公开(公告)号：CN108140563A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061152.X

申请日：2016-11-01

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  前原宗太 ,  仓冈义孝

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B19/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66007 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种抑制电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：半绝缘性的自立基板，其含有掺杂有Zn的GaN；缓冲层，其与上述自立基板相邻；沟道层，其与上述缓冲层相邻；以及势垒层，其隔着上述沟道层而设置于上述缓冲层的相反侧，上述缓冲层是含有AlpGa1－pN(0.7≤p≤1)、且抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。

公开(公告)号：CN103545318B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201310302897.9

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 山崎舜平 ,  坂本直哉 ,  佐藤贵洋 ,  越冈俊介 ,  长隆之 ,  山元良高 ,  松尾拓哉 ,  松木园广志 ,  神崎庸辅

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/201

Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。

公开(公告)号：CN106653825A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610958568.3

申请日：2016-10-27

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·库拉托拉 ,  O·黑伯伦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/201

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778

Abstract: 本公开涉及半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括基于III族氮化物的增强型高电子迁移率晶体管，其包括漏极、栅极、阻挡层、沟道层以及布置在沟道层上并且与沟道层之间形成能够支持二维电子气(2DEG)的异质结的阻挡层。阻挡层的厚度和组成中的任一项被配置为与沟道区域外部的2DEG密度相比减小沟道区域中的2DEG密度，其中沟道区域布置在栅极下方并且延伸超越漏极侧栅极边缘达距离d。

公开(公告)号：CN103915486B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310684897.X

申请日：2013-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范学实 ,  张胜杰 ,  胡嘉欣 ,  梁铭彰 ,  吴显扬 ,  谢文兴 ,  黄靖方

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及高效率的FinFET二极管及其制造方法，该FinFET二极管设计为解决由有效面积减少引起的传统FinFET二极管的劣化问题。FinFET二极管具有掺杂衬底、两组分隔开的基本平行等距细长的半导体鳍结构、形成在两组鳍结构之间且用于鳍结构间的绝缘的电介质层、垂直横过两组鳍结构的多个基本等距及平行的细长栅极结构、以及分别纵向地形成在两组鳍结构之上的两组半导体带。两组半导体带掺杂为具有相反的导电类型：p型和n型。FinFET二极管还具有形成在半导体带之上的金属接触件。在一个实施例中，半导体带可通过外延生长和原位掺杂与鳍结构整体形成。

公开(公告)号：CN103715242B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310316249.9

申请日：2013-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的第一半导体层；以及形成在第一半导体层上的第二半导体层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe，缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层，第一层的Al组成比大于第二层的Al组成比，并且第一层的Fe浓度小于第二层的Fe浓度，第一层和第二层包括在多个层中，并且第一层形成在第二层的衬底侧上。

公开(公告)号：CN105938799A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610011394.X

申请日：2016-01-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 平井友洋 ,  川口宏

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/28114 ,  H01L21/3006 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。本发明使得能够通过使用氮化物半导体来改进半导体器件的特性。在栅极电极上方形成导电膜，该栅极电极在衬底上方、其间中介有层间层绝缘膜；并且通过蚀刻该导电膜来形成源极电极和漏极电极，该源极电极在栅极电极的一侧耦合至阻挡层，该漏极电极在栅极电极的另一侧耦合至阻挡层。在这种情况下，蚀刻源极电极，以便具有延伸超过栅极电极上方至漏极电极之侧并且在栅极电极上方具有间隙(开口)的形状。接着，对衬底进行氢气退火。这样，通过在源极电极的源极场板部分处形成间隙，可以在氢气退火过程中、在其中形成有沟道的区域中，有效地供给氢气。

公开(公告)号：CN103943498B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310024090.3

申请日：2013-01-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 肖德元

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/151 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/785

Abstract: 一种三维量子阱晶体管及其形成方法，所述三维量子阱晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成绝缘的缓冲层；刻蚀所述缓冲层，形成鳍部；在所述半导体衬底表面形成绝缘层，所述绝缘层表面低于鳍部的顶部；在所述鳍部表面形成量子阱层和位于量子阱层表面的势垒层；在所述绝缘层表面和势垒层表面形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构包括位于绝缘层表面和势垒层表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；在所述栅极结构两侧形成侧墙；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽，使所述侧墙悬空；在所述凹槽内形成源极和漏极。所述三维量子阱晶体管的形成方法可以降低晶体管的沟道区域电阻，提高晶体管的源漏电流。

公开(公告)号：CN103098188B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180040410.3

申请日：2011-08-30

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 福原升

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其具有基底基板、第一结晶层、及绝缘层，基底基板、第一结晶层、及绝缘层的位置顺序为基底基板、第一结晶层、绝缘层；第一结晶层是由可准晶格匹配于GaAs或AlGaAs的InxGa1-xAs(0.35≤x≤0.43)构成。第一结晶层是可适用于场效电子晶体管的沟道层，绝缘层是可适用于场效电子晶体管的栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN105336614A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410311783.5

申请日：2014-07-02

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 肖德元

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/266 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。其中在制造半导体器件的方法中，提供衬底，其中在衬底中包括腔体阵列，所述腔体的每个侧面方向分别与晶体的一个侧向晶面方向一致；在衬底表面上形成缓冲层，其中缓冲层的材料填充所述腔体；在缓冲层的表面上形成鳍片式沟道层。由于独立生长的晶体都产生了侧向晶面，从而位错缺陷密度显著降低，可以极大地提高器件的性能。

公开(公告)号：CN103137682B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201210484917.4

申请日：2012-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游承儒 ,  熊志文 ,  姚福伟 ,  许竣为 ,  黄敬源 ,  余俊磊 ,  杨富智

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括硅衬底、位于硅衬底上方的非故意掺杂的氮化镓(UID GaN)层。该HEMT进一步包括位于UID GaN层上方的施主供应层、位于施主供应层上方的栅极结构、漏极和源极。该HEMT进一步包括位于施主供应层上方的栅极结构和漏极之间的具有位于施主供应层中的一个或多个电介质插塞部和顶部的介电层。本发明还提供一种用于制造HEMT的方法。本发明还提供了具有改进击穿电压性能的高电子迁移率晶体管结构。