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公开(公告)号：CN103346073A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310293452.9
申请日：2013-07-13
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下进行后续退火处理，进一步通过微机械剥离得到β－碳化硅薄膜。本发明提供了一种在石墨衬底上制备碳化硅薄膜的新方法，即在高导电导热的石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，减少了薄膜内部的晶格缺陷，大大提高了薄膜晶体质量，从而进一步提高碳化硅基电子（光电子）高功率器件的散热性能和使用寿命，通过微机械剥离等手段非常容易实现碳化硅薄膜材料与石墨衬底的剥离，且本发明工艺简单易行、成本低廉。
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公开(公告)号：CN117990239A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311797099.8
申请日：2023-12-26
Applicant: 大连理工大学 , 沈阳仪表科学研究院有限公司
IPC: G01L1/14 , A61B5/02 , A61B5/00 , C08G75/045
Abstract: 一种具备监测各种生理特征功能的离子凝胶压力传感器件及其制备方法，属于压力传感器领域，所述制备方法包括如下步骤：步骤1.将二乙烯苯与四(3‑巯基丙酸)季戊四醇酯(PETMP)在室温下加入到甲醇和四氢呋喃中混合成溶液；步骤2.在溶液中加入一定量的聚离子液体与安息香二甲醚；步骤3.采用紫外光照的方法对凝胶溶液进行处理；步骤4.将模具里凝固好的凝胶脱模；步骤5.将不规整的凝胶边框裁剪整齐；步骤6.将离子凝胶进行封装。该压力传感器件在不同压力下表现出良好的灵敏度与相应时间，并且该元件可以很好地用于脉搏，吞咽等动作的检测。
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公开(公告)号：CN115207207B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211113640.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 深圳市柯雷科技开发有限公司 , 大连理工大学
IPC: H10N35/01 , H10N35/85 , H10N39/00 , H01L29/20 , H01L29/205 , G01L9/16 , G01L9/04 , G01L9/00 , G01L1/22 , G01L1/12
Abstract: 氮化物和磁致伸缩材料复合结构压力传感器制作方法，属于半导体传感器领域。技术方案：S1、衬底准备；S2、外延生长；S3、台面隔离；S4、栅极刻蚀；S5、源、漏极欧姆接触制作；S6、介质层沉积；S7、制备栅电极；S8、钝化层沉积与开启电极窗口。有益效果：本发明所述的基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器制作方法能制作出压力灵敏度高，体积小、集成度高、量程大、响应速度快的高灵敏度压力传感器，继而还可以制作传感器阵列，实现二维或者三维压力传感，未来有望应用于医疗血压、石化、工业电子称重、江河水位监测等领域。
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公开(公告)号：CN103346073B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310293452.9
申请日：2013-07-13
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下进行后续退火处理，进一步通过微机械剥离得到β－碳化硅薄膜。本发明提供了一种在石墨衬底上制备碳化硅薄膜的新方法，即在高导电导热的石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，减少了薄膜内部的晶格缺陷，大大提高了薄膜晶体质量，从而进一步提高碳化硅基电子（光电子）高功率器件的散热性能和使用寿命，通过微机械剥离等手段非常容易实现碳化硅薄膜材料与石墨衬底的剥离，且本发明工艺简单易行、成本低廉。
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公开(公告)号：CN117982128A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311797102.6
申请日：2023-12-26
Applicant: 沈阳仪表科学研究院有限公司 , 大连理工大学
IPC: A61B5/08 , A61B5/00 , G01N27/12 , C08G75/045
Abstract: 一种具备自供电湿度传感功能的离子凝胶传感器件及其制备方法，属于湿度传感器领域，包括如下步骤：步骤1.将二乙烯苯与四(3‑巯基丙酸)季戊四醇酯(PETMP)在室温下加入到甲醇和四氢呋喃中混合成溶液；步骤2.在溶液中加入一定量的聚离子液体与安息香二甲醚；步骤3.将适量溶液滴在叉指电极上；步骤4.采用紫外光照的方法对叉指电极上的凝胶溶液进行处理；步骤5.完成后进行封装保存。该压力传感器件在不同湿度下表现出良好的灵敏度，同时具备自供电能力，并且该元件可以很好地用于呼吸等动作的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115207207A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211113640.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 深圳市柯雷科技开发有限公司 , 大连理工大学
