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公开(公告)号：CN101384953A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780006027.X
申请日：2007-03-14
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 三菱电机株式会社
IPC分类号： G02F1/37
CPC分类号： G02F1/37 , G02F1/3551 , G02F2001/3505 , G02F2001/354
摘要： 本发明提供一种输出特性能够与入射强度相应地增加且能够在室温下使用的波长转换光学元件。本发明的波长转换光学元件是包含硼酸铯锂系列结晶的波长转换光学元件，其特征在于，上述结晶中的水杂质的含有量是如下这样的含有量，即在将上述结晶加工为Nd:YAG激光的4倍高次谐波发生方位的光学元件且长度为10mm的光学元件时，将上述光学元件的红外透射频谱中的3589cm－1的透射率(Ta)作为指标，透射率(Ta)与偏振光方向无关且不考虑在光学研磨表面上的损失时的实测值为1％以上的含有量。
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公开(公告)号：CN101384953B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200780006027.X
申请日：2007-03-14
申请人： 国立大学法人大阪大学 , 三菱电机株式会社
IPC分类号： G02F1/37
CPC分类号： G02F1/37 , G02F1/3551 , G02F2001/3505 , G02F2001/354
摘要： 本发明提供一种输出特性能够与入射强度相应地增加且能够在室温下使用的波长转换光学元件。本发明的波长转换光学元件是包含硼酸铯锂系列结晶的波长转换光学元件，其特征在于，上述结晶中的水杂质的含有量是如下这样的含有量，即在将上述结晶加工为Nd:YAG激光的4倍高次谐波发生方位的光学元件且长度为10mm的光学元件时，将上述光学元件的红外透射频谱中的3589cm-1的透射率(Ta)作为指标，透射率(Ta)与偏振光方向无关且不考虑在光学研磨表面上的损失时的实测值为1％以上的含有量。
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公开(公告)号：CN102492993A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201210003531.7
申请日：2007-02-22
申请人： 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC分类号： C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
摘要： 本发明涉及氮化物单晶的制造方法及其装置，本发明提供一种氮化物单晶的制造方法，其为使用含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的方法，其特征在于，使用的生长装置包括：用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器；分别在所述每个坩埚内设置一个种晶，通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液，在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。
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公开(公告)号：CN101415867B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200780011616.7
申请日：2007-04-05
申请人： 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/00 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1024
摘要： 在熔剂方法中，在将源氮气供给到Na-Ga混合物之前将其充分加热。本发明提供一种用于制造第III族氮化物基化合物半导体的设备。该设备包括：反应器，该反应器保持熔融状态的第III族金属和与该第III族金属不同的金属；用于加热反应器的加热装置；用于容纳反应器和加热装置的外部容器；和用于将至少包含氮的气体从外部容器的外面供给到反应器中的进料管。进料管具有通过加热装置与反应器一起被加热的区域，其中，该区域在外部容器内部和反应器外部被加热。
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公开(公告)号：CN101405439A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009865.2
申请日：2007-03-14
申请人： 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC分类号： C30B9/10 , C30B7/00 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/406 , C30B35/002 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
摘要： 本发明提供一种氮化物单晶的制造装置，该装置具备：用于收纳溶液的坩埚、收纳坩埚的内侧容器(16)、收纳内侧容器(16)的加热容器(31)和压力容器(30)；所述加热容器(31)具备发热体(14)、设置发热体(14)的容器主体(13)以及与容器主体(13)组合的盖子(12)；所述压力容器用来收纳加热容器(31)并填充有至少含有氮气的氛围气体。盖子(12)对于容器主体的配合面(12b)相对水平面倾斜。
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公开(公告)号：CN102492993B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210003531.7
申请日：2007-02-22
申请人： 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC分类号： C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
摘要： 本发明涉及氮化物单晶的制造方法及其装置，本发明提供一种氮化物单晶的制造方法，其为使用含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的方法，其特征在于，使用的生长装置包括：用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器；分别在所述每个坩埚内设置一个种晶，通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液，在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。
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公开(公告)号：CN101583745B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200780042434.6
申请日：2007-11-14
申请人： 国立大学法人大阪大学
CPC分类号： C30B29/406 , C30B19/02 , Y10T117/1024
摘要： 本发明提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。
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公开(公告)号：CN101405438B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780009623.3
申请日：2007-03-14
申请人： 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC分类号： C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/403 , Y10T117/10 , Y10T117/1024
摘要： 一种使用含易氧化性物质的助熔剂7生长氮化物单晶的装置，其具有用于收容助熔剂7的坩锅1、用于收容坩锅1并填充至少含氮气的气氛气体的压力容器20、配置在压力容器20内且在坩锅1外的炉体材料15A、15B、安装在炉体材料上的加热器17、18，以及覆盖炉体材料的耐碱性且耐热性的金属层16A、16B。
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公开(公告)号：CN101405439B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200780009865.2
申请日：2007-03-14
申请人： 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC分类号： C30B9/10 , C30B7/00 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/406 , C30B35/002 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
摘要： 本发明提供一种氮化物单晶的制造装置，该装置具备：用于收纳溶液的坩埚、收纳坩埚的内侧容器(16)、收纳内侧容器(16)的加热容器(31)和压力容器(30)；所述加热容器(31)具备发热体(14)、设置发热体(14)的容器主体(13)以及与容器主体(13)组合的盖子(12)；所述压力容器用来收纳加热容器(31)并填充有至少含有氮气的氛围气体。盖子(12)对于容器主体的配合面(12b)相对水平面倾斜。
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公开(公告)号：CN101405440A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780010241.2
申请日：2007-02-22
申请人： 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC分类号： C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
摘要： 本发明使用了一种生长装置，它包括用于容纳溶液的多个坩埚(10)，用于加热坩埚(10)的发热体，用于容纳至少多个坩埚以及上述发热体并填充有至少包含氮气的气氛气体的压力容器(1)。分别在每个坩埚(10)内设置一个种晶，由该种晶生长氮化物单晶。
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