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公开(公告)号：CN115588675A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211152590.0
申请日：2022-09-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78
Abstract: 本发明涉及非对称融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法，该动态视觉传感器像素包括：混合型衬底，氧化埋层，三个像素有源区，两个读出晶体管有源区，欧姆接触区域，三个顶层硅沟道区，以及在沟道区之上的栅氧化层，栅极，两个深槽隔离侧墙，一个浅槽隔离侧墙，栅极侧墙，栅极金属接触，源极金属接触，漏极金属接触，衬底金属接触。本发明基于单晶体管光电子原位探测器结构，在紧凑的像素架构内部可同时读出光强绝对信号和差分信号，实现了传统图像传感器光强数据和动态视觉传感器事件数据的融合，为PISD在下一代新型动态视觉传感器中的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN112382639A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011109650.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于绝缘层上硅衬底的可调性能光电传感器及其制备方法。本发明光电传感器包括：混合型衬底，氧化埋层，四个像素有源区，欧姆接触区域，三个顶层硅沟道区,以及在沟道区之上的栅氧化层,栅极，器件隔离侧墙，栅极侧墙，栅极金属接触，源极金属接触，漏极金属接触，衬底金属接触；本发明通过在像素有源区上引入额外的辅助控制栅极，来调控像素的有效有源区长度LA，成功实现具有传感性能可调的PISD器件。与通过工艺制造调整有源区实际物理长度相比，本发明通过辅助栅极的电学调控，可实现PISD在高灵敏度和高探测范围两种工作模式之间的自由切换，丰富了原有PISD器件的光电传感功能。
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公开(公告)号：CN111446268A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010259203.8
申请日：2020-04-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种新型单晶体管主动像素传感器及其制备方法，本发明在绝缘层上硅自下而上依序设置衬底、下层氧化埋层、中间硅层、上层氧化埋层、上层硅层，利用中间硅层作为光电敏感层，进行光电子的转换；转换的光电子被中间硅层两端的第一隔离槽、第二隔离槽和下层氧化埋层局限在本像素中，而不能向临近的像素迁移；通过在衬底施加背栅极脉冲，在衬底和中间硅层中形成深度耗尽，入射光在此深度耗尽区产生光生电子，受电场驱动聚集在上层氧化埋层/中间硅层的界面上，聚集的光生电子造成上层硅层中MOSFET中阈值电压移动；通过读出该阈值电压，得到像素的曝光剂量；本发明能减小光损耗，提高量子效率、防止不同像素间光生电子串扰。
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公开(公告)号：CN1208660C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02110871.4
申请日：2002-02-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属光通讯技术领域，具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论，研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系，缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本发明所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO2多层膜中引入多个缺陷态，利用缺陷态之间的相互耦合，使得器件的透射频谱加宽，满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112490289B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202011316239.1
申请日：2020-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于自对准结构的叠层沟道纳米片晶体管及其制备方法。随着集成电路中半导体晶体管制程的逐步缩小，由于短沟道效应的存在，器件性能的提升受到严峻的挑战。在3‑5 nm工艺节点下，器件的具体结构从鳍型场效应晶体管逐步转变为环栅叠层纳米片晶体管，其使得晶体管拥有更小的导通电阻与更强的栅控能力。本发明利用自有的栅极、源极、漏极金属作为自对准掩膜，制备得到叠层沟道纳米片晶体管。本发明具有制备工艺简单，成本低廉，兼容以硅基、锗基、三五族、IGZO、二维半导体等材料作为沟导电道的晶体管架构等等一系列优点，大大提升了器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1367397A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN02110871.4
申请日：2002-02-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属光通讯技术领域,具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论,研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系,缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本发明所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO2多层膜中引入多个缺陷态,利用缺陷态之间的相互耦合,使得器件的透射频谱加宽,满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容,具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115579369A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211153498.6
申请日：2022-09-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及对称式融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法，该动态视觉传感器像素包括：混合型衬底，氧化埋层，四个像素有源区，四个读出晶体管有源区，欧姆接触区域，五个顶层硅沟道区,以及在沟道区之上的栅氧化层，栅极，两个深槽隔离侧墙，一个浅槽隔离侧墙，栅极侧墙，栅极金属接触，源极金属接触，漏极金属接触，衬底金属接触。与现有技术相比，本发明基于单晶体管光电子原位探测器结构，在紧凑的像素架构内部可同时读出光强绝对信号和差分信号，实现了传统图像传感器光强数据和动态视觉传感器事件数据的融合，为PISD在下一代新型动态视觉传感器中的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN112490289A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011316239.1
申请日：2020-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于自对准结构的叠层沟道纳米片晶体管及其制备方法。随着集成电路中半导体晶体管制程的逐步缩小，由于短沟道效应的存在，器件性能的提升受到严峻的挑战。在3‑5 nm工艺节点下，器件的具体结构从鳍型场效应晶体管逐步转变为环栅叠层纳米片晶体管，其使得晶体管拥有更小的导通电阻与更强的栅控能力。本发明利用自有的栅极、源极、漏极金属作为自对准掩膜，制备得到叠层沟道纳米片晶体管。本发明具有制备工艺简单，成本低廉，兼容以硅基、锗基、三五族、IGZO、二维半导体等材料作为沟导电道的晶体管架构等等一系列优点，大大提升了器件性能。
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公开(公告)号：CN112382639B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202011109650.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于绝缘层上硅衬底的可调性能光电传感器及其制备方法。本发明光电传感器包括：混合型衬底，氧化埋层，四个像素有源区，欧姆接触区域，三个顶层硅沟道区,以及在沟道区之上的栅氧化层,栅极，器件隔离侧墙，栅极侧墙，栅极金属接触，源极金属接触，漏极金属接触，衬底金属接触；本发明通过在像素有源区上引入额外的辅助控制栅极，来调控像素的有效有源区长度LA，成功实现具有传感性能可调的PISD器件。与通过工艺制造调整有源区实际物理长度相比，本发明通过辅助栅极的电学调控，可实现PISD在高灵敏度和高探测范围两种工作模式之间的自由切换，丰富了原有PISD器件的光电传感功能。
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公开(公告)号：CN1049602A
公开(公告)日：1991-03-06
申请号：CN90102940.8
申请日：1990-09-25
Applicant: 复旦大学
IPC: A61B10/00
Abstract: 本发明属生物检测技术领域，是一种利用多聚酶链式反应(PCR)技术对人性别进行鉴定的高灵敏度方法。其步骤包括对同一被测DNA样品，采用测定男性特异性和人特异性的PCR扩增技术，然后检测扩增后的DNA情况，判断人性别。其中所用的两对引物Y3和Y4、A1和A2的核苷酸顺序是经特殊设计的，相应的反映男性的DNA特征片断为441bp-450bp，反映女性特性的DNA特征片断为122bp～126bp。与现有方法相比，本方法具有灵敏高、判断容易、操作简单等优点，可用于胎儿性别鉴定、司法中人性别鉴定等。
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