公开(公告)号：CN100461430C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610008395.5

申请日：2006-02-21

申请人： 国际商业机器公司

发明人： J·R·霍尔特 ,  O·C·奥扬

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种半导体结构，该结构包括在绝缘体上半导体(SOI)上的高性能场效应晶体管(FET)，其中其绝缘体是预选几何图形的应力产生材料。这样的结构从单轴应力获得性能的增强，并且在沟道中的应力不依赖于本地接触的布置设计。概括地说，本发明涉及包括上半导体层和底半导体层的半导体结构，其中所述上半导体层与所述底半导体层在至少一个区域中由具有预选几何形状的应力产生绝缘体分离，所述应力产生绝缘体在上半导体层上施加应变。

公开(公告)号：CN1838417A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610008395.5

申请日：2006-02-21

申请人： 国际商业机器公司

发明人： J·R·霍尔特 ,  O·C·奥扬

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/7846

摘要： 本发明提供了一种半导体结构，该结构包括在绝缘体上半导体(SOI)上的高性能场效应晶体管(FET)，其中其绝缘体是预选几何图形的应力产生材料。这样的结构从单轴应力获得性能的增强，并且在沟道中的应力不依赖于本地接触的布置设计。概括地说，本发明涉及包括上半导体层和底半导体层的半导体结构，其中所述上半导体层与所述底半导体层在至少一个区域中由具有预选几何形状的应力产生绝缘体分离，所述应力产生绝缘体在上半导体层上施加应变。