公开(公告)号：CN100395843C

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200510026403.4

申请日：2005-06-02

申请人： 复旦大学

发明人： 朱贺飞 ,  顾沧海 ,  周电 ,  周晓方

IPC分类号： G11C11/419 ,  G11C7/00

摘要： 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种针对嵌入式静态随机存储器(EmbeddedSRAM)的电流灵敏放大器(Current-mode Sense Amplifier)。主要由位线箝位电路、一对交叉耦合CMOS反相器、均衡电路以及输入输出缓冲器构成。该灵敏放大器既可以实现对SRAM单元的读操作，也可以实现写操作，且在读写过程中均利用差分电流信号，而非传统的差分电压信号，因此在工作过程中位线的电压摆幅很小，有效地降低了存储器的读出、写入功耗。仿真结果表明，灵敏放大器的延时对位线电容变化不敏感。

公开(公告)号：CN1716448A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510026403.4

申请日：2005-06-02

申请人： 复旦大学

发明人： 朱贺飞 ,  顾沧海 ,  周电 ,  周晓方

IPC分类号： G11C11/419 ,  G11C7/00

摘要： 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种针对嵌入式静态随机存储器(Embedded SRAM)的电流灵敏放大器(Current－mode Sense Amplifier)。主要由位线箝位电路、交叉耦合反相器、均衡电路以及输入输出缓冲器构成。该灵敏放大器既可以实现对SRAM单元的读操作，也可以实现写操作，且在读写过程中均利用差分电流信号，而非传统的差分电压信号，因此在工作过程中位线的电压摆幅很小，有效地降低了存储器的读出、写入功耗。仿真结果表明，灵敏放大器的延时对位线电容变化不敏感。