公开(公告)号：CN114141621A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111477721.8

申请日：2021-12-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐航 ,  徐大朋 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开一种具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管及其制备方法。该具有分裂栅的载流子存储槽栅双极型晶体管包括：N‑掺杂的硅衬底，其形成有P型阱区和载流子存储层，其中载流子存储层位于P型阱区下方；沟槽，贯穿所述P型阱区和载流子存储层；第一栅氧层形成在所述沟槽底部和侧壁上，第一多晶硅层覆盖第一栅氧层并填充沟槽下部；第二栅氧层形成在所述第一多晶硅层和沟槽上部侧壁上，第二多晶硅层覆盖第二栅氧层并填充沟槽上部；P+区形成在P阱区的上部边缘，N+区形成在P阱区的上部中间区域；第三多晶硅层，形成在所述P+区上方；第四氧化层，覆盖器件上表面；背部P阱区，形成在硅衬底底部；背部N阱区位于背部P阱区上方。

公开(公告)号：CN114171386A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111477741.5

申请日：2021-12-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐航 ,  徐大朋 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种载流子存储槽栅双极型晶体管结构的工艺优化方法。通过调整载流子存储层的注入顺序和注入能量，显著提高了载流子存储层的注入效率，增加了载流子存储层的浓度，降低了载流子存储槽栅双极型晶体管的导通压降和饱和电流。