公开(公告)号：CN102282655A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200980152783.2

申请日：2009-11-19

申请人： 国际商业机器公司 ,  飞思卡尔半导体公司

发明人： R·拉马钱德兰 ,  阎红雯 ,  N·姆曼 ,  J·K·舍费尔 ,  S·A·克里施南 ,  K·K·H·翁 ,  权彦五 ,  M·P·别良斯基 ,  R·怀斯

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823857

摘要： 本发明的实施例提供一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法。该方法包括以下步骤：在第一氮化钛(TiN)层上直接形成含金属层，该第一TiN层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底的区域；在该含金属层的顶上形成第二TiN层的覆盖层；构图该第二TiN层和该含金属层以仅覆盖该第一TiN层的第一部分，该第一TiN层的该第一部分覆盖指定用于该第一类型的场效晶体管的区域；蚀刻掉通过该构图暴露的该第一TiN层的第二部分，同时通过以该经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护该第一TiN层的该第一部分不受该蚀刻；以及形成覆盖指定用于该第二类型的场效晶体管的该半导体衬底的区域的第三TiN层。

公开(公告)号：CN102282655B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200980152783.2

申请日：2009-11-19

申请人： 国际商业机器公司 ,  飞思卡尔半导体公司

发明人： R·拉马钱德兰 ,  阎红雯 ,  N·姆曼 ,  J·K·舍费尔 ,  S·A·克里施南 ,  K·K·H·翁 ,  权彦五 ,  M·P·别良斯基 ,  R·怀斯

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823857

摘要： 本发明的实施例提供一种形成用于场效晶体管的栅极叠层的方法。该方法包括以下步骤：在第一氮化钛(TiN)层上直接形成含金属层，该第一TiN层覆盖指定用于第一类型的场效晶体管和第二类型的场效晶体管的半导体衬底的区域；在该含金属层的顶上形成第二TiN层的覆盖层；构图该第二TiN层和该含金属层以仅覆盖该第一TiN层的第一部分，该第一TiN层的该第一部分覆盖指定用于该第一类型的场效晶体管的区域；蚀刻掉通过该构图暴露的该第一TiN层的第二部分，同时通过以该经构图的含金属层的厚度的至少一部分来覆盖，而保护该第一TiN层的该第一部分不受该蚀刻；以及形成覆盖指定用于该第二类型的场效晶体管的该半导体衬底的区域的第三TiN层。