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公开(公告)号：CN113552793A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110841898.5
申请日：2021-07-26
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G04F10/00
摘要： 本发明提供一种自校准的高精度数字时间转换电路。本发明包括：数字模拟转换器DAC、电容阵列、由多个开关组成的开关阵列及反相器；数字模拟转换器DAC连接电容阵列；电容阵列与反相器相连；反相器连接输出端；数字模拟转换器DAC、电容阵列、反相器及接地端分别设有开关；电容阵列，包括固定容值电容cap和可变容值电容cap＿vary；数字模拟转换器DAC根据输入的代表时间延迟的数字控制字对电容阵列进行充电，并将基准电流源的电流变化反馈给可变电容cap＿vary，从而对电容阵列的电容值进行补偿校准；反相器根据补偿校准后的电容阵列的电容值输出时钟信号。解决了现有技术中，基准电流受温度、工艺、电压变化的影响，导致输出时钟信号发生越位偏移的技术问题。
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公开(公告)号：CN115134541A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210699481.4
申请日：2022-06-20
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种同时具有高低增益和对数响应的高动态CMOS图像传感器及时序控制方法和读取方式，属于半导体光电方向图像传感器领域。本发明利用了在不同光强下电荷补偿元件分别工作在截止区和亚阈值区的原理：弱光和强光下电荷补偿元件处于截止区，无导通电流，此时本发明的像素结构与具有高低增益结构的高动态像素技术功能相同，因此在弱光下具有很强的探测能力；在超强光或者长积分时间下电荷补偿元件工作在亚阈值区，利用亚阈值区晶体管电流电压为对数关系的特性实现对过溢光生电荷的补偿，因此可在超高光强下成像。本发明在一次曝光下可以获得多幅相同积分时间的图像，对应弱光、强光和超强光，多幅图像即可合成一幅具有超高动态范围的图像。
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公开(公告)号：CN115913226A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211599463.5
申请日：2022-12-12
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明提供一种低功耗多参考电压的分段电容阵列及切换方法，属于集成电路技术领域。本发明采用多参考电压及增加补偿电容的方式构建分段电容阵列，可以在保证二进制权重的前提下允许桥接电容值为整数倍的单位电容，降低了失配，提高了SAR ADC的线性度；同时多参考电压的引入降低了子电容阵列的切换电压，进而降低了分段电容阵列的动态功耗。本发明采用差分的逻辑量化单端输入信号，可以提高信号抗共模干扰的能力，提高SAR ADC的转换精度；同时这种差分逻辑在量化每一位数字码的过程中只切换一侧的Sub电容阵列，降低了电容阵列的动态功耗。
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公开(公告)号：CN113552793B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110841898.5
申请日：2021-07-26
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G04F10/00
摘要： 本发明提供一种自校准的高精度数字时间转换电路。本发明包括：数字模拟转换器DAC、电容阵列、由多个开关组成的开关阵列及反相器；数字模拟转换器DAC连接电容阵列；电容阵列与反相器相连；反相器连接输出端；数字模拟转换器DAC、电容阵列、反相器及接地端分别设有开关；电容阵列，包括固定容值电容cap和可变容值电容cap＿vary；数字模拟转换器DAC根据输入的代表时间延迟的数字控制字对电容阵列进行充电，并将基准电流源的电流变化反馈给可变电容cap＿vary，从而对电容阵列的电容值进行补偿校准；反相器根据补偿校准后的电容阵列的电容值输出时钟信号。解决了现有技术中，基准电流受温度、工艺、电压变化的影响，导致输出时钟信号发生越位偏移的技术问题。
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