晶闸管与IGBT串联系统的性能测试设备及测试方法

    公开(公告)号:CN119471278A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411590849.9

    申请日:2024-11-08

    Abstract: 本发明涉及一种晶闸管与IGBT串联系统的性能测试设备及测试方法,其中,测试设备包括:组合波发生器,输出端连接至串联系统,其中,串联系统包括串联连接的晶闸管和IGBT模组;分压器,与串联系统并联;电流传感器与串联系统串联;示波器,输入端分别与分压器的输出端,以及电流传感器的输出端连接;IGBT触发器,输入端连接分压器的输出端,输出端连接IGBT模组的信号输入端控制IGBT模组的通断;组合波发生器被配置为:当IGBT模组断开时产生并向串联系统发送冲击电压信号,当IGBT模组导通时产生并向串联系统发送冲击电流信号。与现有技术相比,本发明具有可以缩小体积以及简化后续信号处理等优点。

    变压器缩比套管试验参数确定方法

    公开(公告)号:CN116822114A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202211219541.4

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种变压器缩比套管试验参数确定方法,方法中,对实际变压器套管建立仿真计算模型;计算所述仿真计算模型在额定电压下的电场分布图像;计算所述仿真计算模型在额定电流下的温度场分布图像;对按预定比例进行缩比制造的套管建立仿真计算模型;计算缩比套管的仿真计算模型在不同电压下的电场分布图像;计算缩比套管的仿真计算模型在不同电流下的温度场分布图像;计算实际套管下的电场和温度场图像与缩比套管下的电场和温度场分布图像的图像相似度;调整缩比套管电压和电流值,使电场和温度场图像的图像相似度均大于0.9;所述电压值和电流值作为缩比套管的试验参数值。

    伪随机M序列激励的压电传感器校准方法

    公开(公告)号:CN118424361A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410615058.0

    申请日:2024-05-17

    Abstract: 伪随机M序列激励的压电传感器校准方法,包括灵敏度响应和阻抗响应校准。灵敏度响应校准实验中,以伪随机M序列作为激励源施加到机‑电转化模块将电信号转化为机械信号,待校压电传感器检测机械信号并输出第一输出电信号,标准压电传感器检测机械信号并输出第二输出电信号,根据标准压电传感器的灵敏度响应曲线信息、待校压电传感器的第一输出电信号以及标准压电传感器的第二输出电信号计算得到待校传感器的灵敏度响应曲线信息;阻抗响应校准实验中,以伪随机M序列作为激励源施加到匹配电阻串联待校压电传感器并接地的电路中,同时采集伪随机M序列输入信号和待校压电传感器的输出信号,计算获得传感器的阻抗响应。本方法响应快,稳定可靠。

    一种陶瓷室温闪烧系统及方法

    公开(公告)号:CN116514558B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202310474860.8

    申请日:2023-04-28

    Abstract: 本发明公开了一种陶瓷室温闪烧系统及方法,所述闪烧系统包括电源模块、开关模块、测量模块、控制模块和试品模块,所述电源模块通过开关模块连接至所述试品模块,所述测量模块用于监测试品模块中试品的参数,控制模块接收所述测量模块监测的参数,进而控制开关模块。所述电源模块包括第一电源和第二电源,第一电源串联开关模式中的第一开关,第二电源串联开关模式中的第二开关,控制模块可实现第一开关和第二开关的有序导通,从而分步施加电源模块中的第一电源或第二电源至试品,完成试品的室温闪烧。本发明通过组合式电源的使用和分步闪烧的方法,极大地降低了陶瓷闪烧的电源参数要求,有效实现了陶瓷试品的室温闪烧。

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