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公开(公告)号:CN116914011A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202310964618.9
申请日:2023-08-01
申请人: 天合光能股份有限公司
IPC分类号: H01L31/054 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要: 本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法。可以在提高减反射效果的同时,促进硅电池片表面的电子迁移和传输,从而可以提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。一种晶体硅太阳能电池,包括:硅基底层,以及设置于所述硅基底层表面一侧的减反射层,所述减反射层包括多层材料层;沿逐渐远离所述硅基底层的方向,所述多层材料层包括依次层叠的第一材料层和第二材料层;其中,所述第二材料层的折射率小于所述第一材料层的折射率,且所述第一材料层的材料包括:TiO2和掺杂离子,所述第二材料层的材料包括:氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种,所述掺杂离子包括:碱金属和/或碱土金属离子。
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公开(公告)号:CN116613241A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310399487.4
申请日:2023-04-13
申请人: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/054 , H01L31/0216 , C23C16/34 , C23C16/30 , C23C16/50
摘要: 本发明涉及一种减反射膜的制作方法及太阳能电池。减反射膜的制作方法包括:利用硅烷和氨气作为反应气体,在基底上形成第一氮化硅层;利用硅烷和氨气作为反应气体,在第一氮化硅层背离基底的一侧表面形成第二氮化硅层;利用硅烷、氨气和笑气作为反应气体,在第二氮化硅层背离第一氮化硅层的一侧表面形成氮氧化硅层;其中,在形成第一氮化硅层的步骤中,硅烷和氨气的流量比为1:5~1:3;在形成第二氮化硅层的步骤中,硅烷和氨气的流量比为1:9~1:7;在形成氮氧化硅层的步骤中,硅烷和氨气的流量比为1:5~1:3。本发明中,减反射膜的膜层均匀性较好、电性能较佳。
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公开(公告)号:CN118431307A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410515298.3
申请日:2024-04-26
申请人: 天合光能股份有限公司
IPC分类号: H01L31/0216 , H01L31/042 , H01L31/18
摘要: 本申请实施例提供一种光伏电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统,光伏电池包括基底、依次层叠在所述基底的一侧面的第一钝化层、强化钝化层、减反射层;其中,所述强化钝化层包括依次层叠在第一钝化层上的第一本征层和第二钝化层;所述第一钝化层和所述强化钝化层的折射率均在同一预设范围内。本申请实施例通过依次层叠的第一本征层和第二钝化层,可以减少光生电荷在表面复合的损失,使更多的电荷在电池中被保留下来,有助于提高光伏电池的开路电压,从而提高光伏电池的光转换效率。并且,二者还有助于提高表面的钝化效果,以减少电荷在表面处的非辐射复合。
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公开(公告)号:CN118073468A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202410179743.3
申请日:2024-02-18
申请人: 天合光能股份有限公司 , 盐城天合国能光伏科技有限公司 , 天合光能科技(盐城)有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/04
摘要: 本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法,制备方法包括:在硅基底的一侧形成氧化硅钝化层;采用氢等离子体对氧化硅钝化层依次进行表面处理和加氢钝化处理,表面处理用于去除氧化硅钝化层的表面悬挂键并对氧化硅钝化层及硅基底进行氢注入预钝化。本申请有效提高氧化硅钝化层的钝化效果。
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公开(公告)号:CN117117042A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202311327572.6
申请日:2023-10-13
申请人: 盐城天合国能光伏科技有限公司 , 天合光能股份有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/072 , H01L31/0224 , H01L31/0216
摘要: 本公开实施例中提供太阳能电池及其制造方法,太阳能电池的制造方法包括:使用第一网版,在光电转换部的正面形成第一电极和与第一电极连接的主栅;使用第二网版,在光电转换部的正面形成横跨主栅且与主栅连接的细栅。在该实施例中,正面的第一电极及主栅在同一网版印刷过程制作。本实施例相比于相关技术,将主栅印刷过程转移到第一电极印刷过程中,第一电极及主栅中的含银量低于细栅,第一电极及主栅制作过程中的印刷图形量提升,这可以降低银浆消耗量,降低太阳能电池的制作成本。
