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公开(公告)号:CN106576135B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201580033533.2
申请日:2015-11-17
Applicant: 谷歌有限责任公司
Inventor: 温宗晋
CPC classification number: H04N5/3765 , G01J1/46 , G01J2001/446 , H04N5/2256 , H04N5/2257 , H04N5/353 , H04N5/35527 , H04N5/35572 , H04N5/378 , H04N9/045 , H04N13/271
Abstract: 一种装置被描述为包括图像传感器,所述图像传感器具有计时和控制电路和阈值电路,所述计时和控制电路将产生信号以在图像捕获序列期间引起在像素单元中的多次从发光二极管到存储电容器的电荷转移。所述阈值电路将在所述多次转移的过程中追踪所述存储电容器的电压并且识别所述存储电容器的电压何时达到阈值。
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公开(公告)号:CN108880496A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201810413838.1
申请日:2018-05-03
Applicant: 拉碧斯半导体株式会社
Inventor: 矢部幸治
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03F11/00 , G01J1/46 , G01J5/12 , G01J5/14 , G01J5/34 , G01K17/003 , H03F3/005 , H03F3/45475 , H03F3/45968 , H03F2200/27 , H03F2200/375 , H03F2200/411 , H03F2203/45356 , H03F2203/45512 , H03F2203/45514 , H03F2203/45528 , H03F2203/45616 , H03F2203/45631 , H03F2203/45634 , H03G3/3084
Abstract: 提供高速地切换充电以及输出动作,并消除偏移得到所希望的电压增益的开关电容器放大电路。包含:运算放大器;第一电容器以及第二电容器,它们各自的一端与运算放大器的负输入端连接;第一开关电路,其在第一动作时将第一电容器的另一端与信号源连接,在第二动作时将第一电容器的另一端与规定电位连接;第二开关电路,其在第一动作时将第二电容器的另一端与规定电位连接并且将运算放大器的输出端与负输入端短路,在第二动作时将第二电容器的另一端与运算放大器的输出端连接从而经由第二电容器将运算放大器的输出端与负输入端连接;以及阻抗转换电路,其连接在第一开关电路与第一电容器的另一端之间,将信号源的输出阻抗转换为规定的阻抗。
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公开(公告)号:CN107024273A
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:CN201710223430.3
申请日:2017-04-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G01J1/46
CPC classification number: G01J1/46 , G01J2001/446
Abstract: 本发明公开了一种光感测电路,具有光感测阵列、检测电路、感测器与多工器。光感测阵列具有多条扫描线与多条感测线。检测电路电性连接至其中一感测线,用于检测感测电流以输出检测信号。感测器具有正输入端与负输入端,负输入端电性连接检测电路与检测电路所连接的感测线,并依据正输入端的电压与负输入端的电流,产生感测结果。多工器的第一输入端用以接收第一参考电压,第二输入端用以接收第二参考电压,选择端用以接收检测信号,输出端电性连接至正输入端。其中该多工器依据检测信号的电压电平,选择将第一输入端与第二输入端其中之一桥接至输出端。
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公开(公告)号:CN106062968A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201580010819.9
申请日:2015-02-10
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor: 金子太郎
IPC: H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/0232
CPC classification number: G01J1/46 , G02B6/00 , G02B6/32 , G02B6/42 , G02B6/4206 , H01L31/02005 , H01L31/02019 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/02325 , H01L2224/48091 , H01L2224/48111 , H01L2224/48195 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的意图在于缩短在电容器(5)和光接收元件(4)之间的电布线并且改进高频特性。这个光学模块(100)具有:安设成在面对光传输路径(6)的光接收表面处接收来自光传输路径(6)的光的光接收元件(4);结合到光传输路径(6)和光接收元件(4)从而将在光传输路径(6)和光接收元件(4)之间的间隙保持为使得来自光传输路径(6)的光能够在光接收表面(4a)上入射的预定距离的间隔器(3);和电连接到光接收元件(4)并且在与结合到光接收元件(4)的一侧相同的一侧上连同光接收元件(4)一起地布置在间隔器(3)的表面上的电容器(5)。
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公开(公告)号:CN104124303B
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201410164042.9
申请日:2014-04-23
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor: 鄂尔斯特·布莱施奈德
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L27/144 , G01J1/42 , G01J1/46 , H01L27/14612 , H01L27/14681 , H04N5/378
