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公开(公告)号：CN104393095B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410499976.8
申请日：2014-09-25
Applicant: 锦州华昌光伏科技有限公司 , 大连理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型硅太阳电池、其制备方法及铝蒸发扩散装置，n型硅太阳电池的制备方法包括以下步骤，通过热蒸发的方法在硅片上沉积铝薄膜，或借助扩散掩模，在硅片表面进行选择性沉积，然后加热硅片实现铝扩散形成pn结，制备n型硅太阳电池。本发明还公开了一种用于制备n型硅太阳电池的铝蒸发扩散装置，该装置结构简单、合理、紧凑，该装置设计有扩散盂和硅片阵列承载架，采用该装置可以一次在一个或多个硅片上沉积铝薄膜。本发明利用铝热蒸发池的扩散工艺可在较低温度下进行铝扩散，避免了传统n型硅太阳电池工艺中高温硼扩散对硅片造成的损伤，以及利用铝浆丝网印刷方法带来的杂质污染，适合于太阳电池工业批量生产。
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公开(公告)号：CN105957921B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610458282.9
申请日：2016-06-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种利用印刷技术制备N型硅IBC太阳电池的方法，包括以下步骤：硅片双面制绒；硅片单面磷扩散；采用湿法刻蚀去除前表面PSG并且抛光背面；硅片前表面沉积氮化硅膜；硅片p+定义区域印刷铝浆并且烘干烧结；去除背面的铝浆，并且减薄Si‑Al合金层；去除硅正面的氮化硅膜，硅片背面n+掺杂区域制备；双面热氧化；硅片正面沉积氮化硅膜，背面印刷互相交错的银浆、铝浆并且一次烧结。本发明利用印刷技术制备N型硅IBC太阳电池的方法步骤简单、科学，生产成本低廉，工艺可靠性强，能够利用传统的太阳电池生产线简单升级来完成电池制备，能实现N型硅IBC太阳电池的批量化生产。
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公开(公告)号：CN105591032A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610076596.2
申请日：2016-02-03
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/44 , H01L51/0032 , H01L51/42 , H01L51/447 , H01L2251/301
Abstract: 本发明公开一种钙钛矿光吸收复合层的制备方法。该复合层是将具有不同带宽的钙钛矿单层，按吸收带隙宽度逐层增大的顺序的自下而上逐层沉积而形成的一个光吸收复合层。由于该复合层在很宽的光谱范围内对光子有较强的光子收集能力，含有这种复合层的钙钛矿太阳电池的转换效率会得到明显的提高。本发明还公开了一种具有光吸收复合层的钙钛矿太阳电池的结构及其制作方法。该电池结构自下而上包括：(1)导电玻璃、(2)电子传输层、(3)钙钛矿光吸收复合层、(4)空穴传输层和(5)顶部导电层。该电池的制备方法简易，成本低。避免了传统叠层电池需要增加子电池带来的工艺复杂、造价昂贵的弊端，因此适合于太阳电池工业批量生产。
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公开(公告)号：CN100494488C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610134141.8
申请日：2006-10-31
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C16/513
Abstract: 本发明公开了一种以介质阻挡放电方式产生等离子体的等离子体热丝化学气相沉积的方法与装置。本发明的特征是利用金属网强制提供的零等位面作为介质阻挡放电的零电位电极，热丝位于金属网的另一侧，从而实现了等离子体区与热丝区的分离。处于热丝下方的衬底远离等离子体区，避免了高能离子的轰击。与直流、射频与微波等离子体相比，介质阻挡放电还具有装置简单，造价低，能耗小等优点。因此本方法与装置能在大幅度提高薄膜沉积速率的同时，有效地提高薄膜质量。本发明可适用于多晶/非晶Si、SiC、金刚石、纳米金刚石及C纳米管的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1948551A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610134141.8
申请日：2006-10-31
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C16/513
