焊接机的手持烙铁头加锡工具

    公开(公告)号:CN103394785B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201310322190.4

    申请日:2013-07-30

    IPC分类号: B23K3/06

    摘要: 本发明公开了焊接机的手持烙铁头加锡工具,包括与烙铁头数目一致的锡料勺,相邻锡料勺之间的间隙与相邻烙铁头之间的间隙相等,所有锡料勺安装在同一托送装置上。该装置可以远距离的一次性操作完成加锡过程,避免烙铁头升温完成后还未完成加锡过程,增加操作安全性,提高加锡生产效率。

    孔标法电池片主栅线可焊性焊接面积尺寸标尺

    公开(公告)号:CN103363877A

    公开(公告)日:2013-10-23

    申请号:CN201310315579.6

    申请日:2013-07-25

    IPC分类号: G01B5/26

    摘要: 本发明公开了孔标法电池片主栅线可焊性焊接面积尺寸标尺,包括带有刻度的测量标尺本体1,测量标尺本体开有若干镂空计量格5,所有镂空计量格5依次沿着与测量标尺本体轴线平行的直线呈直线形排列。本发明可量化电池片主栅线焊接面积,能直观的体现焊带、助焊剂和焊接效果之间的效果,有助于电池片焊接质量的提升。

    手持气动打胶枪
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103418527A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310357931.2

    申请日:2013-08-16

    IPC分类号: B05C17/015

    摘要: 本发明公开了一种手持气动打胶枪,包括:一胶枪腔体,以及与一胶枪腔体后端连接的一枪体后盖;其中,所述一枪体后盖包括:一锥形硅胶推动滑块,用于推动从一胶枪腔体后端装入的只装硅胶;以及容纳该一锥形硅胶推动滑块运行滑动的一后盖腔体;一后盖端部,与所述一后盖腔体固定连接,该后盖端部上设置有一弹性装置,该一弹性装置上连接有一线缆,该一线缆并与所述一锥形硅胶推动滑块连接;通过所述一弹性装置和一线缆使所述一锥形硅胶推动滑块复位。可有效利用和节省只装硅胶,解决了只装残余硅胶和包装袋破裂硅胶浪费问题。

    一种铸锭炉长晶棒的测量装置

    公开(公告)号:CN103409797A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310379046.4

    申请日:2013-08-27

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公布了一种铸锭炉长晶棒的测量装置,包括安装在铸锭炉顶部的两个竖直安装的滑槽,滑槽的开口相对,在两个滑槽内安装有可以上下自由移动的滑动架,在滑动架的中部设置有用于夹持长晶棒的夹具,还包括长晶棒高度的测量系统。本发明通过设置长晶棒高度的测量系统,可以快速读取并记录长晶棒的高度,解决了现有技术中由于读取角度的存在引起的误差大的问题,同时及时地测量也缩短了测量的时间,减少了长晶棒停留在硅液中的时间,降低了长晶棒的使用风险;避免长晶棒粘在正在长晶的硅锭中,提高硅锭的成品率。

    一种高效多晶硅锭铸锭炉

    公开(公告)号:CN103397379A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310357941.6

    申请日:2013-08-16

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种高效多晶硅锭铸锭炉,包括炉体(1)、设置在炉体(1)内的隔热笼体(2)、设置在隔热笼体(2)内的石英坩埚(4),石英坩埚(4)底面贴附有底板(6),底板(6)主要由至少2种不同导热系数的板体构成,导热系数小的板体嵌套在导热系数大的板体内部。本发明技术方案带来的有益效果在于:通过改变侧部加热器上下各部位的热量供应能力和坩埚四周护板、底板与DS散热块各部位的热传导能力,可以有效控制铸锭炉内部的温场分布,改善熔化和长晶界面中心上凸现象,使固液界面趋于平坦,且有利于长晶过程中杂质的排出,从而产出杂质含量少、晶粒相对均匀的高效多晶硅锭。

    一种硅锭质量的检测方法

    公开(公告)号:CN104237244A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201310378602.6

    申请日:2013-08-27

    IPC分类号: G01N21/88

    摘要: 本发明公开了一种硅锭质量的检测方法,利用现有的测试技术中红外探伤测试系统对硅块内部的杂质阴影进行探测、定位、并形成灰度图,由于灰度图在RGB颜色显示器中三个值都相同,所以,通过设定标准值,然后以色区的RGB值A与标准值相比较来判断出产品质量,为后续的加工给出定量的值,当产品不合格时,需要全部返回重新熔炼,当局部不合格的时候,可以将不合格的区域进行切割,而将剩余的合格部分加以利用,当全部合格时,可以直接整体切除,如此一来,可以将产品划分成三类,从而采取最合适的对应策略来进行处理,不仅减少了人为主观判断带来的误判,而且提高了检测精度,而且直接降低了制造成本。

    晶体硅太阳电池背接触电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN103700715A

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201310745404.9

    申请日:2013-12-31

    摘要: 本发明公开了晶体硅太阳电池背接触电池及其制备方法,包括背电场(5)、基区(6)和发射结区(7)组成的基片(11),基片(11)中设置有若干主栅负极(9),主栅负极(9)与基片(11)之间设置有保护绝缘膜(10)。本发明的有益效果是:本发明中在主栅负极和基片之间设置保护绝缘膜,保证了基片上设置主栅负极的导电孔处不会漏电,提高了电池的输出功率和热稳定性;保护绝缘膜的覆盖还对底部基区及导电孔内壁具有一定的钝化作用,降低激光穿孔后孔壁及附近区域的表面复合速率,提高硅片基体质量;通过改变保护绝缘膜成分配比和厚度可以匹配穿孔金属浆料,达到沿用原有浆料而不再引入新的穿孔金属浆料目的。

    一种水致冷铸锭炉及其铸锭工艺

    公开(公告)号:CN103451726A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201310377948.4

    申请日:2013-08-27

    IPC分类号: C30B28/06 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种水致冷铸锭炉及其铸锭工艺,在热交换台(11)的下端设置水冷盘(13),且水冷盘(13)位于底部加热器(7)的下端,水冷盘(13)内设流腔,并设置进水口(9)和出水口(10),进水口(9)和出水口(10)通过流腔连通,进水口(9)和出水口(10)还分别连通炉体(1)外端。本发明的有益效果是:本装置采用水冷代替了原有提升隔热笼进行降温的方式,从而解决了因提升隔热笼,侧面散热,导致坩埚径向存在热量的传递,影响柱状晶的形成;也避免了隔热笼体在提升过程中与隔热笼顶部摩擦,产生碳粉尘,易进入坩埚,增加硅锭的碳杂质含量,引起晶格畸变。

    一种晶体硅太阳电池表面织构化工艺

    公开(公告)号:CN103647000B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201310707244.9

    申请日:2013-12-20

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种晶体硅太阳电池表面织构化工艺,包括以下步骤:(1)采用浓度为2%~10%的NaOH溶液去除硅片表面的机械损伤层;(2)将浓度为0.001%~0.005%AgNO3溶液和浓度为0.2~1%的HF溶液混合,混合之后的溶液沉积纳米银颗粒至硅片表面;(3)将浓度为10%~15% HF溶液与浓度为2%~5% H2O2溶液混合,混合之后的溶液与沉积有纳米银颗粒的硅片反应,在纳米银颗粒周围的硅片上形成孔洞;(4)用浓HNO3溶液去除硅片表面孔洞内残留的纳米银颗粒;(5)用浓度为5%~10%的HF溶液去除硅片表面的氧化层。本发明采用上述方法,能够减少反射损失,提高电池转化效率。