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公开(公告)号：CN105389421B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201510686381.8
申请日：2015-10-21
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管C5D50065D的仿真模型，包括相互串联的第一压控电流源和温控电阻；与第一压控电流源和温控电阻并联的第二压控电流源，其中，第一压控电流源用于模拟碳化硅肖特基二极管的正向特性和反向特性，温控电阻用于模拟碳化硅肖特基二极管的漂移区电阻，第二压控电流源用于模拟碳化硅肖特基二极管的结电容；为第一压控电流源、温控电阻和第二压控电流源进行建模的建模模块。本发明具有如下优点：不需要建模者具有深入的器件半导体知识和专业的器件测试条件，为碳化硅肖特基二极管C5D50065D的建模提供了一种新的思路，能够广泛应用于含有碳化硅肖特基二极管C5D50065D的电力电子电路仿真。
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公开(公告)号：CN105389421A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510686381.8
申请日：2015-10-21
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管C5D50065D的仿真模型，包括相互串联的第一压控电流源和温控电阻；与第一压控电流源和温控电阻并联的第二压控电流源，其中，第一压控电流源用于模拟碳化硅肖特基二极管的正向特性和反向特性，温控电阻用于模拟碳化硅肖特基二极管的漂移区电阻，第二压控电流源用于模拟碳化硅肖特基二极管的结电容；为第一压控电流源、温控电阻和第二压控电流源进行建模的建模模块。本发明具有如下优点：不需要建模者具有深入的器件半导体知识和专业的器件测试条件，为碳化硅肖特基二极管C5D50065D的建模提供了一种新的思路，能够广泛应用于含有碳化硅肖特基二极管C5D50065D的电力电子电路仿真。
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公开(公告)号：CN106411297B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201510456744.9
申请日：2015-07-29
IPC分类号： H03K17/08
摘要： 本发明提供了一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路，包括饱和监测电路，以及依次连接的隔离电路、PWM脉冲调理电路、保护逻辑电路和驱动电路；驱动电路的输出端分别与碳化硅绝缘栅场效应管器件的栅极端子和源极端子连接；饱和监测电路包括第一输入端、第二输入端和输出端；第一输入端与PWM脉冲调理电路的输出端连接，第二输入端与碳化硅绝缘栅场效应管器件的漏极端子连接，输出端分别与隔离电路和保护逻辑电路连接。与现有技术相比，本发明提供的一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路，充分利用绝缘体上芯片的高温性能，极其适用于高温环境下对于碳化硅绝缘栅场效应管器件的驱动保护。
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公开(公告)号：CN105207256A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510589539.X
申请日：2015-09-16
CPC分类号： Y02E10/58
摘要： 本发明提供一种光伏微型逆变器，所述逆变器包括升压模块和逆变模块；所述升压模块包括前级DC-DC变换器和后级DC-DC变换器；光伏阵列(PV)、前级DC-DC变换器、后级DC-DC变换器和逆变模块依次串联。前级DC-DC变换器采用第一Boost电路和第二Boost电路实现最大功率点跟踪和电压的提升，后级DC-DC变换器负责进一步抬升电压达到电网等级，在升压比大于10的同时实现了最大功率点跟踪。本发明充分利用开关损耗小的电路特点，发挥开关电容电路的高频特性，可有效减小滤波器的体积和输出纹波。
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公开(公告)号：CN106300922B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201510303056.9
申请日：2015-06-04
摘要： 本发明提供了一种高温驱动保护装置，包括功率器件驱动模块和制冷模块；制冷模块有两块，分别设置在功率器件驱动模块的两侧面上；功率器件驱动模块，用于驱动并保证功率器件正常工作；制冷模块，用于对功率器件驱动模块散热。与现有技术相比，本发明提供的一种高温驱动保护装置，采用半导体制冷技术和硅基半导体集成电路技术相结合的方法设计，能够有效保障硅基半导体集成电路在高温环境下的正常工作，使高温碳化硅功率场效应管等功率器件得到良好的驱动和保护。
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公开(公告)号：CN105207256B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510589539.X
