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公开(公告)号：CN117810333A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311317728.2
申请日：2023-10-11
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本申请提供一种发光二极管及发光装置，本申请的发光二极管包括在第一半导体层中掺杂第一N型杂质，该第一N型杂质在距离有源层底面200nm～400nm的范围内具有一浓度为2E17/cm3的A点。上述第一N型杂质为Te，由于Te自身具有良好的高温特性，在高温下其浓度更加稳定，同时由于Te的类金属特性，其原子个数比较大，迁移率低。基于上述原因，第一半导体层中掺杂Te能够有效抑制第一半导体层中的掺杂物向有源层的迁移，提升有源层的晶体质量，同时还可保证第一半导体层向有源层提供充足的电子，从而保证了发光二极管的发光亮度。
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公开(公告)号：CN113875032B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202180003015.1
申请日：2021-06-24
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开一种发光二极管及制作方法，所述发光二极管包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；半导体外延叠层，包含层叠于所述衬底的第一表面之上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；侧壁，形成于所述半导体外延叠层的边缘，所述侧壁具有粗化结构，所述粗化结构包括凸起；其特征在于：还包含蚀刻阻挡层，位于所述半导体外延叠层远离衬底的上表面。所述蚀刻阻挡层，可防止侧壁粗化过程中蚀刻液对半导体外延叠层上表面的蚀刻，提升半导体发光二极管的外观良率，提升发光二极管的光电性能。
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公开(公告)号：CN107492586A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710647048.5
申请日：2017-08-01
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，其可增加正向有效的光输出和/或通过组合式DBR结构将斜入射光最大效果反射。根据本发明的一个实施例，发光二极管，包括发光外延叠层，其具有相对的第一表面和第二表面，包含N型限制层、有源层和P型限制层，其中第一表面为出光面，所述外延叠层的下表面设为组合式DBR结构，其由N组DBR子层组合成，所述N组DBR子层从邻近有源层的第一对DBR子层起算，每组DBR子层的中心反射波长为分别为λ，λ+λ0，λ+2λ0……λ+(N-1)*λ0，其中λ为所述有源层的发光波长，(N-1)*λ0为有源层斜入射产生的最大蓝移量，λ0＞0。
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公开(公告)号：CN117525231A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311437001.8
申请日：2023-10-31
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本申请提供了一种发光二极管及发光装置，包括：半导体外延叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；其中，第二半导体层包括电流扩展层，所述电流扩展层自第一半导体层至第二半导体层方向包括包含第一p型杂质的第一掺杂层、包含所述第一p型杂质和第二p型杂质的第二掺杂层、包含所述第二p型杂质的第三掺杂层；第一掺杂层中第一p型杂质的浓度小于等于第二掺杂层中第一p型杂质的浓度；第三掺杂层中第二p型杂质的浓度大于第二掺杂层中第二p型杂质的浓度。本申请通过在电流扩展层中掺杂两种不同p型杂质以及设置两种不同p型杂质的掺杂浓度，以提升发光二极管的电流扩展能力，降低发光二极管的内阻，提升发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN116154077A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310121738.2
申请日：2021-06-24
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开一种发光二极管及制作方法，所述发光二极管包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；半导体外延叠层，包含层叠于所述衬底的第一表面之上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；侧壁，形成于所述半导体外延叠层的边缘，所述侧壁具有粗化结构，所述粗化结构包括凸起；其特征在于：还包含蚀刻阻挡层，位于所述半导体外延叠层远离衬底的上表面。所述蚀刻阻挡层，可防止侧壁粗化过程中蚀刻液对半导体外延叠层上表面的蚀刻，提升半导体发光二极管的外观良率，提升发光二极管的光电性能。
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公开(公告)号：CN107492586B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710647048.5
申请日：2017-08-01
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，其可增加正向有效的光输出和/或通过组合式DBR结构将斜入射光最大效果反射。根据本发明的一个实施例，发光二极管，包括发光外延叠层，其具有相对的第一表面和第二表面，包含N型限制层、有源层和P型限制层，其中第一表面为出光面，所述外延叠层的下表面设为组合式DBR结构，其由N组DBR子层组合成，所述N组DBR子层从邻近有源层的第一对DBR子层起算，每组DBR子层的中心反射波长为分别为λ，λ+λ0，λ+2λ0……λ+(N‑1)*λ0，其中λ为所述有源层的发光波长，(N‑1)*λ0为有源层斜入射产生的最大蓝移量，λ0＞0。
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公开(公告)号：CN113875032A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202180003015.1
申请日：2021-06-24
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开一种发光二极管及制作方法，所述发光二极管包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；半导体外延叠层，包含层叠于所述衬底的第一表面之上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；侧壁，形成于所述半导体外延叠层的边缘，所述侧壁具有粗化结构，所述粗化结构包括凸起；其特征在于：还包含蚀刻阻挡层，位于所述半导体外延叠层远离衬底的上表面。所述蚀刻阻挡层，可防止侧壁粗化过程中蚀刻液对半导体外延叠层上表面的蚀刻，提升半导体发光二极管的外观良率，提升发光二极管的光电性能。
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公开(公告)号：CN108110101B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201711247866.2
申请日：2017-12-01
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种黄绿光发光二极管，包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体导，其特征在于：所述有源层依次包含第一量子阱、第二量子阱、应变补偿层和第三量子阱，其中所述第一量子阱结构为无应变量子阱，所述第二、第三量子阱为应变量子阱。本发明采用无应变量子阱和大应变的量子阱组合，采取了应变补偿措施防止出现晶格弛豫，减少了Al的组分使得器件可靠性更强，同时提高量子阱对载流子的限制作用提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN108110101A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711247866.2
申请日：2017-12-01
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种黄绿光发光二极管，包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体导，其特征在于：所述有源层依次包含第一量子阱、第二量子阱、应变补偿层和第三量子阱，其中所述第一量子阱结构为无应变量子阱，所述第二、第三量子阱为应变量子阱。本发明采用无应变量子阱和大应变的量子阱组合，采取了应变补偿措施防止出现晶格弛豫，减少了Al的组分使得器件可靠性更强，同时提高量子阱对载流子的限制作用提高内量子效率。
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