IPC: H01L41/47 , H01L41/20 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L27/20 , G01L9/16 , G01L9/04 , G01L9/00 , G01L1/22 , G01L1/12
Abstract: 氮化物和磁致伸缩材料复合结构压力传感器制作方法，属于半导体传感器领域。技术方案：S1、衬底准备；S2、外延生长；S3、台面隔离；S4、栅极刻蚀；S5、源、漏极欧姆接触制作；S6、介质层沉积；S7、制备栅电极；S8、钝化层沉积与开启电极窗口。有益效果：本发明所述的基于复合氮化物和磁致伸缩材料结构的高灵敏度压力传感器制作方法能制作出压力灵敏度高，体积小、集成度高、量程大、响应速度快的高灵敏度压力传感器，继而还可以制作传感器阵列，实现二维或者三维压力传感，未来有望应用于医疗血压、石化、工业电子称重、江河水位监测等领域。
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公开(公告)号：CN115128133B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210600355.9
申请日：2022-05-30
Applicant: 大连理工大学 , 沈阳仪表科学研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种可视化湿敏元件及其制备方法，属于湿度传感器领域。所述制备方法包括如下步骤：步骤一：利用混合溶剂，配置酚酞和不同碱源的混合溶液；步骤二：将含有巯基的笼状单体以及含有烯键的单体作为骨架材料，加入溶剂和步骤一中配置好的均一溶液；步骤三：在光催化剂的作用下，步骤二中得到的均一溶液，通过紫外光的照射进行光聚合反应；步骤四：通过步骤三的聚合反应得到的凝胶状固体至于真空烘箱中进行溶剂的挥发；步骤五：对步骤四中得到的无溶剂固体进行研磨，即得到具有湿度指示功能的聚电解质湿敏材料。该湿敏材料兼具光学和电学双模信号输出，可以适用于不同要求的应用场景。
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公开(公告)号：CN116828973A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211557296.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。在衬底上依次生长缓冲层、GaN层、AlGaN层，AlGaN层上方设有下电极，AlGaN层上方还设有器件区域或者器件区域阵列，器件区域或者器件区域阵列中，由上至下依次设置上电极、缓冲层和功能层，上电极位于AlGaN层上方，缓冲层和功能层设置于AlGaN层中。有益效果：本发明将忆阻器件与HEMT结构融合，利用二维电子气进行导电；可以对器件的侧壁进行保护，对刻蚀工艺的要求较低，四种实现方法可对中间功能层以及缓冲层进行调整，器件制备灵活性较高，缓冲层提供了氧空位以及和电极的欧姆接触，大大增加了器件的可调控性；本结构为未来忆阻器神经网络与功率器件、开关器件的集成提供了一种前瞻性方案。
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公开(公告)号：CN100494488C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610134141.8
申请日：2006-10-31
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C16/513
Abstract: 本发明公开了一种以介质阻挡放电方式产生等离子体的等离子体热丝化学气相沉积的方法与装置。本发明的特征是利用金属网强制提供的零等位面作为介质阻挡放电的零电位电极，热丝位于金属网的另一侧，从而实现了等离子体区与热丝区的分离。处于热丝下方的衬底远离等离子体区，避免了高能离子的轰击。与直流、射频与微波等离子体相比，介质阻挡放电还具有装置简单，造价低，能耗小等优点。因此本方法与装置能在大幅度提高薄膜沉积速率的同时，有效地提高薄膜质量。本发明可适用于多晶/非晶Si、SiC、金刚石、纳米金刚石及C纳米管的制备。
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公开(公告)号：CN1948551A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610134141.8
申请日：2006-10-31
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C16/513
Abstract: 本发明公开了一种以介质阻挡放电方式产生等离子体的等离子体热丝化学气相沉积的方法与装置。本发明的特征是利用金属网强制提供的零等位面作为介质阻挡放电的零电位电极，热丝位于金属网的另一侧，从而实现了等离子体区与热丝区的分离。处于热丝下方的衬底远离等离子体区，避免了高能离子的轰击。与直流、射频与微波等离子体相比，介质阻挡放电还具有装置简单，造价低，能耗小等优点。因此本方法与装置能在大幅度提高薄膜沉积速率的同时，有效地提高薄膜质量。本发明可适用于多晶/非晶Si、SiC、金刚石、纳米金刚石及C纳米管的制备。
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