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公开(公告)号：CN111883656B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010952340.X
申请日：2020-09-11
Abstract: 本发明公开了存储器技术领域内的一种忆阻器及其制备方法，包括自下而上依次设置的底电极、介质层和顶电极，底电极包括活性电极Ag、Cu或亲氧电极W、Ti、TiN中的一种，介质层包括为至少两种氧化层交替沉积的多层膜，顶电极包括惰性电极Pt、Au；使用本发明制备出的忆阻器能提高存储器的擦写速度并降低能耗。
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公开(公告)号：CN111883656A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010952340.X
申请日：2020-09-11
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了存储器技术领域内的一种忆阻器及其制备方法，包括自下而上依次设置的底电极、介质层和顶电极，底电极包括活性电极Ag、Cu或亲氧电极W、Ti、TiN中的一种，介质层包括为至少两种氧化层交替沉积的多层膜，顶电极包括惰性电极Pt、Au；使用本发明制备出的忆阻器能提高存储器的擦写速度并降低能耗。
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公开(公告)号：CN114709280B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202210313772.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 国家纳米科学中心
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括第一衬底层，以及在所述第一衬底层的绝缘层一侧自下而上依次设置的第二衬底层、光敏层、保护层以及电极间隙为0.5～20nm的源极和漏极。本发明构造的超短电极间隙能减小电子‑空穴对的复合，有效缩短载流子的渡越和扩散时间，从而提高器件响应速度和探测精确度，实现器件对微弱光的探测；同时，在第二衬底层中铁电材料的配合下，能有效调控载流子的输运状况，使得器件在背栅电压和源漏电压不变时，实现不同波长光的探测，且不影响器件的光吸收效率又能有效降低功耗，而在没有栅压时也能有效降低暗电流，使所述光电探测器的性能进一步提升。
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公开(公告)号：CN109706434B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201910062837.1
申请日：2019-01-23
Applicant: 国家纳米科学中心
Abstract: 本发明提供了一种固溶体纳米线及其制备方法和用途。本发明提供的固溶体纳米线为InP‑ZnSe固溶体纳米线。所述制备方法包括：(1)在衬底上覆盖催化剂，并对覆盖催化剂的衬底进行退火，得到退火衬底；(2)将InP和ZnSe的混合物置于一端封口一端开口的石英管的一侧，将退火衬底置于所述石英管的另一侧，将所述石英管置于反应炉中，抽真空后通入保护性气体，在加热条件下进行化学气相沉积反应，得到所述固溶体纳米线；其中，InP和ZnSe的混合物的温度高于退火衬底的温度。本发明提供的固溶体纳米线尺寸均匀，结晶度良好，迁移率高，带隙大小可调，可用于器件中，减少稀有金属In的使用量。
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公开(公告)号：CN109943857B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201910247967.2
申请日：2019-03-29
Applicant: 国家纳米科学中心
IPC: C25B1/04 , C25B11/06 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/02 , C23C14/24 , C23C14/16 , C23C14/08 , C22C19/03 , C23C14/35 , C23C28/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基光电极、及其制备方法和用途。所述硅基光电极包括Si层和依次设置于所述Si层表面的钝化层、缓冲层和催化保护层。本发明所述硅基光电极中钝化层、缓冲层和催化保护层皆为致密的薄膜材料，其中，催化保护层具有良好的电催化活性，能有效降低反应过电势的同时，在溶液中还能够保持良好的稳定性；Si层表面的钝化层可以降低Si的表面态，减少费米能级钉扎，抑制电子和空穴在硅表面复合；缓冲层可以保护钝化层在制备催化保护层过程中不被破坏，并且从热力学和动力学两方面提高电极的光电性能。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN109943857A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910247967.2
申请日：2019-03-29
Applicant: 国家纳米科学中心
IPC: C25B1/04 , C25B11/06 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/02 , C23C14/24 , C23C14/16 , C23C14/08 , C22C19/03 , C23C14/35 , C23C28/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基光电极、及其制备方法和用途。所述硅基光电极包括Si层和依次设置于所述Si层表面的钝化层、缓冲层和催化保护层。本发明所述硅基光电极中钝化层、缓冲层和催化保护层皆为致密的薄膜材料，其中，催化保护层具有良好的电催化活性，能有效降低反应过电势的同时，在溶液中还能够保持良好的稳定性；Si层表面的钝化层可以降低Si的表面态，减少费米能级钉扎，抑制电子和空穴在硅表面复合；缓冲层可以保护钝化层在制备催化保护层过程中不被破坏，并且从热力学和动力学两方面提高电极的光电性能。
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公开(公告)号：CN108538645A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810266813.3
申请日：2018-03-28
Applicant: 国家纳米科学中心
Abstract: 本发明涉及一种碳/过渡金属基复合电极的制备方法及其产品和用途，所述碳/过渡金属基复合电极包括如下步骤：(1)将碳材料进行预氧化，得到氧化碳材料；(2)将氧化碳材料和过渡金属基活性材料通过电沉积复合，得到碳/过渡金属基复合电极；或，将氧化碳材料制膜后，于过渡金属盐溶液中浸泡，退火后，得到碳/过渡金属基复合电极。此方法提高了过渡金属与碳材料之间的结合力，碳原子与过渡金属原子之间也会发生更加显著的近邻原子协同效应，从而大幅降低电荷传输电阻，提高电化学循环稳定性；制得的碳/过渡金属基复合电极具有电极结构牢固、性能稳定的优势，且工艺简单，利于推广。
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公开(公告)号：CN108118362A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201810018879.0
申请日：2018-01-09
Applicant: 国家纳米科学中心
Abstract: 本发明涉及一种二硫化钼电催化产氢电极及其制备方法和用途，所述二硫化钼电催化产氢电极包括电极基底和负载在所述电极基底表面的二硫化钼纳米片阵列，所述二硫化钼纳米片阵列掺杂有Ni(II)和Co(II)；所述二硫化钼纳米片阵列包括垂直于所述电极基底表面的一级纳米片和垂直于所述一级纳米片的二级纳米片。本发明二硫化钼电催化产氢电极具有多级次纳米片阵列结构，具有较大的电化学活性表面积，大幅提高二硫化钼的催化活性，表现出优异的产氢性能；且采用水热法在电极基底上沉积层状双金属氢氧化物，然后以其为牺牲模板，水热反应得到具有多级次结构的二硫化钼，同时实现了元素掺杂和结构优化，便于操作。
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