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公开(公告)号:CN102803549A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201080065486.7
申请日:2010-12-29
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 钱谷嘉高
IPC: C23C14/34 , B65G49/06 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/677 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/67173 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/541 , H01L21/6776 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 薄膜形成装置系统包括:加热室(3),其是处理室之一,配置有用于加热基板(16)的加热装置(20)和使基板(16)与加热装置(20)相对移动的基板传送装置(12A);ZnO溅射室(4),其是处理室之一,配置有用于在加热了的基板(16)上形成薄膜的溅射装置(26);控制装置(22),其用于操作基板传送装置(12A)。基板传送装置(12A)被控制装置(22)控制为在不能从加热室(3)传送基板(16)时,使加热室(3)内的基板(16)与加热装置(20)继续相对移动。通过该构成,能够防止基板的变形和热裂。
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公开(公告)号:CN108028291A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680053329.1
申请日:2016-08-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0747
Abstract: 光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此,可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。
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公开(公告)号:CN108028291B
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201680053329.1
申请日:2016-08-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0747
Abstract: 光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此,可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。
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公开(公告)号:CN107924957A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680049532.1
申请日:2016-09-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳能电池,具有:第一导电型或是第二导电型的半导体基板(1)、半导体基板(1)上的非晶硅膜(6、7)、及非晶硅膜(6、7)上的电极(8、9)。非晶硅膜(6、7)的电极(8、9)侧的区域与电极(8、9)含有银及银以外的金属。
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