一种基于农村电网的三相负荷不平衡治理方法及装置

    公开(公告)号:CN115102195A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210842738.7

    申请日:2022-07-18

    Abstract: 本发明属于三相不平衡治理领域,提供了一种基于农村电网的三相负荷不平衡治理方法及装置,包括获取台区负荷数据,通过计算每个三相负荷开关的贝叶斯平均值,根据贝叶斯平均值的排序结果,确定三相负荷开关的安装位置;基于确定的三相负荷开关的安装位置,确定柔性换相装置的安装位置;周期性采集电网的三相电流、三相电压以及三相负荷开关的电压、电流和换相次数;依据采集的数据判断三相负荷的不平衡度是否高于不平衡度阈值,如果高于,则根据训练好的换相算法模型迭代计算输出MIV值,依据MIV值进行排序,按照MIV值由大到小进行换相动作;如果低于,则继续进行周期性的数据采集,进行三相负荷不平衡治理;能够解决三相负荷换相不平衡的问题。

    一种嫁接组合辅助装置及方法

    公开(公告)号:CN111869447A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010863456.6

    申请日:2020-08-25

    Abstract: 本公开提供一种嫁接组合辅助装置及方法,涉及农艺工具领域,包括支架、间隔且对称安装在支架上的第一夹具板和第二夹具板,第一夹具板滑动配合有第一斜滑块,第一斜滑块上间隔设有平行的第一刀片和第二刀片,第二夹具板上滑动配合有与第一斜滑块对称设置的第二斜滑块,第二斜滑块上设有与第一刀片对称的第三刀片、与第二刀片对称的第四刀片,通过在一个斜滑块上配合间隔设置的两个刀片,刀片的切割刃相平行,保证了接穗和砧木对接切口的吻合,两个对称同步动作的斜滑块,能够同步对植株两侧切割,形成满足需求的切口对接形状。

    一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片

    公开(公告)号:CN109411348B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN201811391720.X

    申请日:2018-11-21

    Abstract: 本公开提供了一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片。其中,一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法,包括:网格化设计横向版图,并设置基区、发射区和键合区相关参数;其中,基区按照电子扩散浓度划分为深基区和淡基区;根据芯片预设参数性能要求,设计纵向结构,得到集电结结深和发射结结深;依次进行以下工艺制程:一次氧化、深基区光刻、深基区扩散、二次氧化、淡基区光刻、淡基区扩散、三次氧化、发射区光刻、发射区扩散、四次氧化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻和合金工艺,最终得到具备预设抗辐射性能参数的大功率晶体管芯片。

    一种幼苗组合嫁接装置及方法

    公开(公告)号:CN112005746A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010980889.X

    申请日:2020-09-17

    Abstract: 本公开提供一种幼苗组合嫁接装置及方法,涉及农艺工具领域,包括手持杆、安装在手持杆上的夹板和对接手持杆一端的主切刀,两个分离刀分别通过转动副连接主切刀一端,一对夹板端部铰接,另一端形成夹持部,分离刀和夹板夹持部相对设置,两个夹板分别通过导杆连接两个分离刀,两个夹板在外力作用下改变其夹角,以带动两个分离刀分别绕其对应的转动副转动,通过布置主切刀和分离刀,在主切刀对砧木切口后,移动整个装置,带动通过切割刀切口完毕的接穗平移到砧木切口上方,夹板配合分离刀转动的同时,对柘木切口位置扩张,使得接穗下落至与砧木接口配合,保证接穗和砧木的完整性并保证其良好对接。

    一种全自动铺膜装置及工作方法

    公开(公告)号:CN110622749A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201910980052.2

    申请日:2019-10-15

    Abstract: 本发明涉及一种全自动铺膜装置及工作方法,包括行走车,行走车后部固定有固定杆,固定杆两端均固定有固定板,固定板的外侧面固定有翻土犁和覆土犁,翻土犁靠近固定杆设置,两个固定板之间通过连接杆固定有第一驱动件,第一驱动件通过摆臂与压膜辊连接,压膜辊安装有切割机构,连接杆与固定杆之间的固定板内侧面上固定有顶锥结构,顶锥结构用于将地膜纸筒进行固定,并带动地膜纸筒进行转动,第一驱动件能够带动压膜辊运动,将地膜进行压紧,切割机构用于切断地膜,行走车后部安装有用于盛装覆盖土的覆土箱,所述覆土箱与第二驱动件连接,本发明的铺膜装置自动化程度高,工作效率高。

    一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片

    公开(公告)号:CN109411348A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811391720.X

    申请日:2018-11-21

    Abstract: 本公开提供了一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片。其中,一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法,包括:网格化设计横向版图,并设置基区、发射区和键合区相关参数;其中,基区按照电子扩散浓度划分为深基区和淡基区;根据芯片预设参数性能要求,设计纵向结构,得到集电结结深和发射结结深;依次进行以下工艺制程:一次氧化、深基区光刻、深基区扩散、二次氧化、淡基区光刻、淡基区扩散、三次氧化、发射区光刻、发射区扩散、四次氧化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻和合金工艺,最终得到具备预设抗辐射性能参数的大功率晶体管芯片。

    一种深腔无引线芯片共晶焊接装置及方法

    公开(公告)号:CN109300797A

    公开(公告)日:2019-02-01

    申请号:CN201811391236.7

    申请日:2018-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种深腔无引线芯片共晶焊接装置及方法,它解决了现有技术中人工焊接芯片精度无法保证,工作效率低的问题,具有实现机械焊接,且提高工作效率和精度的有益效果,其方案如下:一种深腔无引线芯片共晶焊接装置,包括支撑台,支撑台设置第一凹槽,第一凹槽周侧与保护气体供应机构连通,第一凹槽内嵌套设置第二凹槽,第二凹槽与管座尺寸相适应以在第二凹槽设置管座;加热机构,设于支撑台内侧用于对管座表面的焊料进行加热;用于初始放置管座、焊料和芯片的载料台;机械手,机械手与多维移动机构连接,且机械手能从载料台分别将管座、焊料和芯片,再通过多维移动机构送至第二凹槽内。

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