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公开(公告)号:CN1748264A
公开(公告)日:2006-03-15
申请号:CN200480003650.6
申请日:2004-02-03
申请人: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
CPC分类号: H01L21/31691 , C01G35/00 , C01G35/006 , C01P2006/42 , C23C14/088
摘要: 本发明目的在于降低Sr2(Ta1-xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。本发明是一种铁电膜的制造方法,具有膜形成工序和加热工序,在膜形成工序中,在处理室的至少目标物周边的内侧表面由与目标物同样的构成材质形成的处理室中,使等离子体中的离子冲击目标物,并使通过该冲击而产生的目标原子沉积在衬底上,从而形成铁电膜;在加热工序中,加热所述铁电膜并进行氧化。
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公开(公告)号:CN101215684B
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:CN200710198636.1
申请日:2004-02-03
申请人: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/314 , H01L21/316
CPC分类号: H01L21/31691 , C01G35/00 , C01G35/006 , C01P2006/42 , C23C14/088
摘要: 本发明提供一种铁电膜的制造装置,其中,在容纳被处理体的处理室中,使等离子体中的离子冲击目标物,并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上,从而在被处理体上形成铁电膜;所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。本发明目的在于降低Sr2(Ta1-xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。
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公开(公告)号:CN100483566C
公开(公告)日:2009-04-29
申请号:CN200480003650.6
申请日:2004-02-03
申请人: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
CPC分类号: H01L21/31691 , C01G35/00 , C01G35/006 , C01P2006/42 , C23C14/088
摘要: 本发明目的在于降低Sr2(Ta1-xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。本发明是一种铁电膜的制造方法,具有膜形成工序和加热工序,在膜形成工序中,在处理室的至少目标物周边的内侧表面由与目标物同样的构成材质形成的处理室中,使等离子体中的离子冲击目标物,并使通过该冲击而产生的目标原子沉积在衬底上,从而形成铁电膜;在加热工序中,加热所述铁电膜并进行氧化。
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公开(公告)号:CN101215684A
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200710198636.1
申请日:2004-02-03
申请人: 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/314 , H01L21/316
CPC分类号: H01L21/31691 , C01G35/00 , C01G35/006 , C01P2006/42 , C23C14/088
摘要: 本发明提供一种铁电膜的制造装置,其中,在容纳被处理体的处理室中,使等离子体中的离子冲击目标物,并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上,从而在被处理体上形成铁电膜;所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。本发明目的在于降低Sr2(Ta1-xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。
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