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公开(公告)号：CN117497497B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311842265.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案：一种功率模块液冷散热封装结构，包括DBC陶瓷基板；功率芯片；内铜层，形成流经功率芯片的内冷却通道；外铜层，形成外冷却通道；冷却液，在内冷却通道和外冷却通道流动；引线，一端连接功率芯片，另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出；DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是：提高了散热效率，降低了不同面的温度差，提升功率芯片工作可靠性；相比现有的双面水冷散热结构，外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
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公开(公告)号：CN112964926B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110155302.6
申请日：2021-02-04
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 杨青 , 刘黎 , 王一帆 , 孙明 , 林氦 , 邓志江 , 曾振源 , 张斌 , 陈少华 , 宋琦华 , 周迅 , 曹力力 , 张翾喆 , 汪桢毅 , 姜烔挺
Abstract: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，属于电力技术领域，目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法，当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时，则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，通过预设三种条件，当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止，其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量，第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量，第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量，这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
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公开(公告)号：CN112964926A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110155302.6
申请日：2021-02-04
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 杨青 , 刘黎 , 王一帆 , 孙明 , 林氦 , 邓志江 , 曾振源 , 张斌 , 陈少华 , 宋琦华 , 周迅 , 曹力力 , 张翾喆 , 汪桢毅 , 姜烔挺
Abstract: 本发明公开了一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，属于电力技术领域，目的在于克服现有测试治具寿命判定不准确的缺陷。测试治具使用寿命管理方法，当测试治具达成第一条件、第二条件和第三条件之一时，则判断测试治具寿命终止。本发明所提供的一种大电流功率器件测试治具使用寿命管理方法，通过预设三种条件，当其中一种条件满足时就判断测试治具寿命终止，其中第一条件为对接插件接插动作次数、通电次数和过流次数的综合考量，第二条件为对接插件阻抗增加程度的考量，第三条件为对接插件相邻两次阻抗变化率的考量，这样就提高了判断测试治具寿命终止的可靠性。
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公开(公告)号：CN119907271A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411850715.6
申请日：2024-12-16
Applicant: 浙江大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 一种平面栅MOSFET结构及其制备方法，属于平面栅MOSFET技术领域，一种平面栅MOSFET结构，包括元胞结构，所述元胞结构包括：N型衬底；N型外延层；P阱区，两个P阱区的顶部皆形成有沟道区；两个P阱区之间形成有JFET区；栅氧层包括第一栅氧区、第二栅氧区和第三栅氧区，第一栅氧区位于沟道区与栅极结构之间，第二栅氧区位于N型区与栅极结构之间，第三栅氧区位于JFET区与栅极结构之间，第二栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度，第三栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度。本申请通过优化MOSFET栅氧的厚度分布，保证沟道处栅氧具有的低界面态密度、高迁移率的导通优势，降低了栅氧泄漏电流，提高了栅氧可靠性，同时也减小了栅氧电容，提高了MOSFET的开关速度。
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公开(公告)号：CN117497497A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311842265.1
申请日：2023-12-29
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案：一种功率模块液冷散热封装结构，包括DBC陶瓷基板；功率芯片；内铜层，形成流经功率芯片的内冷却通道；外铜层，形成外冷却通道；冷却液，在内冷却通道和外冷却通道流动；引线，一端连接功率芯片，另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出；DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是：提高了散热效率，降低了不同面的温度差，提升功率芯片工作可靠性；相比现有的双面水冷散热结构，外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114966160B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210901906.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 浙江大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 杭州飞仕得科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基于隧道磁电阻传感器的叠层母排及功率器件电流检测装置，涉及电力设备领域，解决测量功率器件电流时的共模噪声高，寄生电感高，或者不能测量直流的问题，基板的内部设置容纳腔，容纳腔位于电容安装孔对和功率器件安装孔对之间，容纳腔用于安装隧道磁电阻传感器，当接线端子连接至电源，在电容与功率器件之间形成回路，第一导电层和第二导电层的电流产生的磁场在基板处相互增强，隧道磁电阻传感器通过检测电流产生的磁场以检测电流。两个导电层还可以一定程度为隧道磁电阻传感器屏蔽高频磁场，两个磁场相互增强，信噪比高，隧道磁电阻传感器体积较小，不会增加环路面积，寄生电感低，与功率器件无电气连接，共模噪声低。
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公开(公告)号：CN114966160A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210901906.5
申请日：2022-07-29
Applicant: 浙江大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 杭州飞仕得科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基于隧道磁电阻传感器的叠层母排及功率器件电流检测装置，涉及电力设备领域，解决测量功率器件电流时的共模噪声高，寄生电感高，或者不能测量直流的问题，基板的内部设置容纳腔，容纳腔位于电容安装孔对和功率器件安装孔对之间，容纳腔用于安装隧道磁电阻传感器，当接线端子连接至电源，在电容与功率器件之间形成回路，第一导电层和第二导电层的电流产生的磁场在基板处相互增强，隧道磁电阻传感器通过检测电流产生的磁场以检测电流。两个导电层还可以一定程度为隧道磁电阻传感器屏蔽高频磁场，两个磁场相互增强，信噪比高，隧道磁电阻传感器体积较小，不会增加环路面积，寄生电感低，与功率器件无电气连接，共模噪声低。
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公开(公告)号：CN113884850A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111098043.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心
Inventor： 王异凡 , 龚金龙 , 宋琦华 , 孙明 , 王一帆 , 骆丽 , 王尊 , 刘黎 , 邵先军 , 王少华 , 陈虔 , 曾明全 , 李文燕 , 邓志江 , 张斌 , 林氦 , 郭清 , 陈少华
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体特性参数测试系统及方法，属于半导体特性参数测试技术领域。本发明的一种功率半导体特性参数测试系统，包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路。本发明设置辅助功率半导体对待测功率半导体的导通时间以及电路通断进行控制，并在功率半导体两端设置吸收电容，能够有效阻隔母线电容到测试半桥之间的部分寄生电感；同时功率主回路采用叠层母排结构进行设置，通过较小的回路面积大大降低了杂散电感，能够以更低的电压实现高电流承载。进而本发明能够有效减小电压过冲叠加以及开关损耗，同时能有效避免电磁干扰，使得本发明特别适用于对第三代半导体高压SiC功率器件进行高精度的动态特性参数测试。
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公开(公告)号：CN112986782A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110202946.6
申请日：2021-02-23
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 国网浙江桐乡市供电有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及功率半导体特性参数测试技术领域，提供了一种功率半导体特性参数测试系统，包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元；低压控制单元包括低压项目相关部件和继电器组；继电器组分别设于低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间并根据不同类型的低压参数测试项目预设对应的导通状态；继电器组按照预设导通状态使低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间切换连接状态以形成与测试项目对应的测试电路；将低压测试项目的测试电路整合到一起，通过继电器组，可以更改测试连接方式，自动实现不同测试项目的切换。
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公开(公告)号：CN119673887A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510176430.7
申请日：2025-02-18
Applicant: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC: H01L23/427 , H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种功率模块散热结构，涉及功率模块散热技术领域。现有功率模块散热无法满足毫秒级热冲击的散热要求。本发明提供一种功率模块散热结构，包括：功率模块，功率模块包括芯片及芯片下方的基板，功率模块还包括：位于芯片源极区域上方的上散热部；上散热部的封闭内腔中设置相变材料，上散热部设置热管骨架，热管骨架用于功率模块的散热并用于向所述相变材料传递热量。本发明通过内置相变材料的热管骨架替代常见的金属框架的散热架，可以及时将过流过载时的热量传导至相变材料处，满足瞬时散热需求。
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