Abstract: 本发明公开了一种以介质阻挡放电方式产生等离子体的等离子体热丝化学气相沉积的方法与装置。本发明的特征是利用金属网强制提供的零等位面作为介质阻挡放电的零电位电极，热丝位于金属网的另一侧，从而实现了等离子体区与热丝区的分离。处于热丝下方的衬底远离等离子体区，避免了高能离子的轰击。与直流、射频与微波等离子体相比，介质阻挡放电还具有装置简单，造价低，能耗小等优点。因此本方法与装置能在大幅度提高薄膜沉积速率的同时，有效地提高薄膜质量。本发明可适用于多晶/非晶Si、SiC、金刚石、纳米金刚石及C纳米管的制备。
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公开(公告)号：CN108538958A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810235531.7
申请日：2018-03-21
Applicant: 锦州华昌光伏科技有限公司 , 大连理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种N型IBC电池及其制备方法，所述N型IBC电池的制备方法包括如下步骤：硅片双面抛光；硅片抛光面进行单面硼扩散，并用HF酸去除硼硅玻璃；前表面制绒；硅片前表面使用扩散炉进行磷扩散；用PECVD设备在硅片两面镀氮化硅；在硅片背表面使用激光开孔；碱液腐蚀背表面开孔区，再用氢氟酸清洗掉氮化硅；在背表面印刷磷浆，并高温驱入，后清洗；在硅片正表面和背表面均生长二氧化硅和氮化硅进行钝化；硅片背面印刷银电极和银铝浆，进行一次烧结。本发明利用简单的设备及工艺就能实现IBC电池结构的制备，利用激光设备和丝网印刷来制备IBC电池的主要结构，工艺步骤简单，成本低廉，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN106410039A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610970729.0
申请日：2016-11-07
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/48 , H01L31/0687 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4206 , H01L31/0687 , H01L31/1804 , H01L51/0077
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿叠层太阳电池及其制备方法。该电池结构自上而下包括：(1)含有多重光吸收层的钙钛矿电池，(2)全背接触式电池。顶层钙钛矿电池结构包括导电玻璃、电子传输层、钙钛矿多重光吸收层、空穴传输层和和顶部导电层。底层全背接触底层电池结构包括：减反钝化层、磷扩散前场、背表面钝化层、p+扩散区域、n++重掺杂区域、p+扩散区域电极、n++重掺杂区域电极。该电池的制备方法简易，成本低，能量转换效率高。由于顶层的含有多重吸收层的钙钛矿电池比普通钙钛矿电池对光的吸收能力强，全背接触底层电池前表面无栅线遮挡，两者叠加能达到在很宽的光谱范围内达到对光子更大的收集能力，使其转换效率明显增高。
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公开(公告)号：CN108538958B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810235531.7
申请日：2018-03-21
Applicant: 锦州阳光能源有限公司 , 大连理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种N型IBC电池及其制备方法，所述N型IBC电池的制备方法包括如下步骤：硅片双面抛光；硅片抛光面进行单面硼扩散，并用HF酸去除硼硅玻璃；前表面制绒；硅片前表面使用扩散炉进行磷扩散；用PECVD设备在硅片两面镀氮化硅；在硅片背表面使用激光开孔；碱液腐蚀背表面开孔区，再用氢氟酸清洗掉氮化硅；在背表面印刷磷浆，并高温驱入，后清洗；在硅片正表面和背表面均生长二氧化硅和氮化硅进行钝化；硅片背面印刷银电极和银铝浆，进行一次烧结。本发明利用简单的设备及工艺就能实现IBC电池结构的制备，利用激光设备和丝网印刷来制备IBC电池的主要结构，工艺步骤简单，成本低廉，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN105957921A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610458282.9
申请日：2016-06-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/022458
Abstract: 本发明提供一种利用印刷技术制备N型硅IBC太阳电池的方法，包括以下步骤：硅片双面制绒；硅片单面磷扩散；采用湿法刻蚀去除前表面PSG并且抛光背面；硅片前表面沉积氮化硅膜；硅片p+定义区域印刷铝浆并且烘干烧结；去除背面的铝浆，并且减薄Si‑Al合金层；去除硅正面的氮化硅膜，硅片背面n+掺杂区域制备；双面热氧化；硅片正面沉积氮化硅膜，背面印刷互相交错的银浆、铝浆并且一次烧结。本发明利用印刷技术制备N型硅IBC太阳电池的方法步骤简单、科学，生产成本低廉，工艺可靠性强，能够利用传统的太阳电池生产线简单升级来完成电池制备，能实现N型硅IBC太阳电池的批量化生产。
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