公开(公告)号：CN107075720B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201580049436.2

申请日：2015-09-24

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 须藤俊明 ,  北原贤 ,  佐藤忠广 ,  北原江梨子 ,  渡边贵

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/10

CPC classification number: G01N3/307 ,  C03B19/095 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  G01N2203/001 ,  G01N2203/0035 ,  G01N2203/0064

Abstract: 提供一种可以在与实际使用状况尽可能接近的状态下进行检查的石英玻璃坩埚的破坏检查方法和是否良好的判定方法。根据本发明的石英玻璃坩埚的破坏检查方法，自动中心冲头10的前端部碰撞石墨基座2上支撑的单晶硅提拉用的石英玻璃坩埚1的内表面，并且评价通过所述自动中心冲头10在内表面的一点上瞬间施加负荷时的内表面的裂痕的状态。

公开(公告)号：CN108396388A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810401983.8

申请日：2018-04-28

Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司

Inventor： 罗爱斌 ,  周铁军 ,  宾启雄 ,  陈章水 ,  易明辉 ,  李勇 ,  吴远高 ,  刘留

IPC: C30B35/00

CPC classification number: C30B35/002

Abstract: 本发明涉及一种立式烘烤氧化系统，其包括一炉体、包覆于炉体外的一保温层、固定于炉体内的一坩埚架总成、放置于坩埚架总成上固定的若干坩埚、置于坩埚内用于加热的一石英管加热器、用于封闭炉体并夹持固定石英管加热器的一冷却密封接头以及设于保温层外的一外壳。本立式烘烤氧化系统，相较于现有技术，能降低能耗、成膜均匀、爆管概率降低，且机械自动化程度提高，也能降低在转移过程中擦伤坩埚内氧化膜的风险，整体结构布局合理，非常适合于半导体材料的制备。

公开(公告)号：CN107709633A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680038649.X

申请日：2016-04-28

Applicant: 1366科技公司

Inventor： R.容茨克 ,  R.L.怀莱士 ,  D.S.哈维

IPC: C30B15/10 ,  C30B15/12 ,  C30B15/20 ,  C30B28/10 ,  C30B28/06 ,  C30B29/08

CPC classification number: C30B35/007 ,  C30B11/08 ,  C30B15/10 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B35/002

Abstract: 一种从在供料坩埚内总是维持固体和液体半导体两相的供料坩埚补充熔融半导体的主要坩埚。加热以熔化固体材料导致固体材料相变为液体，但将不导致供料坩埚内液体温度的任何明显的升高。温度偏移有利地是小的，即小于其将引起成形产物的问题。固体产物材料用作一种温度缓冲剂，以自动地和被动地维持供应液体温度在或非常接近于相变温度。对于硅，偏移被保持小于90℃，且甚至小至50℃。使用锗的方法也是有用的。完全熔化半导体的现有技术硅方法经历超过100℃的偏移。

公开(公告)号：CN107313111A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710560810.6

申请日：2017-07-11

Applicant: 江苏星特亮科技有限公司

Inventor： 李留臣 ,  周正星

IPC: C30B35/00

CPC classification number: C30B35/00 ,  C30B35/002

Abstract: 本发明公开了一种多工位加料装置，用于均匀的将物料同时加入多个容器中，多工位加料装置包括进料机构、与进料机构连通的分料机构；分料机构包括与进料机构连通的第一分料箱、绕自身轴心线方向转动的设于第一分料箱中的第一分料盘、用于驱动第一分料盘转动的驱动电机、多个间隔均匀的环设于第一分料箱底部的分料管，分料管的上端与第一分料箱连通。本发明一种多工位加料装置，通过设置分料机构，将物料通过多个分料管均匀的加入多个坩埚中，提高了每只坩埚内的熔料量，有效的提高了人工晶体生长的效率。该装置结构简单，使用方便。

公开(公告)号：CN104204187B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201380017645.X

申请日：2013-03-28

Applicant: 米特根有限公司

Inventor： R·E·索恩 ,  B·阿普克 ,  R·纽曼

IPC: C12M1/18

CPC classification number: B01L3/5085 ,  B01L2200/0678 ,  B01L2300/0829 ,  B01L2300/0858 ,  B01L2300/0893 ,  C12M23/12 ,  C30B35/002

Abstract: 用于人工和高通量蛋白晶体生长以及其他生物或有机晶体生长的设备和方法。一微孔板包含多个单元格，以及一限定微孔板中单元格的边框。在每个单元格中至少存在一个上部开口的孔。单元格中的每个孔底部可以封闭，或者其底部是开口的，但孔底部由一独立部件封闭，其可以为独立的膜或板(例如塑料、玻璃或金属)或一模制部件。

公开(公告)号：CN106319629A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610830239.0

申请日：2016-09-19

Applicant: 中原特钢股份有限公司

Inventor： 范志霞 ,  艾俊林 ,  宋小波 ,  赵鑫波 ,  赵全宏 ,  魏静静 ,  赵东

IPC: C30B29/40 ,  C30B35/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B35/002

