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公开(公告)号:CN112813282B
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202011583199.7
申请日:2020-12-28
申请人: 大连理工大学 , 北京钢研高纳科技股份有限公司
摘要: 本发明提供一种去除高温合金中高密度夹杂物的方法,包括如下步骤:S1、高温合金原材料的预处理;S2、电子束精炼去除高温合金中的高密度夹杂物,得到高纯度的DD406高温合金铸锭。本发明利用电子束精炼过程中的局部大过热环境实现熔体内部小尺寸高密度夹杂物的溶解去除,利用夹杂物与熔体的密度差以及马兰戈尼效应加速大尺寸夹杂物的沉降,进而通过凝壳捕获机制加以去除,从而达到全面去除合金中的高密度夹杂物的目的。
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公开(公告)号:CN112813282A
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN202011583199.7
申请日:2020-12-28
申请人: 大连理工大学 , 北京钢研高纳科技股份有限公司
摘要: 本发明提供一种去除高温合金中高密度夹杂物的方法,包括如下步骤:S1、高温合金原材料的预处理;S2、电子束精炼去除高温合金中的高密度夹杂物,得到高纯度的DD406高温合金铸锭。本发明利用电子束精炼过程中的局部大过热环境实现熔体内部小尺寸高密度夹杂物的溶解去除,利用夹杂物与熔体的密度差以及马兰戈尼效应加速大尺寸夹杂物的沉降,进而通过凝壳捕获机制加以去除,从而达到全面去除合金中的高密度夹杂物的目的。
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公开(公告)号:CN118439165A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410530023.7
申请日:2024-04-29
摘要: 本发明提供一种具有梯度结构的热变形协调连接装置及其制备方法,涉及航天飞行器技术领域,包括W型连接件和S型连接件;蒙皮设置于框梁的外侧,在蒙皮与框梁紧密结合的工况下,具有梯度结构的热变形协调连接装置为W型连接件,W型连接件设置于蒙皮内侧,W型连接件设置于框梁的侧部,W型连接件的一端通过第一螺栓与蒙皮相连,W型连接件的另一端设置于蒙皮与框梁之间并通过第二螺栓与框梁相连;本发明的W型和S型连接件可完成蒙皮与框梁间的热变形协调,缓解热应力集中问题,其中W型针对于蒙皮框梁紧密结合工况,S型针对蒙皮框梁中存在间隙,未紧密贴合工况。并且两种连接件适用于多种不同构型的蒙皮与框梁,不受型号限制,适用范围广。
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公开(公告)号:CN116715538A
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202310712253.0
申请日:2023-06-15
申请人: 大连理工大学
摘要: 本发明提供一种陶瓷基复合材料用抗高温氧化的自愈合环境障涂层及其制备方法。所述涂层为双层结构,从内至外依次包括粘结层和自愈合涂层,所述粘结层制备在碳化硅陶瓷基复合材料的表面,所述自愈合涂层制备在粘结层的表面。所述粘结层的材料为MoSi2或(Mox,W1‑x)Si2;所述自愈合涂层的材料为Re2SiO5‑Si;所述陶瓷基复合材料为碳化硅陶瓷基复合材料。本发明有效的提高了环境障涂层的服役温度,提高了其抗氧化性能,提高了涂层与基体的结合强度,有效的提高了涂层的抗震寿命,有效的提高了环境障涂层的使用寿命。
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公开(公告)号:CN116145061A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202211679047.6
申请日:2022-12-26
