一种防脱摇柄
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106921120B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN201510982921.7

    申请日:2015-12-24

    发明人: 吴昊 陈兴刚

    IPC分类号: H02B11/127

    摘要: 本发明涉及一种防脱摇柄,由套头、压套、连杆、手柄、防脱弹片组成,在连杆的一端固装有套头,另一端通过轴设有手柄,在套头内分别设有压套、防脱弹片;压套与防脱弹片的接触端为锥形结构形式;由于设有防脱弹片,从而避免了对中置手车摇进、摇出时的脱落,保证了摇进、摇出的连贯性;由于设有压套,从而方便了套头套上轴头,拔出轴头的时的方便;由于压套上设有锥形的结构形式;从而方便地将防脱弹片撑开;由于设有手柄收纳槽,在不使用时将手柄收入槽内,从而方便了整个摇柄的保存;由于简单、使用方便,所以有着很大的实用和推广价值。

    一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件

    公开(公告)号:CN108257858B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201611231185.2

    申请日:2016-12-28

    摘要: 本发明提供了一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件,所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化,在其外延层的上表面形成牺牲氧化层;对牺牲氧化层进行腐蚀,直至完全去除外延层上的牺牲氧化层;对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理,形成光滑的钝化表面;在光滑的钝化表面上依次淀积Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层,并对Al2O3介质覆层、LaxHfyO介质层和Al2O3介质覆层构成的叠层结构进行退火,形成高k栅介质层。与现有技术相比,本发明提供的一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件,能够减少SiC/SiO2界面处的因杂质和/或表面晶格缺陷造成的界面缺陷,提高栅介质层的耐压能力。