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公开(公告)号：CN103684354A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310190432.9
申请日：2013-05-21
Applicant: 国家电网公司 , 北京南瑞智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K3/011
Abstract: 本发明公开了一种环形振荡电路、环形振荡器及其实现方法，涉及电信技术领域，解决了现有技术中环形振荡电路器件要求精度高的技术问题。其中，该电路包括：电流偏置产生电路和环形振荡器级电路；所述环形振荡器级电路包括至少一级的第一种反相器和至少一级的第二种反相器；所述电流偏置产生电路与所述第一种反相器耦合；所述第一种反相器的输出端与二种反相器的输入端连接，并且，第二种反相器的输出端与第一种反相器的输入端连接。
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公开(公告)号：CN105320205B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410371561.2
申请日：2014-07-30
Applicant: 国家电网公司 , 北京南瑞智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种具有低失调电压高PSRR的带隙基准源，包括：第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第四P沟道场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和电压反馈电路。该具有低失调电压高PSRR的带隙基准源通过采用双层电流镜结构以及增加偏置电阻，降低了各个电流镜之间的沟道长度调制效应的影响，保证了电流倍乘系数的准确性，进而降低了输出电压的失调。
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公开(公告)号：CN105320205A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410371561.2
申请日：2014-07-30
Applicant: 国家电网公司 , 北京南瑞智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F3/26
CPC classification number: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种具有低失调电压高PSRR的带隙基准源，包括：第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第四P沟道场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和电压反馈电路。该具有低失调电压高PSRR的带隙基准源通过采用双层电流镜结构以及增加偏置电阻，降低了各个电流镜之间的沟道长度调制效应的影响，保证了电流倍乘系数的准确性，进而降低了输出电压的失调。
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公开(公告)号：CN103684354B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310190432.9
申请日：2013-05-21
Applicant: 国家电网公司 , 北京南瑞智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K3/011
Abstract: 本发明公开了一种环形振荡电路、环形振荡器及其实现方法，涉及电信技术领域，解决了现有技术中环形振荡电路器件要求精度高的技术问题。其中，该电路包括：电流偏置产生电路和环形振荡器级电路；所述环形振荡器级电路包括至少一级的第一种反相器和至少一级的第二种反相器；所述电流偏置产生电路与所述第一种反相器耦合；所述第一种反相器的输出端与第二种反相器的输入端连接，并且，第二种反相器的输出端与第一种反相器的输入端连接。
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公开(公告)号：CN105320198A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410293474.X
申请日：2014-06-26
Applicant: 北京南瑞智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高PSRR带隙基准源，包括：第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和电压反馈电路。该低功耗高PSRR带隙基准源通过采用双层电流镜结构以及增加偏置电阻，降低了各个电流镜之间的沟道长度调制效应的影响，保证了电流倍乘系数的准确性，进而降低了输出电压的失调。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105320198B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201410293474.X
申请日：2014-06-26
Applicant: 北京南瑞智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种低功耗高PSRR带隙基准源，包括：第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和电压反馈电路。该低功耗高PSRR带隙基准源通过采用双层电流镜结构以及增加偏置电阻，降低了各个电流镜之间的沟道长度调制效应的影响，保证了电流倍乘系数的准确性，进而降低了输出电压的失调。
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公开(公告)号：CN106599971B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201611142363.4
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种电子标签电源整流电路，包括：能量获取电路、充电控制电路、电源检测电路、输出稳压电容，所述能量获取电路的第一输入端与第一天线相连，第二输入端与第二天线相连，输出端与所述充电控制电路的输入端相连；所述第一天线和所述第二天线不同时输出高电平；所述充电控制电路的控制端与所述第一天线、所述第二天线、所述电源检测电路的输出端分别相连，所述充电控制电路的输出端与所述输出稳压电容的第一端、电源电压分别相连；所述电源检测电路的输入端与所述输出稳压电容的第二端相连；所述输出稳压电容的第二端接地。
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公开(公告)号：CN107608440A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711014994.2
申请日：2017-10-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准参考源电路，包括：第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和差分放大器；差分放大器的第一端与第四电阻和第二电阻之间的连接节点相连，差分放大器的第二端与第五电阻和第一电阻之间的连接节点相连；差分放大器的第一端的电压与第二端的电压相同。该带隙基准参考源电路，通过选取适当的阻值，可以得到小于1V的带隙基准电压，并可以使得当VDD小于1V时也保证带隙基准参考源电路正常工作。同时，可以消除温度引起漏源电压变化，从而降低沟道调制效应的影响。
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公开(公告)号：CN107462827A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710769874.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G01R31/317 , G01R19/165
CPC classification number: G01R31/31721 , G01R19/16552
Abstract: 本发明公开了一种带有内部稳压器的电源毛刺检测电路，包括：稳压模块，该稳压模块包括稳压器，稳压模块用于产生稳定的与芯片高压电源VDDH无关的电压输出VR_OUT；毛刺检测模块，其被构造为检测电源glitch并输出报警信号，电压输出VR_OUT作为毛刺检测模块的电源；电平转换输入模块，用于将来自Core电源域的数字信号转换为VR_OUT电源域的数字信号；以及电平转换输出模块，用于将来自VR_OUT电源域的数字信号转换为Core电源域的数字信号。本发明的电源毛刺检测电路的电源具有较高的独立性、抗干扰性，能够提升PGD电路工作时的稳定性和可靠性，对glitch攻击的响应速度快，且判断glitch触发点精准性高。
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公开(公告)号：CN106599974A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611140950.X
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明涉及一种电子标签的电源整流电路，包括：控制电路、第一整流及电压调整电路、第二整流及电压调整电路、电源检测电路以及稳压电容；通过电源检测电路采集所述稳压电容的第一端的电压，根据所述稳压电容的第一端的电压向所述控制电路发送反馈信号；控制电路用于根据所述反馈信号、第一天线信号和第二天线信号控制所述第一整流及电压调整电路或所述第二整流及电压调整电路对所述稳压电容进行充电，通过电源检测电路控制稳压电容第一端的电压在芯片工作的所需范围内，电路结构简单并且减少芯片面积。
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