摘要: 本发明提供了一种增材制造GH4099大型结构件的多场耦合热处理工艺,涉及增材制造技术领域,包括如下步骤:将增材制造GH4099结构件进行表面清理;将结构件置于炉膛工作室内,使结构件处于固溶状态;将结构件两端连接上脉冲电流;通入电流的同时,停止加热;电流以每5min降低电流强度20A的速度作用于结构件;电流作用一段时间后,关闭脉冲电源,随即将结构件从炉膛工作室取出,使结构件进行空冷,得到处理后结构件。本发明调控强化相在组织中析出行为。最终在脉冲电流和热场的共同作用下,晶界上获得细小非连续的M23C6型碳化物,提高γ基体和γ'相的晶格相干性,改善增材制造GH4099结构件的沉淀相析出局部不均匀,以获得优异的力学性能。
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公开(公告)号:CN115124041A
公开(公告)日:2022-09-30
申请号:CN202210593958.0
申请日:2022-05-27
申请人: 大连理工大学
IPC分类号: C01B33/037
摘要: 本发明属于太阳能废弃组件回收利用领域,具体涉及一种利用太阳能电池废旧玻璃提纯多晶硅废料的方法。所述方法包括以下步骤:(1)获取晶硅废料备用;(2)获得玻璃碎渣;(3)将玻璃碎渣与辅料混匀得到精炼渣;(4)将晶硅废料和精炼渣按照一定质量比放入坩埚中,精炼渣与晶硅废料的质量比为1‑10:1;(5)将盛有晶硅废料和精炼渣的坩埚放入高温炉内,设置高温炉工作温度为1450℃‑1700℃,保温0.5‑5h,进行保温精炼1‑5次,随后分离硅渣两相。本发明的方法可以直接利用玻璃碎渣作为精炼渣主要成分,使用操作方便,大大提高非金属夹杂物的去除率,改善多晶硅品质,本发明方法硅纯度为2N‑6N,其中夹杂物低于1%。
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公开(公告)号:CN112746181B
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202011583235.X
申请日:2020-12-28
申请人: 大连理工大学
摘要: 本发明提供一种电子束精炼细化高温合金中碳化物的方法,包括如下步骤:S1、高温合金原材料的预处理;S2、电子束精炼高温合金铸锭,得到碳化物细小弥散分布的Inconel 718高温合金铸锭。本发明利用电子束精炼过程中的高真空、大过热环境实现合金熔体中杂质的充分去除,通过电子束精炼高温合金过程中对合金熔体进行充分过热处理,并对合金熔体进行快速凝固,在充分去除挥发性杂质及合金内部夹杂物的基础上,有效抑制了合金元素的偏析以及碳化物的形核及生长,从而达到细化高温合金中碳化物的目的。
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公开(公告)号:CN111961897B
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202010963709.7
申请日:2020-09-14
申请人: 大连理工大学
摘要: 本发明提供一种真空感应熔炼‑浇铸‑电子束精炼工艺制备高纯镍基高温合金的方法。本发明方法,包括如下步骤:S1、原材料的预处理;S2、装炉;S3、真空感应熔炼;S4、电子束精炼,得到精炼后的合金。本发明采用真空感应熔炼方法制备高温合金母合金,再使用电子束精炼进一步提纯高温合金,降低偏析程度,充分利用感应熔炼和电子束精炼的优势提高高温合金铸锭的冶金质量,最终实现合金的高纯净制备。
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公开(公告)号:CN112746183B
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202011583260.8
申请日:2020-12-28
申请人: 大连理工大学
IPC分类号: C22B9/22
摘要: 本发明提供一种高温合金中高密度夹杂与低密度夹杂同步去除的方法,包括如下步骤:S1、高温合金原材料的预处理;S2、电子束精炼去除高温合金中的低密度与高密度夹杂物,得到低密度及高密度夹杂物含量极低的DD406高温合金铸锭。本发明采用电子束精炼技术同步去除高温合金中的低密度及高密度夹杂。通过在高真空精炼过程中增加熔体过热实现熔体内部小尺寸低密度与高密度夹杂物的溶解去除,通过高能电子束的轰击作用实现熔体表面大尺寸低密度夹杂物的原位分解去除,通过铸锭底部的凝壳的吸附作用实现大尺寸高密度夹杂物的捕获去除,从而全面去除合金中的低密度及高密度夹杂,进而通过浇铸获得高纯的高温合金锭坯。
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