄膜的折射率和厚度改变光子晶体的光子带隙，可以增强入射光与电池的作用时间，增强电池的光吸收能力，提高电池的光利用率，从而使光电转换效率得到提升，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN111640804A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010485487.2
申请日：2020-06-01
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/042
摘要： 本发明的目的在于公开一种氧化硅/氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构，对硅片依次进行制绒、硼扩散、刻蚀、离子注入磷、RCA清洗、退火、背面沉积氮化硅膜、BOE清洗、正面镀氧化铝、正面沉积氧化硅/氮化硅叠层膜、印刷和烧结制作成电池；氧化硅/氮化硅叠层膜是由折射率n1、厚度x1的氧化硅薄膜和折射率n2、厚度x2的氮化硅薄膜周期性排列形成，周期性排列的氧化硅/氮化硅叠层膜形成光子晶体；与现有技术相比，通过PECVD方法沉积的叠层结构，可以增强入射光与电池的作用时间，提高电池的光利用率，从而使光电转换效率得到提升，散射效应可增强电池的光吸收能力；不需要购买新设备，仅通过改变现有氮化硅薄膜的制备工艺即可实现，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN111489980A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911006800.3
申请日：2019-10-22
摘要： 本发明的目的在于公开一种太阳能电池缺陷的灵敏检测方法，与现有技术相比，通过变压噪声测试及变温噪声测试能够准确无损且灵敏地检测出电池内的微小缺陷，尤其是深能级缺陷，对所有栅线结构的太阳能电池都可适用，只需改变引出正负电极时的栅线连接方式即可，无需专用检测台面，测试成本较EL低得多，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN111564520A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201910650331.2
申请日：2019-07-18
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于太阳能电池制作的掺杂方法，所述方法按顺序包括制绒工艺、单面刻蚀工艺、离子注入工艺、RCA清洗工艺、扩散掺杂工艺和镀膜及金属化工艺；只需要经过一次高温工艺即可实现发射极及背表面场的掺杂工艺，达到相同的掺杂特性，并取得掺杂表面的均一性，减少电池制作的工艺流程，缩短了电池制作的工艺时间，减少了能源的消耗，降低了电池制作的成本。
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公开(公告)号：CN111477714A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911005921.6
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0216
摘要： 本发明的目的在于公开一种N型晶硅太阳能电池结构，包括N型硅衬底，在所述N型硅衬底的正面沉积有一P型掺杂非晶硅层作为发射极，在所述P型掺杂非晶硅层上依次设置有正面钝化层和正面减反射层，所述正面减反射层的表面设置正面金属电极，在所述N型硅衬底的背面设置有一隧穿氧化层，在所述隧穿氧化层的背面依次设置有多晶硅层和背面减反射层，所述背面减反射层的背面设置背面金属电极；与现有技术相比，解决了晶硅太阳能电池中通过高温工艺制作PN结的问题，从而减少N型电池在高温扩散工艺中易于产生同心圆的问题，兼容目前N型太阳能电池制作的工艺设备，工艺相对成熟，制程简单，具有可产业化推广的前景，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN111640805A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010486297.2
申请日：2020-06-01
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/042
摘要： 本发明的目的在于公开一种基于氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构，对硅片依次进行制绒、硼扩散、刻蚀、离子注入磷、RCA清洗、退火、背面沉积SiNx薄膜、BOE清洗、正面镀Al2O3、正面镀SiNx薄膜、印刷和烧结制备而成；SiNx薄膜是由两种不同折射率ni(i＝1,2)、不同厚度xi(i＝1,2)的SiNx薄膜周期性排列形成的叠层膜结构，周期性排列的SiNx膜形成了光子晶体；与现有技术相比，通过PECVD方法沉积SiNx叠层结构，可以将穿透电池的长波长光反射回电池内部，提高电池的光利用率，从而使光电转换效率得到提升；通过基于光子晶体的慢光效应可增强电池的光吸收能力；特别适合薄片化电池，使得电池效率不受硅片厚度降低的影响；不需要购买新设备，仅通过改变SiNx薄膜的制备工艺即可实现。
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公开(公告)号：CN111584679A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010266753.2
申请日：2020-04-07
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明的目的在于公开一种用于N型TOPCon电池背表面钝化的掺杂方法，与现有技术相比，通过两步掺杂方式，即先对背表面的基体进行一个极浅的掺杂，然后再沉积遂穿氧化层及多晶硅层，最后再对多晶硅层进行掺杂；采用离子注入及磷扩散组合的方式完成背表面的掺杂；有效地解决了现有掺杂技术中由于遂穿氧化层的阻挡作用，使得Si基体表面掺杂浓度总是低于多晶硅层的掺杂浓度，使得在Si基体与遂穿氧化层的界面处聚集的多数载流子相对较少的问题，实现本发明的目的。
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公开(公告)号：CN111477719A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911006602.7
申请日：2019-10-22
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/068
摘要： 本发明公开了一种全绒面N型双面电池的制作方法，该方法包括以下步骤：制绒、磷扩散、去PSG、磷扩散面镀SiNx膜、清洗1、硼扩散、清洗2、正面镀Al2O3、正面镀SiNx薄膜、印刷和烧结。本发明采用双面绒面的结构，有利于提高电池背面的光吸收率，进而提高电池的双面率；采用双面绒面电池结构，对改善电池的背面光吸收能力，凸显其双面率和组件端功率增益的优势，且硼扩散至磷扩散的工艺过程，操作简单，步骤少，可以最大程度使用常规设备来生产，同时减少了对硅基片的损伤和污染，有利于电池效率的提升，因此可以明显降低生产成本，有利于N型电池的大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN111473282A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911005927.3
申请日：2019-10-22
IPC分类号： F21S9/03 , F21V23/00 , H02S40/22 , F21W131/103 , F21Y115/10
摘要： 本发明的目的在于公开一种基于双面双玻组件结构的太阳能路灯，包括双面双玻电池组件、竖直支撑杆、组件固定杆件、水平支撑板和LED灯；与现有技术相比，通过背面设置的凹型反射镜，从而使得进入凹型反射镜面的光线通过反射作用进入背表面，使得安装同等电池组件面积的条件下，将会获得更多的光能转换，且充分利用了双面双玻电池组件的优势，从光学方面极大地提高了太阳能的利用率，且结构科学，布局合理，实用性强，易于太阳能路灯用小面积组件的使用，具有很大的应用前景，实现本发明的目的。
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