公开(公告)号：CN101243555B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200680030413.8

申请日：2006-07-18

申请人： 国立科学研究中心 ,  S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司

发明人： 让-卢卡·珀卢阿尔 ,  梅兰伊亚·利杰阿迪 ,  克里斯托夫·迪普伊 ,  法布里克·帕尔多 ,  菲利普·博韦

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/201 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/201 ,  H01L29/7371

摘要： 本发明涉及一种异质结双极晶体管，包括载体以及从该载体外延生长的至少：一个集电极层或发射极层；至少一个基极层(B)；以及至少一个发射极层或集电极层；所述集电极或发射极层包括：至少一个第一亚层(C1)，所述第一亚层与所述基极层接触，与所述发射极或集电极层的成分基本相同；以及至少一个第二亚层(C2)，第二亚层相对于所述第一亚层位于与所述基极层的相对侧。

公开(公告)号：CN101243555A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200680030413.8

申请日：2006-07-18

申请人： 国立科学研究中心 ,  S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司

发明人： 让-卢卡·珀卢阿尔 ,  梅兰伊亚·利杰阿迪 ,  克里斯托夫·迪普伊 ,  法布里克·帕尔多 ,  菲利普·博韦

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/201 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/201 ,  H01L29/7371

摘要： 本发明涉及一种异质结双极晶体管，包括载体以及从该载体外延生长的至少：一个集电极层或发射极层；至少一个基极层(B)；以及至少一个发射极层或集电极层；所述集电极或发射极层包括：至少一个第一亚层(C1)，所述第一亚层与所述基极层接触，与所述发射极或集电极层的成分基本相同；以及至少一个第二亚层(C2)，第二亚层相对于所述第一亚层位于与所述基极层的相对侧。