一种宽频振荡信号提取方法及装置

    公开(公告)号:CN117811017A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311824998.2

    申请日:2023-12-27

    IPC分类号: H02J3/24

    摘要: 本发明涉及宽频振荡技术领域,公开了一种宽频振荡信号提取方法及装置,本发明将原有三相静止坐标系中的电信号转变为dq0坐标系下的电信号,由于系统中的次超同步电流都会在dq0坐标系中变为波动分量,所以只需经过一个低通滤波器就可以提取出dq0坐标系下的工频有功和无功分量,然后在经dq反变换就可得到不含次/超同步信号的三相电流信号。最后再用原有线路中的三相电流减去该电流,就可以得到线路中的次/超同步信号。由于所需提取的信号是由原有电流信号减去系统中的工频电流信号所得到的,所以在设计宽频段信号提取时经dq变换的信号提取方法更具优势。

    一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路

    公开(公告)号:CN106411297B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201510456744.9

    申请日:2015-07-29

    IPC分类号: H03K17/08

    摘要: 本发明提供了一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路,包括饱和监测电路,以及依次连接的隔离电路、PWM脉冲调理电路、保护逻辑电路和驱动电路;驱动电路的输出端分别与碳化硅绝缘栅场效应管器件的栅极端子和源极端子连接;饱和监测电路包括第一输入端、第二输入端和输出端;第一输入端与PWM脉冲调理电路的输出端连接,第二输入端与碳化硅绝缘栅场效应管器件的漏极端子连接,输出端分别与隔离电路和保护逻辑电路连接。与现有技术相比,本发明提供的一种基于绝缘体上硅芯片的高温驱动保护电路,充分利用绝缘体上芯片的高温性能,极其适用于高温环境下对于碳化硅绝缘栅场效应管器件的驱动保护。