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公开(公告)号：CN103426862A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310181024.7
申请日：2013-05-16
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76883 , H01L23/522 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/76 , H01L24/82 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明的实施例涉及铜互连结构及其形成方法。一种具有提高的电迁移抗性的结构和用于制作该结构的方法。一种具有提高的电迁移抗性的结构包括具有双层盖和电介质覆盖层的本体互连。该双层盖包括底部金属部分和顶部金属氧化物部分。优选地，金属氧化物部分是MnO或MnSiO并且金属部分是Mn或CuMn。该结构通过用(在优选实施例中为Mn的)杂质掺杂互连，然后在互连的顶部部分创造晶格缺陷。缺陷将增加的杂质迁移驱向互连的定表面。在形成电介质覆盖层时，部分与分凝的杂质反应，从而在互连上形成双层。Cu表面的晶格缺陷可以通过等离子处理、离子注入、压缩薄膜或其他手段来创造。
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公开(公告)号：CN100378946C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200410031266.9
申请日：2004-03-26
申请人： 因芬尼昂技术股份公司 , 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76224
摘要： 一种沟槽绝缘结构被形成于该基板内，一或更多开孔形成于该基板表面，及内衬层被沉积于至少沿该开孔的底部及侧壁。掺杂氧化物材料层被沉积于至少在该开孔，及该基板被退火以回焊该掺杂氧化物材料层，仅接近该基板表面的部分被自在该开孔内的掺杂氧化物材料层被移除，覆盖层被沉积于在该开孔的掺杂氧化物材料层的其余部分的顶部。
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公开(公告)号：CN1542941A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031266.9
申请日：2004-03-26
申请人： 因芬尼昂技术股份公司 , 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76224
摘要： 一种沟槽绝缘结构被形成于该基板内，一或更多开孔形成于该基板表面，及内衬层被沉积于至少沿该开孔的底部及侧壁。掺杂氧化物材料层被沉积于至少在该开孔，及该基板被退火以回焊该掺杂氧化物材料层，仅接近该基板表面的部分被自在该开孔内的掺杂氧化物材料层被移除，覆盖层被沉积于在该开孔的掺杂氧化物材料层的其余部分的顶部。
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公开(公告)号：CN103426862B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310181024.7
申请日：2013-05-16
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76883 , H01L23/522 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/76 , H01L24/82 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明的实施例涉及铜互连结构及其形成方法。一种具有提高的电迁移抗性的结构和用于制作该结构的方法。一种具有提高的电迁移抗性的结构包括具有双层盖和电介质覆盖层的本体互连。该双层盖包括底部金属部分和顶部金属氧化物部分。优选地，金属氧化物部分是MnO或MnSiO并且金属部分是Mn或CuMn。该结构通过用(在优选实施例中为Mn的)杂质掺杂互连，然后在互连的顶部部分创造晶格缺陷。缺陷将增加的杂质迁移驱向互连的定表面。在形成电介质覆盖层时，部分与分凝的杂质反应，从而在互连上形成双层。Cu表面的晶格缺陷可以通过等离子处理、离子注入、压缩薄膜或其他手段来创造。
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