公开(公告)号：CN1742209A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN03826009.3

申请日：2003-02-20

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·加蒂克 ,  D·A·格罗施 ,  M·D·诺克斯 ,  F·莫提卡 ,  P·奈伊 ,  J·范霍恩 ,  P·S·祖霍斯基

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2879 ,  G01R31/275 ,  G01R31/2856 ,  G01R31/3004 ,  G01R31/3008

摘要： 一种用于测试半导体电路(10)的方法，包括测试电路并在测试期间调节电路的阱偏置(14，18)。该方法通过在测试期间调节阱偏置改善了基于电压的和IDDQ测试和诊断的分辨率。另外，该方法在应力测试中提供了更有效的应力。该方法应用于IC，其中半导体阱(阱和/或衬底)从芯片VDD和GND单独地连线，允许在测试期间对阱电势的外部控制(40)。总之，本方法依赖于利用阱偏置来改变晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN100495056C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN03826009.3

申请日：2003-02-20

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·加蒂克 ,  D·A·格罗施 ,  M·D·诺克斯 ,  F·莫提卡 ,  P·奈伊 ,  J·范霍恩 ,  P·S·祖霍斯基

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2879 ,  G01R31/275 ,  G01R31/2856 ,  G01R31/3004 ,  G01R31/3008

摘要： 一种用于测试半导体电路(10)的方法，包括测试电路并在测试期间调节电路的阱偏置(14，18)。该方法通过在测试期间调节阱偏置改善了基于电压的和IDDQ测试和诊断的分辨率。另外，该方法在应力测试中提供了更有效的应力。该方法应用于IC，其中半导体阱(阱和/或衬底)与芯片VDD和GND分离地连线，允许在测试期间对阱电势的外部控制(40)。总之，本方法依赖于利用阱偏置来改变晶体管的阈值电压。