间隔棒振动试验装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107044905B

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN201710156647.7

    申请日:2017-03-16

    IPC分类号: G01M7/02

    摘要: 本发明提供了一种间隔棒振动试验装置。其中,该装置包括:第一支撑杆、第二支撑杆、底座、振动装置、第一横梁和第一夹持装置;其中,第一支撑杆和第二支撑杆均设置于底座,第一横梁的两端分别与第一支撑杆和第二支撑杆相连接;第一夹持装置与第一横梁可转动地连接,并且,第一夹持装置与第一横梁通过第一紧固件固定连接,第一夹持装置用于夹持间隔棒;振动装置与底座相连接,振动装置用于与间隔棒接触连接且对间隔棒提供振动。本发明提供的试验装置通过第一夹持装置可以将间隔棒固定在试验装置的高度方向,以便对间隔棒完成IEC标准的微风振动疲劳检测和次档距振荡疲劳检测,进而可以在间隔棒安装前了解间隔棒的抗振动性能,保证了输电线路的安全。

    一种导地线自阻尼功率特性曲线绘制方法及系统

    公开(公告)号:CN109977445A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201711463334.2

    申请日:2017-12-28

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明提供一种导地线自阻尼功率特性曲线绘制方法及系统,包括:获取导地线自阻尼的频率;基于预设的相对振幅取值区间计算所述频率对应的能量区间;将所述能量区间划分为至少一个间隔区间;基于所述间隔区间计算所述频率在每个间隔区间对应的能量;基于所述每个间隔区间对应的能量计算所述频率在每个间隔区间的相对振幅;基于所述频率在每个间隔区间对应的能量和相对振幅,得到所述频率对应的导地线自阻尼功率特性曲线。实现了导地线自阻尼系数拟合系数的自动输入与读取,大大提高了功率特性曲线的绘制;采用了图例标注曲线的方法,使曲线不会因为曲线间隔小而产生被覆盖的现象,增加了曲线图的可读性。

    一种平缓光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法

    公开(公告)号:CN103715065B

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201310744241.2

    申请日:2013-12-30

    IPC分类号: H01L21/02

    摘要: 本发明涉及SiC器件的制作技术,具体涉及一种平缓光滑侧壁形貌的SiC刻蚀方法。该方法包括SiC材料清洗、沉积疏松掩膜层、光刻、干法刻蚀掩膜层、湿法腐蚀光滑掩膜层、去胶、干法刻蚀SiC材料,关键的工艺改进是干法刻蚀疏松掩膜层与湿法腐蚀光滑掩膜层相结合。本发明改变了以往只采用湿法腐蚀掩膜层工艺,从而解决了湿法腐蚀产生的侧蚀导致掩膜条宽变窄的问题,该方法可以有效便捷的获得平缓光滑侧壁的SiC刻蚀形貌。

    绞合型碳纤维复合材料芯铝型线绞线

    公开(公告)号:CN107564617A

    公开(公告)日:2018-01-09

    申请号:CN201710576944.7

    申请日:2017-07-14

    CPC分类号: Y02A30/14

    摘要: 本发明提供了一种绞合型碳纤维复合材料芯铝型线绞线。该绞线包括:铝绞线层和多股股线。其中,各股线相绞合,以形成线芯,并且,各股线均为碳纤维复合材料的股线;铝绞线层包覆于线芯外。本发明所提供的绞线的线芯为由多股碳纤维复合材料的股线绞合而成的线芯,即绞线的线芯为碳纤维复合材料的线芯,与传统的导线相比,具有碳纤维复合材料的线芯的绞线在高温下的弧垂更小,保证了导线对地净距,减小了安全隐患,并且,具有碳纤维复合材料的线芯的绞线的弧垂和荷载两方面的指标在所有耐热导线中是最好的,适合大跨越和重要线路。与传统的棒状线芯相比,该绞线的线芯是由多股股线绞合而成,其柔软性、抗侧压性和结构安全性更好。

    一种基于ONO结构的SiC终端结构制备方法

    公开(公告)号:CN104810264B

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201410036304.3

    申请日:2014-01-26

    发明人: 杨霏 张昭

    IPC分类号: H01L21/28

    摘要: 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种基于ONO结构的SiC终端结构制备方法。该方法包括下述步骤:步骤一,在碳化硅衬底表面沉积ONO结构;步骤二,在ONO结构上涂覆光刻胶,采用光刻工艺形成台面的图形转移;步骤三,对ONO结构中最上层的二氧化硅进行刻蚀,暴露出中间层的氮化硅;步骤四,对ONO结构中的中间层的氮化硅刻蚀,并刻蚀至最底层的二氧化硅;步骤五,对ONO结构中第三层剩余二氧化硅进行刻蚀,暴露出碳化硅衬底有源区;步骤六,对碳化硅衬底进行退火;步骤七,沉积金属,形成金属场板。本发明提供的方法避免了碳化硅衬底有源区的损伤,避免金属场板拐角处出现断裂,有着极稳的化学性质、绝缘性质和隔离金属离子污染的效果。