公开(公告)号：CN115625627B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202211400990.9

申请日：2022-11-09

申请人： 大连理工大学

发明人： 康仁科 ,  董志刚 ,  赵杨 ,  张高振 ,  朱祥龙

IPC分类号： B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02 ,  B24B27/02 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  B24B1/00 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供一种基于真空导电吸盘的SiC晶片光电化学机械抛光装置及方法，包括：工作台、工作主轴单元、晶片、抛光盘单元、十字滑台单元、晶片装卸单元及抛光液槽。晶片装卸单元、十字滑台单元和工作主轴单元分别固定安装在工作台上；所述抛光盘单元固定安装在十字滑台单元上，十字滑台实现抛光盘的空间位置调节。采用真空导电吸盘直接吸附晶片固定并对晶片传递阳极偏压，阳极偏压分离紫外光源激发SiC晶片产生的电子‑空穴对，SiC晶片表面氧化，抛光盘机械去除，依次往复。通过晶片翻转单元，无需手动拆卸，晶片可直接正反面加工，节约加工前后晶片安装固定时间。本发明自动化程度高，操作简单，工艺参数可调，SiC晶片的材料去除率高，表面质量好。

公开(公告)号：CN115415857A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211118499.7

申请日：2022-09-14

申请人： 大连理工大学

发明人： 康仁科 ,  朱祥龙 ,  张高振 ,  董志刚 ,  鲍岩

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B29/02 ,  B24B7/22 ,  B24B49/10 ,  B24B41/06 ,  H01L21/306

摘要： 本发明公开了一种光电化学机械抛光装置及材料高效去除调整方法，所述装置包括底座、工作台、水槽、龙门单元、抛光盘单元、工作主轴单元。本发明通过采用电化学工作站进行晶片抛光过程中电压施加与电流测量，调节监控晶片的氧化速率并配合比例阀和气缸，在工控机的控制下调节晶片的抛光压力，构成一个闭环控制系统，可以实现压力的精准调节以及晶片化学氧化速度与机械去除速度协调控制，能够通过调节电场电压实现晶片氧化速率最大，再调节加载压力使机械去除速率与氧化速率匹配，进而提高晶片的材料去除率，此外，本发明的装置左右布置两套工作主轴单元，能有效减小一套工作主轴单元带来的倾覆力矩，进而提高晶片表面质量。

公开(公告)号：CN115415857B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202211118499.7

申请日：2022-09-14

申请人： 大连理工大学

发明人： 康仁科 ,  朱祥龙 ,  张高振 ,  董志刚 ,  鲍岩

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B29/02 ,  B24B7/22 ,  B24B49/10 ,  B24B41/06 ,  H01L21/306

摘要： 本发明公开了一种光电化学机械抛光装置及材料高效去除调整方法，所述装置包括底座、工作台、水槽、龙门单元、抛光盘单元、工作主轴单元。本发明通过采用电化学工作站进行晶片抛光过程中电压施加与电流测量，调节监控晶片的氧化速率并配合比例阀和气缸，在工控机的控制下调节晶片的抛光压力，构成一个闭环控制系统，可以实现压力的精准调节以及晶片化学氧化速度与机械去除速度协调控制，能够通过调节电场电压实现晶片氧化速率最大，再调节加载压力使机械去除速率与氧化速率匹配，进而提高晶片的材料去除率，此外，本发明的装置左右布置两套工作主轴单元，能有效减小一套工作主轴单元带来的倾覆力矩，进而提高晶片表面质量。

公开(公告)号：CN112405342A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011065705.3

申请日：2020-09-30

申请人： 大连理工大学

发明人： 朱祥龙 ,  康仁科 ,  姚卫华 ,  董志刚 ,  张高振 ,  郭晓光

IPC分类号： B24B41/02 ,  B24B47/00 ,  B24B49/00

摘要： 本发明公开了一种工作台倾角调整装置及其调整方法，所述的装置包括工作台、床身、支撑机构和控制器；所述工作台通过三个支撑机构与床身连接，三个支撑机构沿工作台下法兰圆周均布；所述三个支撑机构包括一个可旋转支撑机构和两个可升降支撑机构。本发明通过采用外部驱动器、角度传感器、控制器与工作台倾角调整装置的机械结构部分相互配合的设计，其中位移传递构件可以将丝杠输出的位移缩小一定倍数，进一步提高调整装置的位移分辨率，角度传感器将外部驱动器已转动角度反馈给所述控制器，由控制器判断所述可升降支撑机构是否超调，可以提高所述工作台倾角调整装置的安全性。进而提高了半导体片的面形精度，继而提高了加工工件的合格率。

公开(公告)号：CN115625627A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211400990.9

申请日：2022-11-09

申请人： 大连理工大学

发明人： 康仁科 ,  董志刚 ,  赵杨 ,  张高振 ,  朱祥龙

IPC分类号： B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02 ,  B24B27/02 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  B24B1/00 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供一种基于真空导电吸盘的SiC晶片光电化学机械抛光装置及方法，包括：工作台、工作主轴单元、晶片、抛光盘单元、十字滑台单元、晶片装卸单元及抛光液槽。晶片装卸单元、十字滑台单元和工作主轴单元分别固定安装在工作台上；所述抛光盘单元固定安装在十字滑台单元上，十字滑台实现抛光盘的空间位置调节。采用真空导电吸盘直接吸附晶片固定并对晶片传递阳极偏压，阳极偏压分离紫外光源激发SiC晶片产生的电子‑空穴对，SiC晶片表面氧化，抛光盘机械去除，依次往复。通过晶片翻转单元，无需手动拆卸，晶片可直接正反面加工，节约加工前后晶片安装固定时间。本发明自动化程度高，操作简单，工艺参数可调，SiC晶片的材料去除率高，表面质量好。