申请日：2015-09-16
摘要： 本发明提供一种光伏微型逆变器，所述逆变器包括升压模块和逆变模块；所述升压模块包括前级DC‑DC变换器和后级DC‑DC变换器；光伏阵列(PV)、前级DC‑DC变换器、后级DC‑DC变换器和逆变模块依次串联。前级DC‑DC变换器采用第一Boost电路和第二Boost电路实现最大功率点跟踪和电压的提升，后级DC‑DC变换器负责进一步抬升电压达到电网等级，在升压比大于10的同时实现了最大功率点跟踪。本发明充分利用开关损耗小的电路特点，发挥开关电容电路的高频特性，可有效减小滤波器的体积和输出纹波。
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公开(公告)号：CN106328621A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510387590.2
申请日：2015-07-03
申请人： 国网智能电网研究院 , 国网浙江省电力公司国家电网公司
IPC分类号： H01L23/49
摘要： 本发明提供了一种垂直连接型功率模块，包括功率器件、功率器件栅极接触片、功率器件源极接触片、功率器件漏极接触片、栅极弹簧铜柱、源极弹簧铜柱和DBC基板；功率器件栅极接触片和功率器件源极接触片均设置在功率器件的一侧面上，功率器件漏极接触片设置在功率器件的另一侧面与DBC基板之间；栅极弹簧铜柱与功率器件栅极接触片连接，源极弹簧铜柱与功率器件源极接触片连接。与现有技术相比，本发明提供的一种垂直连接型功率模块，减小了功率模块的尺寸、并可相应减小所需的散热器的大小，从而减小变换器系统的体积和重量。
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公开(公告)号：CN106411297A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510456744.9
申请日：2015-07-29
申请人： 国网智能电网研究院 , 国网浙江省电力公司国家电网公司
IPC分类号： H03K17/08
摘要： 本发明提供了一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路，包括饱和监测电路，以及依次连接的隔离电路、PWM脉冲调理电路、保护逻辑电路和驱动电路；驱动电路的输出端分别与碳化硅绝缘栅场效应管器件的栅极端子和源极端子连接；饱和监测电路包括第一输入端、第二输入端和输出端；第一输入端与PWM脉冲调理电路的输出端连接，第二输入端与碳化硅绝缘栅场效应管器件的漏极端子连接，输出端分别与隔离电路和保护逻辑电路连接。与现有技术相比，本发明提供的一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路，充分利用绝缘体上芯片的高温性能，极其适用于高温环境下对于碳化硅绝缘栅场效应管器件的驱动保护。
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公开(公告)号：CN106300922A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510303056.9
申请日：2015-06-04
申请人： 国网智能电网研究院 , 国网浙江省电力公司国家电网公司
摘要： 本发明提供了一种高温驱动保护装置，包括功率器件驱动模块和制冷模块；制冷模块有两块，分别设置在功率器件驱动模块的两侧面上；功率器件驱动模块，用于驱动并保证功率器件正常工作；制冷模块，用于对功率器件驱动模块散热。与现有技术相比，本发明提供的一种高温驱动保护装置，采用半导体制冷技术和硅基半导体集成电路技术相结合的方法设计，能够有效保障硅基半导体集成电路在高温环境下的正常工作，使高温碳化硅功率场效应管等功率器件得到良好的驱动和保护。
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公开(公告)号：CN106318328A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510404769.4
申请日：2015-07-10
申请人： 国网智能电网研究院 , 国网山东省电力公司经济技术研究院国家电网公司
发明人： 杨岑玉 , 赵波 , 徐桂芝 , 王乐 , 杨士慧 , 金翼 , 宋鹏翔 , 朱毅 , 赵鹏程 , 彭傊 , 祁欢欢 , 刘海军 , 宋洁 , 肖宇 , 牛萌 , 田鑫 , 周哲 , 刘宗烨 , 冷光辉 , 丁玉龙
IPC分类号： C09K5/06
CPC分类号： Y02P20/13
摘要： 本发明提供一种蛭石基复合相变储热材料及其制备方法。该材料由按质量份计的15～38份膨胀蛭石、50～72份相变材料和10～15份石墨组成。将原料分别烘干和破碎后与2～5份的水混合，均化，成型，干燥和烧结。本发明制备的储热材料具有不同形状的定型结构(图1)，储热密度＞400kJ/kg(图2)、导热＞1/(m·K)、使用温度范围广、腐蚀小、安全可靠、成本低和使用寿命长。可应用于太阳能、风力发电储热换热系统，以及工业余热利用和移动储热车或移动储热站等领域。
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