公开(公告)号：CN108028291A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053329.1

申请日：2016-08-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森健史 ,  松本雄太 ,  钱谷嘉高

IPC: H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此，可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

公开(公告)号：CN105659388A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480058321.5

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  松本雄太 ,  中村淳一

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/036 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H02S10/00 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态半导体层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层具有第1导电类型。第2半导体层具有第2导电类型。第1电极形成于第1半导体层上。第2电极形成于第2半导体层上。第1电极包括形成于第1半导体层上的第1透明导电层(26n)和形成于第1透明导电层上的第1金属层(28n)。第1金属层包括第1金属层的面内方向上的平均晶体粒径大于第1金属层的厚度的多个金属晶粒。

公开(公告)号：CN109564946B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201780050299.3

申请日：2017-08-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  冈本亲扶 ,  小林正道 ,  石井真人 ,  森健史 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。

公开(公告)号：CN109564946A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780050299.3

申请日：2017-08-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  冈本亲扶 ,  小林正道 ,  石井真人 ,  森健史 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。

公开(公告)号：CN107980180B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201580082362.2

申请日：2015-08-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 稗田健 ,  小林正道 ,  冈本亲扶 ,  松本雄太 ,  木本贤治

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224

Abstract: 光电转换元件具备：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，其设置于半导体基板(1)的一侧的表面的一部分；第一半导体区域，其由设置在第一i型半导体膜(2)上的第一导电型半导体膜(3)构成；以及第一电极层(9)，其设置在第一半导体区域上，所述光电转换元件具有第一导电膜(11a)，其夹装在第一半导体区域与第一电极层(9)之间的局部。

公开(公告)号：CN105981180B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201580007656.9

申请日：2015-01-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  辻埜和也 ,  小出直城 ,  浅野直城 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域。并且，中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且，端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置，具有比厚度t1薄的厚度t2。另外，端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。

公开(公告)号：CN105981180A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580007656.9

申请日：2015-01-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  辻埜和也 ,  小出直城 ,  浅野直城 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域。并且，中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且，端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置，具有比厚度t1薄的厚度t2。另外，端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。

公开(公告)号：CN108028291B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201680053329.1

申请日：2016-08-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森健史 ,  松本雄太 ,  钱谷嘉高

IPC: H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此，可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

公开(公告)号：CN105659388B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201480058321.5

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  松本雄太 ,  中村淳一

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/036 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H02S10/00 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态半导体层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层具有第1导电类型。第2半导体层具有第2导电类型。第1电极形成于第1半导体层上。第2电极形成于第2半导体层上。第1电极包括形成于第1半导体层上的第1透明导电层(26n)和形成于第1透明导电层上的第1金属层(28n)。第1金属层包括第1金属层的面内方向上的平均晶体粒径大于第1金属层的厚度的多个金属晶粒。

公开(公告)号：CN107980180A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201580082362.2

申请日：2015-08-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 稗田健 ,  小林正道 ,  冈本亲扶 ,  松本雄太 ,  木本贤治

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/50

Abstract: 光电转换元件具备：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，其设置于半导体基板(1)的一侧的表面的一部分；第一半导体区域，其由设置在第一i型半导体膜(2)上的第一导电型半导体膜(3)构成；以及第一电极层(9)，其设置在第一半导体区域上，所述光电转换元件具有第一导电膜(11a)，其夹装在第一半导体区域与第一电极层(9)之间的局部。