公开(公告)号：CN1461359A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN01815940.0

申请日：2001-08-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 胡间修二 ,  佃至弘 ,  矢野光三郎 ,  谷口浩

IPC: C30B19/12 ,  C01B33/02 ,  H01L21/208 ,  H01L31/04

CPC classification number: C30B19/00 ,  C30B19/08 ,  C30B19/12 ,  C30B29/06 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 通常，晶体薄膜生长时，为控制生长面温度通常需要改变冷却能力，在水冷却的情况下难以大幅度地变化冷却水的流量。而在气冷的情况下大幅变化冷却气的流量，系统需要更大规模，制造成本高。根据本发明，彻底解决了上述问题，并且可以容易地进行生长晶体薄板的表面的温度控制，从而可以低成本生产晶体薄板。具体地，将由至少两层构成、其中一层由热导率与另一层的热导率不同的材料制成的多层结构基体与可以形成含有金属材料或半导体材料的至少一种的晶体的物质的熔融液接触，并控制基体温度，从而在基体上生长可以形成晶体的物质的晶体，由此得到晶体薄板。

公开(公告)号：CN1296527C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN01815940.0

申请日：2001-08-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 胡间修二 ,  佃至弘 ,  矢野光三郎 ,  谷口浩

IPC: C30B19/12 ,  C01B33/02 ,  H01L21/208 ,  H01L31/04

CPC classification number: C30B19/00 ,  C30B19/08 ,  C30B19/12 ,  C30B29/06 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 通常，晶体薄膜生长时，为控制生长面温度通常需要改变冷却能力，在水冷却的情况下难以大幅度地变化冷却水的流量。而在气冷的情况下大幅变化冷却气的流量，系统需要更大规模，制造成本高。根据本发明，彻底解决了上述问题，并且可以容易地进行生长晶体薄板的表面的温度控制，从而可以低成本生产晶体薄板。具体地，将由至少两层构成、其中一层由热导率与另一层的热导率不同的材料制成的多层结构基体与可以形成含有金属材料或半导体材料的至少一种的晶体的物质的熔融液接触，并控制基体温度，从而在基体上生长可以形成晶体的物质的晶体，由此得到晶体薄板。