光电转换元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN108028291A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201680053329.1

    申请日:2016-08-18

    Abstract: 光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此,可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

    光电转换元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN108028291B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201680053329.1

    申请日:2016-08-18

    Abstract: 光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此,可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

Patent Agency Ranking