多段可拆卸喷头式硅烷环及硅烷环防塞多孔喷头

    公开(公告)号:CN104233232B

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201410540347.5

    申请日:2014-10-14

    IPC分类号: C23C16/455

    摘要: 本发明公开了一种硅烷环防塞多孔喷头,该硅烷环防塞的多孔喷头包括喷头盘本体,所述喷头盘本体与硅烷环的出气口密封配合,所述喷头盘本体上设置有至少一个小于硅烷环的出气口口径的气流出孔。该硅烷环防塞多孔喷头安装后能减少吸附在硅烷环内壁上氮化硅,这样就有效地延长了硅烷环内氮化硅沉积时间,减少了堵塞概率。本发明还公开了一种多段可拆卸喷头式硅烷环,在其第一出气支路管道的第一出气口、所述第二出气支路管道的第二出气口处均设置有本发明所述的硅烷环防塞的多孔喷头,以延长硅烷环的使用寿命,同时其上还设计有多段式结构,来解决硅烷环出口处面临着整体变形带来的不便于更换问题。

    一种尺寸偏小硅块的斜切方式

    公开(公告)号:CN104400919B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201410546073.0

    申请日:2014-10-16

    IPC分类号: B28D5/00

    摘要: 本发明记载了一种尺寸偏小硅块的斜切方式,包括以下步骤:步骤一:选取需斜切的硅块,测量并记录硅块偏小边的边长;步骤二:根据硅块偏小边的边长,计算出晶托与玻璃板粘接的相对位置;步骤三:根据计算所得的数据,在玻璃板上画出晶托边界线,并按照晶托边界线将晶托粘接在玻璃板上;步骤四:将硅块粘接在玻璃板上;步骤五:固定好硅块后即可对硅块进行切割,其中切割线与晶托的短边平行。在本发明中,通过斜切,有效地解决了偏小硅块的尺寸问题,最大程度地减小了尺寸偏小硅块的报废率,提高了硅块的循环利用率,降低了生产成本。

    焊接机的手持烙铁头加锡工具

    公开(公告)号:CN103394785B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201310322190.4

    申请日:2013-07-30

    IPC分类号: B23K3/06

    摘要: 本发明公开了焊接机的手持烙铁头加锡工具,包括与烙铁头数目一致的锡料勺,相邻锡料勺之间的间隙与相邻烙铁头之间的间隙相等,所有锡料勺安装在同一托送装置上。该装置可以远距离的一次性操作完成加锡过程,避免烙铁头升温完成后还未完成加锡过程,增加操作安全性,提高加锡生产效率。

    一种金属环绕背接触电池及其制备方法和封装方法

    公开(公告)号:CN104362192A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410570220.8

    申请日:2014-10-23

    IPC分类号: H01L31/0224 H01L31/18

    摘要: 本发明公开了一种金属环绕背接触电池及其制备方法和封装方法,所述金属环绕背接触电池包括硅片,硅片上设有若干孔洞,孔洞内填充有银浆,所述硅片的正面设有重掺杂层,硅片的背面设有银电极和铝背场,银电极与硅片的背面之间也设有重掺杂层,所述银电极包括正面电极和背面电极,所述正面电极与孔洞内的银浆连接,正面电极和背面电极均为条形电极且相互平行。本发明能够减小电池漏电,而且在电池后期封装时,还能避免焊接时发生短路,节约工序,同时也节约封装成本,利于产业化。

    一种铸锭用坩埚的底座
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102828229B

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201210312242.5

    申请日:2012-08-30

    IPC分类号: C30B11/00 C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 一种铸锭用坩埚的底座,包括上平面部分、下平面部分和连接部分,连接部分位于上平面部分和下平面部分之间,并连接上平面部分和下平面部分;其特征在于:所述连接部分横截面为矩形形状,连接部分的横截面的矩形长度与上平面部分长度相等,宽度不小于上平面部分宽度的四分之三。相对于传统的三根石墨支撑柱的底座,本发明将坩埚底座向铸锭炉内壁的传热方式由原来的以辐射方式变为以传导方式传递给铸锭炉内壁,使更多的热量从坩埚底部传输,有效地抑制了坩埚的径向热流,降低了多晶形成比例,提高了铸锭利用率。