Abstract: 描述了一种用于登记光的结构,包括:MOS晶体管结构(101,201,401,501,601,701),具有第一源极/漏极区域(103)、第二源极/漏极区域(105)、以及至少部分地在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的主体区域(107),其中所述主体区域的掺杂类型不同于所述第一和第二源极/漏极区域的另一掺杂类型,其中在所述主体区域(107)中,根据照射在主体区域(107)的光(111)而产生电荷载流子,其中所产生的电荷载流子控制从第一源极/漏极区域(103)经过主体区域流的至少一部分向第二源极/漏极区域(105)的电流。
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公开(公告)号:CN102141445B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201110002398.9
申请日:2011-01-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 山村光宏
IPC: G01J5/14
Abstract: 本发明提供一种抑制制造工序变更造成的偏差等、且能很高地设定分辨率的检测电路、传感器装置及电子设备等。该检测电路包括:电流镜电路20;设置在电流镜电路20的第1节点NA1与第1电源节点之间的热电元件C1;设置在电流镜电路20的第2节点NA2与第1电源节点之间的电容元件C2;以及经由电流镜电路20进行热电元件C1及电容元件C2的充电动作的充电电路30。
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公开(公告)号:CN103245412B
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201310176306.8
申请日:2013-05-14
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G01J1/44
CPC classification number: G01J1/4204 , G01J1/46
Abstract: 一种光感测装置,包含多条扫描线、多条感应线、多条读取线、以及多个光感测模块电连接于对应的这些扫描线。每一光感测模块包含有第一光感测单元与第二光感测单元。每一第一光感测单元与第二光感测单元包含至少一感应单元、储电单元以及读取单元。感应单元具有第一端,电连接至对应的感应线、第二端以及控制端,电连接至对应的扫描线。读取单元具有第一端、第二端,电连接至对应的读取线以及一控制端电连接至对应的扫描线。光感测模块还包含多个差动放大器电连接于对应的读取线,计算读取线间的差异值用来指出该光感测模块的环境光变化。第一光感测单元的感应单元的第一晶体管与第二光感测单元的感应单元的第一晶体管具有不同的晶体管通道宽度。
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公开(公告)号:CN102308573B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201080006475.1
申请日:2010-01-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/378 , G01J1/46 , H04N5/32 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/0225 , G01J1/46 , H01L27/14609 , H04N5/32 , H04N5/355 , H04N5/378
Abstract: 一个实施方式的信号处理装置中,积分电路将来自光电二极管的电荷存储于积分电容元件,并输出对应于电荷的量的电压值。比较电路,当从积分电路输出的电压值达到基准值时,输出饱和信号。电荷注入电路对应于饱和信号,将极性相反的电荷注入到积分电容元件中。计数电路,基于饱和信号,进行计数。保持电路,将来自积分电路的电压值保持。放大电路输出由保持电路保持的电压值的K倍(其中,K>1)的电压值。AD转换电路,将基准值的K倍的电压值作为最大输入电压值,即满阶值,输出对应于来自放大电路的电压值的数字值。
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公开(公告)号:CN104124303A
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201410164042.9
申请日:2014-04-23
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor: 鄂尔斯特·布莱施奈德
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L27/144 , G01J1/42 , G01J1/46 , H01L27/14612 , H01L27/14681 , H04N5/378
Abstract: 描述了一种用于登记光的结构,包括:MOS晶体管结构(101,201,401,501,601,701),具有第一源极/漏极区域(103)、第二源极/漏极区域(105)、以及至少部分地在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的主体区域(107),其中所述主体区域的掺杂类型不同于所述第一和第二源极/漏极区域的另一掺杂类型,其中在所述主体区域(107)中,根据照射在主体区域(107)的光(111)而产生电荷载流子,其中所产生的电荷载流子控制从第一源极/漏极区域(103)经过主体区域流的至少一部分向第二源极/漏极区域(105)的电流。
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公开(公告)号:CN101471352B
公开(公告)日:2013-05-22
申请号:CN200810190776.9
申请日:2008-12-24
Applicant: 精工电子有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L23/552 , G01J1/42 , G09G5/10
CPC classification number: H01L31/101 , G01J1/02 , G01J1/0209 , G01J1/0214 , G01J1/04 , G01J1/0437 , G01J1/0488 , G01J1/18 , G01J1/4228 , G01J1/46 , H01L27/14645
Abstract: 透射待检测的光并且具有导电性的屏蔽设置在光电二极管(1和2)的光接收表面上,以防止光电二极管(1和2)由于从外部进入的电磁波而感生电荷。具有取决于光的波长的透光率的两种滤光件分别设置在光电二极管(1和2)的光接收表面上,从而取它们光谱特性之间的差。屏蔽和滤光件可由例如多晶硅或者给定导电类型的半导体薄膜来制成,并且可易于通过将那些制造工艺结合到半导体制造工艺中来制造。
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