公开(公告)号：CN113514485A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110704200.5

申请日：2021-06-24

申请人： 国合通用测试评价认证股份公司 ,  国标(北京)检验认证有限公司

发明人： 韩小磊 ,  徐云培 ,  杜志伟 ,  李聪 ,  车聪 ,  付新 ,  李婷 ,  贾荣光 ,  何少卿 ,  彭永刚

IPC分类号： G01N23/20008 ,  G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N1/34 ,  G01N1/36

摘要： 本发明涉及一种钕铁硼电子背散射衍射分析样品的制备方法，属于扫描电镜样品制备技术领域。本发明通过金相镶样、机械研磨、机械抛光、振动抛光和样品清洗等步骤，制备出大区域高质量的样品。采用本方法制备的钕铁硼EBSD的样品，避免了样品在制样过程中被不均匀腐蚀或产生表面离子损伤，EBSD采集装置可以采集到高质量的菊池花样，从而获得样品准确的结构和取向信息；由于采用了镶样的方法制样，本方法对于样品的适用性较好，适用于从微米级粉体到厘米级块体的各种形态的NdFeB样品。本方法制样操作简单，可实施性强，成本低廉。

公开(公告)号：CN115931941A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211487999.8

申请日：2022-11-25

申请人： 国标(北京)检验认证有限公司

发明人： 韩小磊 ,  车聪 ,  彭永刚 ,  杜志伟 ,  贾荣光 ,  马会娜 ,  王宁 ,  徐云培

IPC分类号： G01N23/2202 ,  G01N23/2251

摘要： 本发明涉及一种用于扫描电镜和能谱仪校准的参考样品及制备方法，属于扫描电镜校准参考样品制备技术领域。该参考样品包括铜‑铝连接体、镶嵌体和表面碳膜，铜‑铝连接体设置有扫描电镜校准标识和能谱峰位校准标识，扫描电镜校准标识包括低倍校准标识、中倍校准标识和高倍校准标识，标识由正交十字栅格组成，设置在铜‑铝连接体的铜侧；能谱峰位校准标识包括两条与铜‑铝界面平行的标识线，分别设置在铜‑铝界面的两侧。该样品可用于扫描电镜放大倍率、图像线性失真度、能谱峰位、能量分辨率和高低能端峰高比等多参数的检查和校准。该样品的制备方法操作简单，成本较低，适合实验室自制，参考样品在校准过程使用时较为方便快捷。

公开(公告)号：CN115265444A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210724617.2

申请日：2022-09-26

申请人： 国标(北京)检验认证有限公司

发明人： 李婷 ,  杜志伟 ,  付新 ,  贾荣光 ,  徐云培 ,  于海燕 ,  彭永刚

IPC分类号： G01B21/08

摘要： 本发明公开了属于材料的检测分析技术领域的一种透射电镜测量薄膜样品厚度的方法。利用会聚电子束在样品表面作用产生碳污染斑，将试样倾转一定的角度γ后，碳污染斑在明场像的形状尺寸发生变化，相互分离为具有一定距离的两个斑，通过测量上下表面碳污染斑之间的分离距离r，以及试样倾转角度γ，并利用几何关系t＝r/sinγ获得目标区域的样品厚度。本发明对样品本身的晶体结构没有限制，适用于非晶和晶态的样品，对于样品的厚度没有限制，能在透射电镜下进行观察的样品，电子束可以穿透样品可以成明场像，因此其样品厚度均可测量；可实现对样品快速、简单方便的测量、成本低，适用范围广，可实施性强。

公开(公告)号：CN115265444B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202210724617.2

申请日：2022-09-26

申请人： 国标(北京)检验认证有限公司

发明人： 李婷 ,  杜志伟 ,  付新 ,  贾荣光 ,  徐云培 ,  于海燕 ,  彭永刚

IPC分类号： G01B21/08

摘要： 本发明公开了属于材料的检测分析技术领域的一种透射电镜测量薄膜样品厚度的方法。利用会聚电子束在样品表面作用产生碳污染斑，将试样倾转一定的角度γ后，碳污染斑在明场像的形状尺寸发生变化，相互分离为具有一定距离的两个斑，通过测量上下表面碳污染斑之间的分离距离r，以及试样倾转角度γ，并利用几何关系t＝r/sinγ获得目标区域的样品厚度。本发明对样品本身的晶体结构没有限制，适用于非晶和晶态的样品，对于样品的厚度没有限制，能在透射电镜下进行观察的样品，电子束可以穿透样品可以成明场像，因此其样品厚度均可测量；可实现对样品快速、简单方便的测量、成本低，适用范围广，可实施性强。

公开(公告)号：CN113514485B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202110704200.5

申请日：2021-06-24

申请人： 国合通用测试评价认证股份公司 ,  国标(北京)检验认证有限公司

发明人： 韩小磊 ,  徐云培 ,  杜志伟 ,  李聪 ,  车聪 ,  付新 ,  李婷 ,  贾荣光 ,  何少卿 ,  彭永刚

IPC分类号： G01N23/20008 ,  G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N1/34 ,  G01N1/36

摘要： 本发明涉及一种钕铁硼电子背散射衍射分析样品的制备方法，属于扫描电镜样品制备技术领域。本发明通过金相镶样、机械研磨、机械抛光、振动抛光和样品清洗等步骤，制备出大区域高质量的样品。采用本方法制备的钕铁硼EBSD的样品，避免了样品在制样过程中被不均匀腐蚀或产生表面离子损伤，EBSD采集装置可以采集到高质量的菊池花样，从而获得样品准确的结构和取向信息；由于采用了镶样的方法制样，本方法对于样品的适用性较好，适用于从微米级粉体到厘米级块体的各种形态的NdFeB样品。本方法制样操作简单，可实施性强，成本低廉。