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公开(公告)号：CN1137521C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN01113204.3
申请日：2001-06-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属红外探测器技术领域，具体为一种3-5μm SiGe/Si异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延生长的Si1-xGex/Si异质结材料。该红外探测器工作波段为3-5μm，工作温度为80K，最高可达到105K，具有良好的性能。例在室温环境中可以用液态氮作致冷剂进行工作，而在太空中(温度为105K)则不需要任何制冷剂而工作；探测器还具有高的黑体响应率和黑体探测率；可采用大尺寸硅片研制；成品率高，均匀性好，适宜于制作大规模红外探测器焦平面阵列；有优越的性能价格比。
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公开(公告)号：CN101798089A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010023058.X
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为20～30nm左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中没有利用金属作催化剂，也没有采用退火温度接近硅熔点的高温处理技术，因此将氧化硅纳米线应用于研制硅基光集成器件或硅基光电集成器件，本发明生长方法易于和常用的硅集成器件工艺达到兼容，也不会使集成器件中的电子器件，可能因金属沾污导致性能的退化。
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公开(公告)号：CN101798089B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010023058.X
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为20～30nm左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中没有利用金属作催化剂，也没有采用退火温度接近硅熔点的高温处理技术，因此将氧化硅纳米线应用于研制硅基光集成器件或硅基光电集成器件，本发明生长方法易于和常用的硅集成器件工艺达到兼容，也不会使集成器件中的电子器件，可能因金属沾污导致性能的退化。
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公开(公告)号：CN1323068A
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN01113204.3
申请日：2001-06-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属红外探测器技术领域,具体为一种3－5μm SiGe/Si异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延长的Si1－xGex/Si异质结材料。该红外探测器工作波段为3－5μm,工作温度为80K,最高可达到105K,具有良好的性能。例在室温环境中可以用液态氮作致冷剂进行工作,而在太空中(温度为105K)则不需要任何制冷剂而工作;探测器还具有高的黑体响应率和黑体探测率;可采用大尺寸硅片研制;成品率高,均匀性好,适宜于制作大规模红外探测器焦平面阵列;有优越的性能价格比。
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公开(公告)号：CN101704500B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200910199052.5
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种超长芯-壳结构硅纳米线及其制备方法。这种硅纳米线具有直径小，长度长，结晶性良好，氧化硅壳层厚等特点。其中纳米线的直径为5nm左右，长度可达数十微米至数百微米。硅纳米线的生长方向为[111]方向。包围于硅纳米线外围的氧化硅壳层厚度为25nm左右。厚实的氧化硅壳层，将提高硅纳米线的机械强度，增强硅纳米线的抗氧化能力，使硅纳米线的物理性质保持稳定。超长的硅纳米线将使该纳米材料获得更广泛更方便的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101704500A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910199052.5
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种超长芯-壳结构硅纳米线及其制备方法。这种硅纳米线具有直径小，长度长，结晶性良好，氧化硅壳层厚等特点。其中纳米线的直径为5nm左右，长度可达数十微米至数百微米。硅纳米线的生长方向为[111]方向。包围于硅纳米线外围的氧化硅壳层厚度为25nm左右。厚实的氧化硅壳层，将提高硅纳米线的机械强度，增强硅纳米线的抗氧化能力，使硅纳米线的物理性质保持稳定。超长的硅纳米线将使该纳米材料获得更广泛更方便的应用。
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公开(公告)号：CN1133216C
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN01113205.1
申请日：2001-06-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于红外探测器技术领域，具体为一种红外探测器的SiGe/Si异质结材料，其中SiGe的组份为：Si1-xGex，0.45≤x≤0.55。该材料的工作波段为3-5μm，工作温度大于80K，最高可达105K.由此制作的红外探测器，具有良好的性能。例如，在室温环境中可用液氮作致冷剂工作，在太空中(环境温度为105K)不需任何制冷剂就可以工作。该探测器适宜于制作大规模的红外探测器焦平面阵列等。
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公开(公告)号：CN1324115A
公开(公告)日：2001-11-28
申请号：CN01113205.1
申请日：2001-06-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于红外探测器技术领域,具体为一种红外探测器的SiGe/Si异质结材料,其中SiGe的组份为:Si1－xGex,0.45≤x≤0.55。该材料的工作波段为3－5μm,工作温度大于80K,最高可达105K。由此制作的红外探测器,具有良好的性能。例如,在室温环境中可用液氮作致冷剂工作,在太空中(环境温度为105K)不需任何制冷剂就可以工作。该探测器适宜于制作大规模的红外探测器焦平面阵列等。
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公开(公告)号：CN2480823Y
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN01246269.1
申请日：2001-06-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G01J1/00 , H01L31/0264
Abstract: 本实用新型属红外探测器技术领域,具体为一种3—5μmSiCe/Si异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延长的Si1—xGex/Si异质结材料。该红外探测器工作波段为3-5μm,工作温度为80K,最高可达到105K,具有良好的性能。例在室温环境中可以用液态氮作致冷剂进行工作,而在太空中(温度为105K)则不需要任何制冷剂而工作;探测器还具有高的黑体响应率和黑体探测率;可采用大尺寸硅片研制;成品率高,均匀性好,适宜于制作大规模红外探测器焦平面阵列;有优越的性能价格比。
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