Abstract: 本发明涉及一种用于生产氮化镓晶体的超高压容器，它包括筒体、上部结构及下部结构，所述筒体外部设置有加热带及保温层；所述下部结构包括置于筒体上端内部的下密封塞及下螺纹压环；所述上部结构包括置于筒体上端内部的上密封塞及上螺纹压环；所述上密封塞通过螺纹连接散热管，所述散热管上部连接加氨装置；所述下密封塞、下螺纹压环、筒体、上密封塞、上螺纹压环及散热管均采用高温合金材料制造；所述筒体内径为30mm--250mm，工作条件为300MPa压力、600℃°且氨气为介质。本发明的目的在于克服现有技术中存在的制得的氮化镓晶体晶格缺陷多的缺点而提供一种生长速度快、晶格缺陷少的用于生产氮化镓晶体的超高压容器。

公开(公告)号：CN106133207A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580012185.0

申请日：2015-03-06

Applicant: ALD真空技术股份有限公司

Inventor： 亨利克·弗朗茨 ,  克里斯多夫·莫舍 ,  安德里亚·兹梅尔曼 ,  阿米·文歌特 ,  凯·穆勒 ,  迈克尔·霍曼

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/14 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002

Abstract: 本发明涉及包括框架和底板的混合坩埚。所述坩埚的特征为：选择用于两个部件的热导率被优化的材料。所述坩埚适于制造结晶材料。此外，还公开了制造结晶材料的方法。

公开(公告)号：CN106087062A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610509503.0

申请日：2016-06-30

Applicant: 北京华进创威电子有限公司

Inventor： 程章勇

IPC: C30B29/40 ,  C30B23/00 ,  C01B31/30

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B23/00 ,  C30B35/002

Abstract: 本发明公开了一种用于氮化铝单晶生长的钽金属件碳化方法，所述碳化方法包括如下步骤：1)碳化钽件的清洗：对碳化钽件进行清洗；2)裁剪碳毡片：依据碳化钽件的几何外形以及尺寸大小，将碳毡裁剪成设定形状的碳毡；3)组装：将裁剪好的碳毡、碳粉、碳化钽件层叠有秩地放置在加热筒内；4)碳化：对加热筒进行加热，以完成对碳化钽件的碳化；5)取出碳化钽件并清洗：从发热筒内取出碳化钽件并进行清洗；6)将步骤5)中清洗后的碳化钽件干燥后储藏备用。本申请的碳化方法能够充分利用发热筒内的容量空间，提高了空间利用率，切实有效地减少了能源浪费，且碳化钽件的碳化非常均匀。

公开(公告)号：CN104185612B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201280068042.8

申请日：2012-11-30

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： S·B·道斯 ,  D·H·詹尼斯

IPC: C03B19/06 ,  C03B35/00

CPC classification number: C03B19/066 ,  C03B19/09 ,  C30B11/002 ,  C30B15/10 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002

Abstract: 本发明涉及形成容器的方法以及所得到的容器。可以通过如下方法形成容器：提供第一煅制二氧化硅烟炱层，所述第一煅制二氧化硅烟炱层是由煅制二氧化硅烟炱的初级颗粒构成的，然后在第一锻制二氧化硅烟炱层上提供第二煅制二氧化硅烟炱层，所述第二煅制二氧化硅烟炱层是由从煅制二氧化硅烟炱的初级颗粒形成为团聚形式的团聚颗粒构成的。第一煅制二氧化硅烟炱层的初级颗粒可具有基本均匀的密度分布，而第二煅制二氧化硅烟炱层的团聚颗粒可具有基本不均匀的密度分布。该方法可以包括将第一和第二烟炱层固结在一起以形成固结体。

公开(公告)号：CN105839183A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610444476.3

申请日：2016-06-20

Applicant: 晶科能源有限公司 ,  浙江晶科能源有限公司

Inventor： 李亮 ,  张朝坤 ,  肖贵云 ,  黄晶晶 ,  闫灯周 ,  陈伟 ,  金浩

IPC: C30B29/06 ,  C30B35/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B35/00 ,  C30B35/002

Abstract: 本发明公开了一种用于铸锭炉坩埚的隔热装置，包括安装于铸锭炉坩埚外侧的护板和位于护板外侧的护毡，护板设有至少两个第一通孔，护毡的对应位置设有第二通孔，隔热装置还包括依次贯穿第一通孔和第二通孔的可转动的插销，第一通孔和第二通孔均设有用于卡紧插销的台阶面。插销依次贯穿第一通孔和第二通孔，然后转动插销使插销与进入通孔的原始方位错开，使得插销可以与第一通孔和第二通孔的台阶面卡紧配合，保证了护板和护毡之间有效的固定连接。同时，第一通孔和第二通孔均分别至少两个，避免了护板和护毡通过单孔单销连接会发生的歪斜现象。本发明还公开了一种包括上述隔热装置的铸锭炉。