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公开(公告)号:CN116914025A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202310978927.1
申请日:2023-08-04
申请人: 盐城天合国能光伏科技有限公司 , 天合光能股份有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0216
摘要: 本申请涉及一种晶硅太阳电池片及其制作方法、晶硅太阳电池,晶硅太阳电池片的制作方法包括如下步骤:提供经预处理后的硅片,将经预处理后的硅片置于热氧化设备中进行热氧化处理,热氧化处理包括依次进行的第一恒温阶段、第二恒温阶段、升温阶段、第一氧化阶段、第二氧化阶段、第三氧化阶段以及第三恒温阶段;热氧化设备具有至少一个温区,在热氧化处理的过程中,同一温区在各阶段的温度满足以下关系:第一恒温阶段的温度≤第二恒温阶段的温度<升温阶段的温度;升温阶段的温度≥第一氧化阶段的温度;第一氧化阶段的温度≤第二氧化阶段的温度≤第三氧化阶段的温度;第三氧化阶段的温度≥第三恒温阶段的温度。
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公开(公告)号:CN118099234A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410073661.0
申请日:2024-01-18
申请人: 天合光能股份有限公司 , 盐城天合国能光伏科技有限公司 , 天合光能科技(盐城)有限公司
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要: 本申请提供了一种PERC太阳能电池及其制备方法,PERC太阳能电池包括硅基底,硅基底的背面依次层叠设置有背面钝化层和背面电极层,背面钝化层具有开槽,背面电极层包括:设置于开槽内并与硅基底形成欧姆接触的导电层和设置于导电层远离硅基底一侧的铝层,导电层的材料包括铜、金、钨、镍和铁中的至少一种。本申请的电极的接触电阻低。
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公开(公告)号:CN118031827A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202410274622.7
申请日:2024-03-11
申请人: 天合光能股份有限公司
IPC分类号: G01B11/06 , G01N21/41 , G01N21/01 , H01L31/0236 , H01L31/0216
摘要: 本申请提供了一种激光椭偏仪的矫正方法,在硅片的绒面镀及抛光面分别镀第一膜层及第二膜层,采用激光椭偏仪检测第一膜层的折射率及全光谱椭偏仪检测第二膜层的折射率,根据两组折射率制散点图,然后根据散点图生成拟合线,并得到第一修正数值、第二修正数值,将第一修正数值及第二修正数值输入激光椭偏仪,以修正激光椭偏仪与全光谱椭偏仪检测精度的偏差;上述矫正方法,一方面,提高了激光椭偏仪的检测范围,从而提高了激光椭偏仪的使用范围,增加了产品的市场竞争力;另一方面,使激光椭偏仪更精准地检测到硅片的绒面上镀膜的厚度和折射率,从而提高了激光椭偏仪的灵敏度,减少了测量结果的误差和不确定性,提高了检测的可靠性。
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公开(公告)号:CN116958281A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202310940285.6
申请日:2023-07-27
申请人: 盐城天合国能光伏科技有限公司 , 天合光能股份有限公司
摘要: 本申请提供了一种电池片的色差识别方法及装置。其中,方法包括:获取从第一组件的上方拍摄第一组件得到的第一图像和从第二组件的上方拍摄第二组件得到的第二图像;第一组件包括由上至下叠加在一起的美学玻璃、待检测电池片、背板;第二组件包括由上至下叠加在一起的美学玻璃、标准电池片、背板;基于第一图像和第二图像,对待检测电池片进行色差识别。该方法,对待检测电池片和标准电池片构建了与晶体硅太阳能电池一致的结构,相当于对电池片串进行了是否符合美学要求的色差识别,实际生产时,只要使用与标准电池片之间不存在色差的电池片组成晶体硅太阳能电池,电池就可以符合美学要求,从而可以极大地降低电池的抛砖比例,适用性更好。
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公开(公告)号:CN116741848A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310879360.2
申请日:2023-07-17
申请人: 盐城天合国能光伏科技有限公司 , 天合光能股份有限公司
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/18
摘要: 本公开实施例中提供太阳能电池及其制造方法,其中太阳能电池包括光电转换部及设置于所述光电转换部表面的多条栅线;所述光电转换部在如下至少一种栅线位置设置有激光掺杂区:主栅线的边缘位置;细栅线下方,其中设置于所述细栅线下方的多个所述激光掺杂区沿所述细栅线的延伸方向接触连接;所述主栅线首尾两端的鱼叉结构下方。主栅线位置的激光掺杂区选择性设置,进而降低主栅线与光电转换部之间的接触电阻,从而带来良好的载流收集,并能够提供更多的复合中心。设置于细栅线下方及鱼叉结构下方的激光掺杂区形成重掺杂区,那么其周围的光电转换部区域为轻掺杂区,这两个区域之间形成高低结,有利于光生载流子的收集。
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