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公开(公告)号：CN102169722B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010113790.6
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02D10/14
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种降低初始化或置位操作功耗的电阻随机存储器及其操作方法。该电阻随机存储器通过增加反馈电阻和比较器，实时反馈电阻随机存储器中存储电阻在初始化操作或者位置操作时电阻状态的变化，可以省去初始化操作或者位置操作成功后不必要的初始化电压或者位置电压偏置时间，因此能大大降低该电阻随机存储器的功耗。同时，该电阻随机存储器的初始化操作方法或者位置操作方法不需要其后的读验证操作步骤，从而可将电阻随机存储器的读写通路分开优化设计。
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公开(公告)号：CN101872647B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200910050101.9
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C17/14
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响，并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。
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公开(公告)号：CN101452740B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200810207839.7
申请日：2008-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C8/10
Abstract: 一种能同时选中多条位线的列译码器，具体针对传统译码器每次只能在一个存储阵列中选中一个存储单元的弱点，提出一种新型的可以同时选中多条位线的列译码器。它包括可以恒定输出使欲选中地址线选中的有效选中电平的电平转换器。在此列译码器的基础上，可以成功实现同时选中多条位线，对多条位线上的多个存储单元进行写或者激活(Forming)等操作，可以大大提高工作的效率，尤其适应于对电阻存储器的激活操作过程。
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公开(公告)号：CN101123120A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710045644.2
申请日：2007-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C17/08
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种一次编程存储器及其存储操作方法，在该器件中采用具有多次编程能力的二元或者二元以上的多元金属氧化物作为存储介质。通过施加大小和极性不同的电压于存储介质的两端，来对其进行编程和擦除操作。本发明的存储介质具有多次编程的能力，所以可以对本发明的存储器进行智能擦除和多次编程测试，提高存储器的产品良率和可靠性。本发明的器件具有低功耗、高良率、高容量的阵列块的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872647A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910050101.9
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C17/14
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响，并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。
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公开(公告)号：CN101452740A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810207839.7
申请日：2008-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C8/10
Abstract: 一种能同时选中多条位线的列译码器，具体针对传统译码器每次只能在一个存储阵列中选中一个存储单元的弱点，提出一种新型的可以同时选中多条位线的列译码器。它包括可以恒定输出使欲选中地址线选中的有效选中电平的电平转换器。在此列译码器的基础上，可以成功实现同时选中多条位线，对多条位线上的多个存储单元进行写或者激活(Forming)等操作，可以大大提高工作的效率，尤其适应于对电阻存储器的激活操作过程。
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公开(公告)号：CN102169720B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201010113783.6
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器(Resistance RandomAccess Memory，RRAM)的结构及实现方式，属于存储器技术领域。该电阻随机存储器包括存储阵列、行译码器、列译码器、列选通管、写驱动电路、读驱动电路、输入/输出缓冲模块、检测电阻以及比较器，通过在电阻随机存储器中增加用于反馈的检测电阻和比较器，可以实现电阻随机存储器在写操作过程中避免过写或者误写操作现象，使电阻随机存储器相对其存储单元的工艺波动的敏感性降低。该电阻随机存储器具有可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN102169722A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113790.6
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: Y02D10/14
Abstract: 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种降低初始化或置位操作功耗的电阻随机存储器及其操作方法。该电阻随机存储器通过增加反馈电阻和比较器，实时反馈电阻随机存储器中存储电阻在初始化操作或者位置操作时电阻状态的变化，可以省去初始化操作或者位置操作成功后不必要的初始化电压或者位置电压偏置时间，因此能大大降低该电阻随机存储器的功耗。同时，该电阻随机存储器的初始化操作方法或者位置操作方法不需要其后的读验证操作步骤，从而可将电阻随机存储器的读写通路分开优化设计。
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公开(公告)号：CN102169720A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113783.6
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C16/02
Abstract: 本发明提供一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器(Resistance RandomAccess Memory，RRAM)的结构及实现方式，属于存储器技术领域。该电阻随机存储器包括存储阵列、行译码器、列译码器、列选通管、写驱动电路、读驱动电路、输入/输出缓冲模块、检测电阻以及比较器，通过在电阻随机存储器中增加用于反馈的检测电阻和比较器，可以实现电阻随机存储器在写操作过程中避免过写或者误写操作现象，使电阻随机存储器相对其存储单元的工艺波动的敏感性降低。该电阻随机存储器具有可靠性高的特点。
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