光感测电路与其缺陷修补方法

    公开(公告)号:CN107024273A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201710223430.3

    申请日:2017-04-07

    Inventor: 林承德 黄明益

    CPC classification number: G01J1/46 G01J2001/446

    Abstract: 本发明公开了一种光感测电路,具有光感测阵列、检测电路、感测器与多工器。光感测阵列具有多条扫描线与多条感测线。检测电路电性连接至其中一感测线,用于检测感测电流以输出检测信号。感测器具有正输入端与负输入端,负输入端电性连接检测电路与检测电路所连接的感测线,并依据正输入端的电压与负输入端的电流,产生感测结果。多工器的第一输入端用以接收第一参考电压,第二输入端用以接收第二参考电压,选择端用以接收检测信号,输出端电性连接至正输入端。其中该多工器依据检测信号的电压电平,选择将第一输入端与第二输入端其中之一桥接至输出端。

    作为光传感器的MOS晶体管结构

    公开(公告)号:CN104124303B

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201410164042.9

    申请日:2014-04-23

    Abstract: 描述了一种用于登记光的结构,包括:MOS晶体管结构(101,201,401,501,601,701),具有第一源极/漏极区域(103)、第二源极/漏极区域(105)、以及至少部分地在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的主体区域(107),其中所述主体区域的掺杂类型不同于所述第一和第二源极/漏极区域的另一掺杂类型,其中在所述主体区域(107)中,根据照射在主体区域(107)的光(111)而产生电荷载流子,其中所产生的电荷载流子控制从第一源极/漏极区域(103)经过主体区域流的至少一部分向第二源极/漏极区域(105)的电流。

    检测电路、传感器装置及电子设备

    公开(公告)号:CN102141445B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201110002398.9

    申请日:2011-01-06

    Inventor: 山村光宏

    CPC classification number: G01J5/34 G01J1/46

    Abstract: 本发明提供一种抑制制造工序变更造成的偏差等、且能很高地设定分辨率的检测电路、传感器装置及电子设备等。该检测电路包括:电流镜电路20;设置在电流镜电路20的第1节点NA1与第1电源节点之间的热电元件C1;设置在电流镜电路20的第2节点NA2与第1电源节点之间的电容元件C2;以及经由电流镜电路20进行热电元件C1及电容元件C2的充电动作的充电电路30。

    光感测装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103245412B

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201310176306.8

    申请日:2013-05-14

    Inventor: 陈勇达 钟岳宏

    CPC classification number: G01J1/4204 G01J1/46

    Abstract: 一种光感测装置,包含多条扫描线、多条感应线、多条读取线、以及多个光感测模块电连接于对应的这些扫描线。每一光感测模块包含有第一光感测单元与第二光感测单元。每一第一光感测单元与第二光感测单元包含至少一感应单元、储电单元以及读取单元。感应单元具有第一端,电连接至对应的感应线、第二端以及控制端,电连接至对应的扫描线。读取单元具有第一端、第二端,电连接至对应的读取线以及一控制端电连接至对应的扫描线。光感测模块还包含多个差动放大器电连接于对应的读取线,计算读取线间的差异值用来指出该光感测模块的环境光变化。第一光感测单元的感应单元的第一晶体管与第二光感测单元的感应单元的第一晶体管具有不同的晶体管通道宽度。

    信号处理装置以及光检测装置

    公开(公告)号:CN102308573B

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201080006475.1

    申请日:2010-01-29

    Abstract: 一个实施方式的信号处理装置中,积分电路将来自光电二极管的电荷存储于积分电容元件,并输出对应于电荷的量的电压值。比较电路,当从积分电路输出的电压值达到基准值时,输出饱和信号。电荷注入电路对应于饱和信号,将极性相反的电荷注入到积分电容元件中。计数电路,基于饱和信号,进行计数。保持电路,将来自积分电路的电压值保持。放大电路输出由保持电路保持的电压值的K倍(其中,K>1)的电压值。AD转换电路,将基准值的K倍的电压值作为最大输入电压值,即满阶值,输出对应于来自放大电路的电压值的数字值。

    作为光传感器的MOS晶体管结构

    公开(公告)号:CN104124303A

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201410164042.9

    申请日:2014-04-23

    Abstract: 描述了一种用于登记光的结构,包括:MOS晶体管结构(101,201,401,501,601,701),具有第一源极/漏极区域(103)、第二源极/漏极区域(105)、以及至少部分地在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的主体区域(107),其中所述主体区域的掺杂类型不同于所述第一和第二源极/漏极区域的另一掺杂类型,其中在所述主体区域(107)中,根据照射在主体区域(107)的光(111)而产生电荷载流子,其中所产生的电荷载流子控制从第一源极/漏极区域(103)经过主体区域流的至少一部分向第二源极/漏极区域(105)的电流。

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