公开(公告)号：CN102471072A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030709.6

申请日：2010-07-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松本将之 ,  南野隆二 ,  杉冈亮一 ,  北条美穗 ,  山根聪 ,  肥后辉明

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 本发明的硅纯化装置的第1实施方式为一种硅纯化装置，该装置在减压容器内具备能够保持熔融硅(2)的坩埚(1)、能够设置在坩埚(1)上方的保温盖(5)、以及对熔融硅(2)进行加热的加热装置(3)，其中，在坩埚(1)的侧面外周部具有第1绝热材料(4)，保温盖(5)为碳毡制板状构件(502)，在其至少两个主面上具有碳复合材料(501a，501b)，保温盖(5)形成贯通其两个主面之间的开口部(6)，在保温盖(5)设置于坩埚(1)上面的状态下，设置保温盖(5)的坩埚(1)侧主面的碳复合材料(501a)，使其覆盖第1绝热材料(4)的上面。

公开(公告)号：CN110010705B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201811355287.4

申请日：2018-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 东川诚 ,  肥后辉明

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/05

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及具备该光电转换装置的太阳能电池串。光电转换装置(10)包括：配置在半导体基板(1)的背面侧的p型扩散层(11)及n型扩散层(12)，电极(4，5)，以及配线基板(8)。电极(4)配置在p型扩散层(11)上，电极(5)配置在n型扩散层(12)上。配线基板(8)的配线群(82)利用导电性粘接层(7)而连接于电极(4，6)，配线群(83)利用导电性粘接层(7)而连接于电极(5)。而且，光电转换装置(10)具有第一构成与第二构成中的至少一个构成，所述第一构成是多个电极(50)的相邻的电极的至少一组连接于一条配线，所述第二构成是多个电极(40)的相邻的电极的至少一组连接于一条配线。

公开(公告)号：CN109564946B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201780050299.3

申请日：2017-08-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  冈本亲扶 ,  小林正道 ,  石井真人 ,  森健史 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。

公开(公告)号：CN109564946A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780050299.3

申请日：2017-08-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  冈本亲扶 ,  小林正道 ,  石井真人 ,  森健史 ,  松本雄太

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。

公开(公告)号：CN110364587A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910231029.3

申请日：2019-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 肥后辉明 ,  森健史 ,  东川诚

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明的光电转换元件具备半导体基板、n型非晶质半导体层、p型非晶质半导体层、及电极。半导体基板由n型单晶硅构成。p型非晶质半导体层配置于半导体基板的一侧的面。n型非晶质半导体层在半导体基板的一侧的面上配置于与p型非晶质半导体层的配置区域不同的区域。电极配置于n型非晶质半导体层上。电极配置于p型非晶质半导体层上。在半导体基板的面内方向上位于相邻的n型非晶质半导体层之间的p型非晶质半导体层沿从n型非晶质半导体层朝向相邻的n型非晶质半导体层的第一方向具有：配置有电极的第一以及第二电极配置区域、及在其间未配置有电极的非电极配置区域。

公开(公告)号：CN110010705A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811355287.4

申请日：2018-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 东川诚 ,  肥后辉明

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/05

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及具备该光电转换装置的太阳能电池串。光电转换装置(10)包括：配置在半导体基板(1)的背面侧的p型扩散层(11)及n型扩散层(12)，电极(4，5)，以及配线基板(8)。电极(4)配置在p型扩散层(11)上，电极(5)配置在n型扩散层(12)上。配线基板(8)的配线群(82)利用导电性粘接层(7)而连接于电极(4，6)，配线群(83)利用导电性粘接层(7)而连接于电极(5)。而且，光电转换装置(10)具有第一构成与第二构成中的至少一个构成，所述第一构成是多个电极(50)的相邻的电极的至少一组连接于一条配线，所述第二构成是多个电极(40)的相邻的电极的至少一组连接于一条配线。