公开(公告)号：CN102803549A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080065486.7

申请日：2010-12-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 钱谷嘉高

IPC: C23C14/34 ,  B65G49/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/677 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/67173 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/541 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 薄膜形成装置系统包括：加热室（3），其是处理室之一，配置有用于加热基板（16）的加热装置（20）和使基板（16）与加热装置（20）相对移动的基板传送装置（12A）；ZnO溅射室（4），其是处理室之一，配置有用于在加热了的基板（16）上形成薄膜的溅射装置（26）；控制装置（22），其用于操作基板传送装置（12A）。基板传送装置（12A）被控制装置（22）控制为在不能从加热室（3）传送基板（16）时，使加热室（3）内的基板（16）与加热装置（20）继续相对移动。通过该构成，能够防止基板的变形和热裂。

公开(公告)号：CN108028291A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053329.1

申请日：2016-08-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森健史 ,  松本雄太 ,  钱谷嘉高

IPC: H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此，可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

公开(公告)号：CN108028291B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201680053329.1

申请日：2016-08-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森健史 ,  松本雄太 ,  钱谷嘉高

IPC: H01L31/0747

Abstract: 光电转换元件(1)具有设在第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间的斥液层(16)。斥液层(16)并未设在除第一非晶质半导体层(13)的缘部与第二非晶质半导体层(15)的缘部之间以外的第一非晶质半导体层(13)与第二非晶质半导体层(15)之间。因此，可提供半导体层(13)被高精度地图案化的光电转换元件(1)。

公开(公告)号：CN107924957A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680049532.1

申请日：2016-09-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宋怡潇 ,  钱谷嘉高 ,  小林正道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种太阳能电池,具有:第一导电型或是第二导电型的半导体基板(1)、半导体基板(1)上的非晶硅膜(6、7)、及非晶硅膜(6、7)上的电极(8、9)。非晶硅膜(6、7)的电极(8、9)侧的区域与电极(8、9)含有银及银以外的金属。