公开(公告)号：CN110480161A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910598852.8

申请日：2019-07-04

Applicant: 大族激光科技产业集团股份有限公司

Inventor： 黄嘉迈 ,  卢庆光 ,  陈红 ,  冯雷 ,  卢建刚 ,  张红江 ,  高云峰

IPC: B23K26/14 ,  B23K26/38 ,  B23K26/70 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明主要公开了一种晶片切割方法和装置。方法如下：提供待切割处理的晶片，所述晶片包括衬底和层叠结合于所述衬底一表面PN层；沿所述衬底层至所述PN层的方向，对所述衬底层表面进行激光切割处理切割深度为穿透所述衬底层但不达到所述PN层；对所述晶片的PN层与所述衬底层相对的表面进行机械切割处理，并使得机械切割处理的切割道与所述激光切割处理的切割道对应，直至将所述晶片切割断。本发明所述的晶片切割方法，背面采用激光切割提升效率，正面采用机械切割避免激光切割的高温破坏PN层，兼顾了效率和良率；另一方面采用激光切割可以有效降低背崩率，提高晶片的良率的同时还能减少机械加工的刀具的损耗。