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公开(公告)号：CN113884850A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111098043.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 宋琦华 , 孙明 , 王一帆 , 骆丽 , 王尊 , 刘黎 , 邵先军 , 王少华 , 陈虔 , 曾明全 , 李文燕 , 邓志江 , 张斌 , 林氦 , 郭清 , 陈少华
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体特性参数测试系统及方法，属于半导体特性参数测试技术领域。本发明的一种功率半导体特性参数测试系统，包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路。本发明设置辅助功率半导体对待测功率半导体的导通时间以及电路通断进行控制，并在功率半导体两端设置吸收电容，能够有效阻隔母线电容到测试半桥之间的部分寄生电感；同时功率主回路采用叠层母排结构进行设置，通过较小的回路面积大大降低了杂散电感，能够以更低的电压实现高电流承载。进而本发明能够有效减小电压过冲叠加以及开关损耗，同时能有效避免电磁干扰，使得本发明特别适用于对第三代半导体高压SiC功率器件进行高精度的动态特性参数测试。
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公开(公告)号：CN113539870B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110704028.3
申请日：2021-06-24
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及测试晶圆上一开关元器件的电气特性的方法，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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公开(公告)号：CN113539870A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110704028.3
申请日：2021-06-24
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及测试晶圆上一开关元器件的电气特性的方法，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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公开(公告)号：CN113341294B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202110704304.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置结构，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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公开(公告)号：CN113341294A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110704304.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置结构，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119907271A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411850715.6
申请日：2024-12-16
Applicant: 浙江大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 一种平面栅MOSFET结构及其制备方法，属于平面栅MOSFET技术领域，一种平面栅MOSFET结构，包括元胞结构，所述元胞结构包括：N型衬底；N型外延层；P阱区，两个P阱区的顶部皆形成有沟道区；两个P阱区之间形成有JFET区；栅氧层包括第一栅氧区、第二栅氧区和第三栅氧区，第一栅氧区位于沟道区与栅极结构之间，第二栅氧区位于N型区与栅极结构之间，第三栅氧区位于JFET区与栅极结构之间，第二栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度，第三栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度。本申请通过优化MOSFET栅氧的厚度分布，保证沟道处栅氧具有的低界面态密度、高迁移率的导通优势，降低了栅氧泄漏电流，提高了栅氧可靠性，同时也减小了栅氧电容，提高了MOSFET的开关速度。
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公开(公告)号：CN114966160B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210901906.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 浙江大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 杭州飞仕得科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基于隧道磁电阻传感器的叠层母排及功率器件电流检测装置，涉及电力设备领域，解决测量功率器件电流时的共模噪声高，寄生电感高，或者不能测量直流的问题，基板的内部设置容纳腔，容纳腔位于电容安装孔对和功率器件安装孔对之间，容纳腔用于安装隧道磁电阻传感器，当接线端子连接至电源，在电容与功率器件之间形成回路，第一导电层和第二导电层的电流产生的磁场在基板处相互增强，隧道磁电阻传感器通过检测电流产生的磁场以检测电流。两个导电层还可以一定程度为隧道磁电阻传感器屏蔽高频磁场，两个磁场相互增强，信噪比高，隧道磁电阻传感器体积较小，不会增加环路面积，寄生电感低，与功率器件无电气连接，共模噪声低。
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公开(公告)号：CN114966160A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210901906.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 浙江大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 杭州飞仕得科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基于隧道磁电阻传感器的叠层母排及功率器件电流检测装置，涉及电力设备领域，解决测量功率器件电流时的共模噪声高，寄生电感高，或者不能测量直流的问题，基板的内部设置容纳腔，容纳腔位于电容安装孔对和功率器件安装孔对之间，容纳腔用于安装隧道磁电阻传感器，当接线端子连接至电源，在电容与功率器件之间形成回路，第一导电层和第二导电层的电流产生的磁场在基板处相互增强，隧道磁电阻传感器通过检测电流产生的磁场以检测电流。两个导电层还可以一定程度为隧道磁电阻传感器屏蔽高频磁场，两个磁场相互增强，信噪比高，隧道磁电阻传感器体积较小，不会增加环路面积，寄生电感低，与功率器件无电气连接，共模噪声低。
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公开(公告)号：CN216772102U
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202123337524.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B21/26
Abstract: 本实用新型公开了一种金相显微镜观察半导体用载样台，包括底座、旋转杆和夹板夹具，所述旋转杆可绕其轴线转动地设置于底座上，旋转杆连接有能够控制旋转杆转动的控制旋钮；所述夹板夹具固定设置于旋转杆的端部，用于夹持待观察半导体。本实用新型能够在短时间内方便、快捷的观察样品表面和截面及其他角度，提供多角度的样品形貌数据。
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公开(公告)号：CN215415735U
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202121413503.3
申请日：2021-06-24
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶圆上一开关元器件的电气特性测试装置结构，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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