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公开(公告)号:CN1243854C
公开(公告)日:2006-03-01
申请号:CN01821538.6
申请日:2001-12-28
申请人: 埃伯乐太阳能公司
发明人: 希尔顿·F·格拉维施 , 矶崎秀之 , 舞惠治 , 藤田健太郎
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/007 , C30B15/206 , C30B15/305 , Y10T117/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要: 本发明公开了一种用于制造例如网带状晶体的半导体衬底的设备和方法。该设备包括室和封装在室内的生长器皿组件。磁场系统在室内产生一个垂直的磁场。
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公开(公告)号:CN1484715A
公开(公告)日:2004-03-24
申请号:CN01821538.6
申请日:2001-12-28
申请人: 埃伯乐太阳能公司
发明人: 希尔顿·F·格拉维施 , 矶崎秀之 , 舞惠治 , 藤田健太郎
CPC分类号: C30B29/06 , C30B15/007 , C30B15/206 , C30B15/305 , Y10T117/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要: 本发明公开了一种用于制造例如蹼状晶体的半导体衬底的设备和方法。该设备包括室和封装在室内的生长器皿组件。磁场系统在室内产生一个垂直的磁场。
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