公开(公告)号：CN101215684B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200710198636.1

申请日：2004-02-03

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  高桥一郎 ,  山田敦彦 ,  樱井弘之

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/31691 ,  C01G35/00 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/42 ,  C23C14/088

摘要： 本发明提供一种铁电膜的制造装置，其中，在容纳被处理体的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上，从而在被处理体上形成铁电膜；所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。本发明目的在于降低Sr2(Ta1-xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。

公开(公告)号：CN1938447B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200580009990.4

申请日：2005-03-29

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  松冈孝明

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C16/448 ,  H05B33/10 ,  H05B33/28

CPC分类号： C23C14/541 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/243 ,  C23C14/564 ,  F28D2021/0077 ,  F28F9/026 ,  F28F13/08

摘要： 以提供成膜速度快，使均匀成膜成为可能，能够节省原料的成膜装置和成膜方法为目的，使蒸发的成膜材料通过输运气体的气体流动到达基板表面，可以通过气体的气体流动控制成膜条件，能够将均匀的膜堆积在大面积的基板上。即、通过将气化的原料引导向基板而提高成膜速度，可以均匀成膜。

公开(公告)号：CN100492600C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200480032469.8

申请日：2004-11-02

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  野泽俊久 ,  森田治 ,  汤浅珠树 ,  小谷光司

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

摘要： 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。

公开(公告)号：CN100483566C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200480003650.6

申请日：2004-02-03

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  高桥一郎 ,  山田敦彦 ,  樱井弘之

IPC分类号： H01B3/12 ,  H01B19/00 ,  H01L21/316 ,  H01L27/10 ,  C23C14/06 ,  C01G35/00

CPC分类号： H01L21/31691 ,  C01G35/00 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/42 ,  C23C14/088

摘要： 本发明目的在于降低Sr2(Ta1-xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。本发明是一种铁电膜的制造方法，具有膜形成工序和加热工序，在膜形成工序中，在处理室的至少目标物周边的内侧表面由与目标物同样的构成材质形成的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而产生的目标原子沉积在衬底上，从而形成铁电膜；在加热工序中，加热所述铁电膜并进行氧化。

公开(公告)号：CN101215684A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200710198636.1

申请日：2004-02-03

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  高桥一郎 ,  山田敦彦 ,  樱井弘之

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/31691 ,  C01G35/00 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/42 ,  C23C14/088

摘要： 本发明提供一种铁电膜的制造装置，其中，在容纳被处理体的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上，从而在被处理体上形成铁电膜；所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。本发明目的在于降低Sr2(Ta1－xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。

公开(公告)号：CN1757099A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200480006010.0

申请日：2004-03-04

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/68

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173

摘要： 本发明的目的在于完全除去由于清洗而附着在衬底上的水分，并将该衬底在除去水分的状态下输送至成膜装置中。本发明是一种衬底处理系统(1)，其包括：清洗装置(3)，使用清洗液清洗衬底；水分去除装置(4)，除去在所述清洗装置(3)中清洗的衬底上附着的水分；以及输送部(7)，用于将在所述水分去除装置(4)中除去水分的衬底经过干燥气氛内输送至衬底的其他处理装置中。

公开(公告)号：CN1739072A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200480002284.2

申请日：2004-01-16

申请人： 株式会社富士金 ,  东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  杉山一彦 ,  水泽兼悦 ,  高桥荣治 ,  宇野富雄 ,  西野功二 ,  土肥亮介 ,  池田信一 ,  永濑正明

IPC分类号： G05D7/06

CPC分类号： H01L21/67023 ,  G05D7/0635 ,  Y10T137/6416 ,  Y10T137/6606 ,  Y10T137/7761

摘要： 本发明使得能够使用压力式流量控制装置，在3～300SCCM左右的流量范围内，对供给真空腔室等的HF气体等簇化流体高精度地进行流量控制。具体地说，使用压力式流量控制装置的簇化流体的流量控制方法是下述方法，即在节流孔上游侧的气体的压力P1与节流孔下游侧的气体的压力P2之比P2/P1保持在气体的临界压力比以下的状态下，在节流孔中流通的气体的流量Q按照Q＝KP1(其中，K为常数)进行运算，其中，将前述压力式流量控制装置加温到40℃以上，或者向簇化流体中添加稀释气体使之达到分压以下，从而使得缔合的分子离解，之后使得变成了单分子状态的簇化流体通过所述节流孔流通。

公开(公告)号：CN1502121A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN02807489.0

申请日：2002-03-28

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  B01J19/08 ,  C23C16/511 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32339

摘要： 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。

公开(公告)号：CN1460285A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800918.5

申请日：2002-03-28

申请人： 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC分类号： H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

摘要： 一种微波等离子体处理装置，为了使阻抗变化缓和，通过在微波供给波导管和微波天线之间设置锥面或具有中间介电常数的部件，可抑制微波供给波导管与微波天线的连接部中的反射波的形成，提高供电效率，抑制放电，在等离子体处理装置中稳定形成等离子体。

公开(公告)号：CN1127004C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN99800002.7

申请日：1999-01-11

申请人： 株式会社富士金 ,  大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 大见忠弘 ,  加贺爪哲 ,  杉山一彦 ,  土肥亮介 ,  皆见幸男 ,  西野功二 ,  川田幸司 ,  池田信一 ,  山路道雄

IPC分类号： G05D7/06

CPC分类号： G05D7/0635 ,  Y10T137/7759 ,  Y10T137/7761

摘要： 一种供如半导体制造设备中气体供给系统用的流体供给设备，它使得有可能在开始供给流体或流体转换时高精度控制流体流速而不产生流体的瞬时过冲现象。本发明的流体供给设备包括：压力流量控制器，用来调节流体的流率；流体转换阀，用来打开和关闭压力流量控制器次级侧的流体通道；以及流体供给控制单元，用来控制压力流量控制器和流体转换阀的操作；压力流量控制器包括：注流孔5；设置在注流孔5上游侧的控制阀1；设置在控制阀1和注流孔5之间的压力检测器3；以及计算控制单元6，它把流率信号Qc和流率指定信号Qs之间的差值作为控制信号Qy输入到控制阀1的驱动器2，流率信号Qc是利用流率Qc＝KP1(K＝常数)、根据由压力检测器3检测到的压力P1计算的；其中，通过借助打开和关闭控制阀1来调节注流孔上游侧的压力P1而控制注流孔5下游侧的流率。