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公开(公告)号：CN104319313B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410537594.X
申请日：2014-10-13
申请人： 天威新能源控股有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种预防多晶硅太阳电池组件潜在电势诱导衰减的方法，将高分子绝缘材料加热为液体熔融状态，利用海绵吸附高分子绝缘流体材料；用吸附有高分子绝缘流体材料的海绵在分选后的电池边缘均匀涂抹一层的绝缘流体材料；将涂覆好的电池放置在载片盒里静置，利用紫外光照射，使电池表面的绝缘材料固化；待电池表面的绝缘材料固化后，将电池进行组件进行封装。通过在多晶硅电池片四周制备绝缘层的方式，有效降低电荷在电池片表面富集时正负电极导通的几率，减少组件的PID衰减现象，提高组件质量，延长组件使用寿命。
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公开(公告)号：CN102703989B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210168355.2
申请日：2012-05-28
申请人： 天威新能源控股有限公司 , 保定天威集团有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了类单晶太阳能电池制绒工艺，包括以下步骤：将硅片放入HNO3和HF的混酸溶液中进行腐蚀，且在硅片腐蚀深度达到2～2.5um时从混酸溶液中取出，再对酸腐蚀后的硅片进行水洗干燥处理；将干燥后的硅片放入具有单晶催化剂的KOH或NaOH碱溶液中进行腐蚀，且在硅片腐蚀深度达到2～2.5um时从碱溶液中取出，再对碱腐蚀后的硅片进行水洗干燥处理。本发明通过上述方式对硅片进行制绒处理，经过本发明处理的硅片生成的电池片不同尺寸晶粒间的反射率差异小，且具有较好的抗衰减性能。
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公开(公告)号：CN102881766B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210343324.6
申请日：2012-09-17
申请人： 天威新能源控股有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种用于太阳能电池的发射极制作工艺，包括如下步骤：步骤A：采用扩散工艺在基体硅片（1）表面制作PN结形成表层杂质分布层（2）；步骤B：对步骤A中的表层杂质分布层（2）进行氧化处理，在表层杂质分布层（2）表面快速生长一层均匀分布的氧化层（3）；步骤C：将步骤B中的氧化层（3）去除。解决常规扩散工艺无法避免产生“死层”的现象，进一步减少表面浓度，提高少子寿命，提高电池的转化效率，降低太阳能电池的生产成本。
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公开(公告)号：CN102703969B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210194736.8
申请日：2012-06-14
申请人： 天威新能源控股有限公司 , 保定天威集团有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种低碳准单晶铸锭炉及应用该铸锭炉进行铸锭的方法，低碳准单晶铸锭炉包括炉体（1）、隔热笼（2）和热交换台（9），热交换台（9）上放置有坩埚（7），坩埚（7）的顶部设置有加热器A（3），其四周分布加热器B（8），加热器B（8）通过加热器升降杆（11）连接牵引装置（12），其铸锭方法分为五个步骤，包括装料、加热熔化、晶体生长、退火和冷却。本发明可以有效地抑制溶质边界层中由于碳含量富集而引起的成分过冷现象，从而降低了杂质富集对准单晶的生长速度的影响，同时可以有效地降低准单晶铸锭中碳的含量；可以有效地抑制坩埚壁附近的细晶区的产生与生长，因此可以明显地改善准单晶的铸锭质量，提高铸锭的利用率。
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公开(公告)号：CN104393067A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410570508.5
申请日：2014-10-23
申请人： 天威新能源控股有限公司
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02363 , H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1804
摘要： 本发明公开了一种纳米结构太阳电池及其制备方法，所述纳米结构太阳电池包括硅片，硅片的正面的纵截面形状为三角波，三角波的周期为100nm~300nm，硅片的正面从下往上依次层叠反型层、正面钝化层，所述反型层和正面钝化层的纵截面形状也为三角波，正面钝化层上设有正面电极，所述硅片的背面设有背面钝化层，所述背面钝化层的下方设有背面电极。本发明采用上述结构，能够减小入射光的反射损失，增加光生载流子的浓度和收集率，提高电池转化效率。
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公开(公告)号：CN104362219A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410619075.8
申请日：2014-11-06
申请人： 天威新能源控股有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池制造工艺，所述工艺包括：半成品硅片制作；将制作好的所述半成品硅片进行去除损伤层；将去除损伤层后的电池片进行表面绒面化；将表面绒面化后的电池片进行发射区扩散处理；将发射区扩散处理后的电池片进行边缘结刻蚀处理；将边缘结刻蚀处理后的电池片进行PECDV沉积SIN处理；将PECDV沉积SIN处理后的电池片进行丝网印刷正背面电极浆料处理；将印刷正背面电极浆料后的电池片进行共烧形成金属接触；将形成金属接触后的电池片进行测试，实现了能够减少硅片表面掺杂浓度，降低扩散后死层厚度，提高少子寿命，同时可以减小PN结的结深，增强太阳能电池的短波响应，提高太阳能电池的转换效率的技术效果。
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公开(公告)号：CN104253166A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410552722.8
申请日：2014-10-17
申请人： 天威新能源控股有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/022441 , H01L31/022425
摘要： 本发明公开了一种背接触太阳电池及其制备方法，所述背接触太阳电池包括晶体硅片、设置在晶体硅片正面的栅线结构以及设置在晶体硅片背面的穿孔电极，所述穿孔电极贯穿晶体硅片，并与栅线结构连接，所述栅线结构包括多组十字主栅线和若干条细栅线，每条细栅线围成一个“口”字形，每条细栅线至少与一组十字主栅线相交，所述穿孔电极连接在每组十字主栅线的中心处，所述十字主栅线的宽度为60~150μm，细栅线的宽度为30~90μm。本发明采用上述结构，能够提高太阳电池的性能，降低生产成本，适应规模化生产的要求。
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公开(公告)号：CN104237244A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310378602.6
申请日：2013-08-27
申请人： 天威新能源控股有限公司
IPC分类号： G01N21/88
摘要： 本发明公开了一种硅锭质量的检测方法，利用现有的测试技术中红外探伤测试系统对硅块内部的杂质阴影进行探测、定位、并形成灰度图，由于灰度图在RGB颜色显示器中三个值都相同，所以，通过设定标准值，然后以色区的RGB值A与标准值相比较来判断出产品质量，为后续的加工给出定量的值，当产品不合格时，需要全部返回重新熔炼，当局部不合格的时候，可以将不合格的区域进行切割，而将剩余的合格部分加以利用，当全部合格时，可以直接整体切除，如此一来，可以将产品划分成三类，从而采取最合适的对应策略来进行处理，不仅减少了人为主观判断带来的误判，而且提高了检测精度，而且直接降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN104233473A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410517436.8
申请日：2014-09-30
申请人： 天威新能源控股有限公司
摘要： 本发明涉及用于通用铸锭炉籽晶熔化高度的测量装置及测量方法，具体的是在铸锭炉顶上的冷却氩气扣处设置一个密封性好的测量装置，将定制长度的石英长晶棒固定在该测量装置，在测量籽晶高度的过程中，手动调节石英长晶棒的高度，通过石英长晶棒下降的高度来计算籽晶的熔化高度。本发明克服了现有技术无法在没有配置探测孔的铸锭炉上推广应用高效铸锭技术测量籽晶熔化高度的技术问题；通过定制石英长晶棒的长度避免了石英长晶棒过高导致的安全隐患、石英原材料的浪费。
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