Cs3Cu2I5及其制备方法和应用
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117342600A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311284670.6

    申请日:2023-10-07

    摘要: 本发明涉及一种Cs3Cu2I5及其制备方法和应用。制备方法包括以下步骤:将油酸铯和十八烯混合,制备油酸铯‑十八烯前驱体溶液;将碘化亚铜和十八烯混合,制备碘化亚铜‑十八烯前驱体溶液;在120℃~130℃条件下将所述碘化亚铜‑十八烯前驱体溶液与油酸和油胺混合,使所述碘化亚铜溶解,制备中间体混合液;在60℃~80℃条件下将所述中间体混合液与所述油酸铯‑十八烯前驱体溶液混合,反应。该方法工艺简单,成本低廉,产物收率高,适合放大化生产,能够制备高纯度的零维Cs3Cu2I5,且粒径分布窄,晶体缺陷少,具有较大的斯托克斯位移,重吸收几乎为零,暗示了STE发光机制和高的发光效率。

    晶体硅太阳能电池及其制备方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116914011A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310964618.9

    申请日:2023-08-01

    摘要: 本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法。可以在提高减反射效果的同时,促进硅电池片表面的电子迁移和传输,从而可以提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。一种晶体硅太阳能电池,包括:硅基底层,以及设置于所述硅基底层表面一侧的减反射层,所述减反射层包括多层材料层;沿逐渐远离所述硅基底层的方向,所述多层材料层包括依次层叠的第一材料层和第二材料层;其中,所述第二材料层的折射率小于所述第一材料层的折射率,且所述第一材料层的材料包括:TiO2和掺杂离子,所述第二材料层的材料包括:氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种,所述掺杂离子包括:碱金属和/或碱土金属离子。

    电池片的色差识别方法及装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116958281A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310940285.6

    申请日:2023-07-27

    IPC分类号: G06T7/90 G06T7/00 G01J3/46

    摘要: 本申请提供了一种电池片的色差识别方法及装置。其中,方法包括:获取从第一组件的上方拍摄第一组件得到的第一图像和从第二组件的上方拍摄第二组件得到的第二图像;第一组件包括由上至下叠加在一起的美学玻璃、待检测电池片、背板;第二组件包括由上至下叠加在一起的美学玻璃、标准电池片、背板;基于第一图像和第二图像,对待检测电池片进行色差识别。该方法,对待检测电池片和标准电池片构建了与晶体硅太阳能电池一致的结构,相当于对电池片串进行了是否符合美学要求的色差识别,实际生产时,只要使用与标准电池片之间不存在色差的电池片组成晶体硅太阳能电池,电池就可以符合美学要求,从而可以极大地降低电池的抛砖比例,适用性更好。

    太阳能电池及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116741848A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310879360.2

    申请日:2023-07-17

    摘要: 本公开实施例中提供太阳能电池及其制造方法,其中太阳能电池包括光电转换部及设置于所述光电转换部表面的多条栅线;所述光电转换部在如下至少一种栅线位置设置有激光掺杂区:主栅线的边缘位置;细栅线下方,其中设置于所述细栅线下方的多个所述激光掺杂区沿所述细栅线的延伸方向接触连接;所述主栅线首尾两端的鱼叉结构下方。主栅线位置的激光掺杂区选择性设置,进而降低主栅线与光电转换部之间的接触电阻,从而带来良好的载流收集,并能够提供更多的复合中心。设置于细栅线下方及鱼叉结构下方的激光掺杂区形成重掺杂区,那么其周围的光电转换部区域为轻掺杂区,这两个区域之间形成高低结,有利于光生载流子的收集。

    晶硅太阳电池片及其制作方法、晶硅太阳电池

    公开(公告)号:CN116914025A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310978927.1

    申请日:2023-08-04

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/0216

    摘要: 本申请涉及一种晶硅太阳电池片及其制作方法、晶硅太阳电池,晶硅太阳电池片的制作方法包括如下步骤:提供经预处理后的硅片,将经预处理后的硅片置于热氧化设备中进行热氧化处理,热氧化处理包括依次进行的第一恒温阶段、第二恒温阶段、升温阶段、第一氧化阶段、第二氧化阶段、第三氧化阶段以及第三恒温阶段;热氧化设备具有至少一个温区,在热氧化处理的过程中,同一温区在各阶段的温度满足以下关系:第一恒温阶段的温度≤第二恒温阶段的温度<升温阶段的温度;升温阶段的温度≥第一氧化阶段的温度;第一氧化阶段的温度≤第二氧化阶段的温度≤第三氧化阶段的温度;第三氧化阶段的温度≥第三恒温阶段的温度。