    制备高利用率准单晶的组合式护板及其制备准单晶的方法

    公开(公告)号:CN102787348B

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN201210310772.6

    申请日:2012-08-29

    IPC分类号: C30B11/00 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了制备高利用率准单晶的组合式护板及其制备准单晶的方法,通过对护板进行改进,使得坩埚不同区域的散热强度不同,从而改善单晶的生长条件。制备高利用率准单晶的组合式护板,包括贴附在坩埚外壁上的坩埚石墨侧护板,所述坩埚石墨侧护板包括贴附在坩埚外壁上的内护板、以及贴附在内护板一侧的外护板,所述外护板位于内护板远离坩埚的一侧;所述内护板开有若干轴线互相平行的内护板条形孔,外护板开有若干轴线互相平行外护板条形孔,所述内护板条形孔的轴线与外护板条形孔的轴线互相平行。大大降低了热量从坩埚径向传输与垂直方向传输之比有效地抑制了坩埚的径向热流,降低了铸锭周围多晶的形成比例,因此提高了铸锭的利用率。

    孔标法电池片主栅线可焊性焊接面积尺寸标尺

    公开(公告)号:CN103363877A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201310315579.6

    申请日:2013-07-25

    IPC分类号: G01B5/26

    摘要: 本发明公开了孔标法电池片主栅线可焊性焊接面积尺寸标尺,包括带有刻度的测量标尺本体1,测量标尺本体开有若干镂空计量格5,所有镂空计量格5依次沿着与测量标尺本体轴线平行的直线呈直线形排列。本发明可量化电池片主栅线焊接面积,能直观的体现焊带、助焊剂和焊接效果之间的效果,有助于电池片焊接质量的提升。

    一种晶体硅太阳能电池制造工艺

    公开(公告)号:CN104362219B

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201410619075.8

    申请日:2014-11-06

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池制造工艺,所述工艺包括:半成品硅片制作;将制作好的所述半成品硅片进行去除损伤层;将去除损伤层后的电池片进行表面绒面化;将表面绒面化后的电池片进行发射区扩散处理;将发射区扩散处理后的电池片进行边缘结刻蚀处理;将边缘结刻蚀处理后的电池片进行PECDV沉积SIN处理;将PECDV沉积SIN处理后的电池片进行丝网印刷正背面电极浆料处理;将印刷正背面电极浆料后的电池片进行共烧形成金属接触;将形成金属接触后的电池片进行测试,实现了能够减少硅片表面掺杂浓度,降低扩散后死层厚度,提高少子寿命,同时可以减小PN结的结深,增强太阳能电池的短波响应,提高太阳能电池的转换效率的技术效果。

    一种用于铸锭坩埚的复合式护板

    公开(公告)号:CN102808214B

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201210312319.9

    申请日:2012-08-30

    IPC分类号: C30B11/00 C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 一种用于铸锭坩埚的复合式护板,包括侧板和底板,侧板分上下两部分,上半部分由石墨制成,下半部分由隔热材料制成;底板可以分为环状边缘部分和中间部分,环状边缘部分为石墨制作,中间部分为导热性能好的材料制作。采用本发明的用于铸锭坩埚的复合式护板,可以有效的降低坩埚的侧向热传导系数,提高坩埚垂直方向的热传导系数,抑制边角多晶的生成,提高铸锭的收益率。

    一种预防多晶硅太阳电池组件潜在电势诱导衰减的方法

    公开(公告)号:CN104319313A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410537594.X

    申请日:2014-10-13

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: H01L31/186

    摘要: 本发明公开了一种预防多晶硅太阳电池组件潜在电势诱导衰减的方法,将高分子绝缘材料加热为液体熔融状态,利用海绵吸附高分子绝缘流体材料;用吸附有高分子绝缘流体材料的海绵在分选后的电池边缘均匀涂抹一层的绝缘流体材料;将涂覆好的电池放置在载片盒里静置,利用紫外光照射,使电池表面的绝缘材料固化;待电池表面的绝缘材料固化后,将电池进行组件进行封装。通过在多晶硅电池片四周制备绝缘层的方式,有效降低电荷在电池片表面富集时正负电极导通的几率,减少组件的PID衰减现象,提高组件质量,延长组件使用寿命。