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公开(公告)号：CN106206886A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610650535.2
申请日：2016-08-10
申请人： 天津三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L2933/00
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，所述发光二极管，包括N型覆盖层、AlaIn1-aGaP多量子阱有源层和P型AlbIn1-bP覆盖层(0＜b≤0.5)，所述有源层与P型AlbIn1-bP覆盖层之间插入一周期结构，所述周期结构由AlxIn1-xP层和AlyIn1-yP层交替堆叠（其中0.5＜x＜1，0＜y≤0.5），所述AlxIn1-xP层的带隙大于所述P型AlbIn1-bP覆盖层的带隙，其晶格常数与所述P型AlbIn1-bP覆盖层失配，所述AlyIn1-yP层的晶格常数与所述P型AlbIn1-bP覆盖层匹配。所述周期结构之AlxIn1-xP层的单层厚度满足在弹性范围内无应变释放，但其总厚度确保能够电子阻挡，并减少直接隧穿效应。
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公开(公告)号：CN107492586B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710647048.5
申请日：2017-08-01
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管，其可增加正向有效的光输出和/或通过组合式DBR结构将斜入射光最大效果反射。根据本发明的一个实施例，发光二极管，包括发光外延叠层，其具有相对的第一表面和第二表面，包含N型限制层、有源层和P型限制层，其中第一表面为出光面，所述外延叠层的下表面设为组合式DBR结构，其由N组DBR子层组合成，所述N组DBR子层从邻近有源层的第一对DBR子层起算，每组DBR子层的中心反射波长为分别为λ，λ+λ0，λ+2λ0……λ+(N‑1)*λ0，其中λ为所述有源层的发光波长，(N‑1)*λ0为有源层斜入射产生的最大蓝移量，λ0＞0。
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公开(公告)号：CN105826440A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610350604.8
申请日：2016-05-25
申请人： 天津三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/00 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/145 , H01L33/007
摘要： 本发明提供一种高光效氮化镓基发光二极管及其制备方法，属于光电器件制备领域，该LED在大电流注入下能维持较高的光电转换效率，降低Droop效应。其具体结构包含MOCVD技术生长的底层、发光层及分子束外延技术生长的p型层两部分，即：MOCVD技术生长镓极性缓冲层、非掺氮化物层、N型氮化物层、多量子阱发光层；然后将样品转移至分子束外延设备反应室，生长氮极性电子阻挡层、P型氮化物层及P型氮化物接触层。该方法能够降低电子阻挡层与多量子阱发光层之间由于极化造成的能带弯曲，不仅能增加电子过冲到P型层的势垒高度，而且能降低空穴注入到多量子阱区的势垒。
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公开(公告)号：CN105742427A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610219566.2
申请日：2016-04-11
申请人： 天津三安光电有限公司
CPC分类号： H01L33/04 , H01L33/0062 , H01L33/32
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管包括N型层、发光层、P型层和接触层，在P型层和接触层之间设计插入层，该插入层由掺杂区域间断分布的N+氮化物层、P+氮化物层构成，且N+氮化物层、P+氮化物层中掺杂区域在垂直方向上不完全重合；该插入层中掺杂区域间断分布的N+氮化物层与P+氮化物层形成斜向遂穿结，增强电流扩展，提高LED亮度及可靠性。
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公开(公告)号：CN105390578A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510878249.7
申请日：2015-12-04
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/32 , H01L21/203
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/02414 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/32
摘要： 本发明提供一种氮化物底层及其制备方法，属于光电器件制备领域，该氮化物底层具有很低的位错密度，可用于发光二极管等光电器件。其具体结构包含：衬底，低温氮化物层、三维氮化物层、二维氮化物层。其中，低温氮化物层采用分子束外延技术在富Ga的条件下生长，退火后低温缓冲层的厚度小于15nm，具有较高的厚度均匀性。采用该方法制备的氮化物底层位错密度在5E6/cm2以下，并且能够提升晶圆的表面良率。
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公开(公告)号：CN108110101B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201711247866.2
申请日：2017-12-01
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种黄绿光发光二极管，包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体导，其特征在于：所述有源层依次包含第一量子阱、第二量子阱、应变补偿层和第三量子阱，其中所述第一量子阱结构为无应变量子阱，所述第二、第三量子阱为应变量子阱。本发明采用无应变量子阱和大应变的量子阱组合，采取了应变补偿措施防止出现晶格弛豫，减少了Al的组分使得器件可靠性更强，同时提高量子阱对载流子的限制作用提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN105826440B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610350604.8
申请日：2016-05-25
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种高光效氮化镓基发光二极管及其制备方法，属于光电器件制备领域，该LED在大电流注入下能维持较高的光电转换效率，降低Droop效应。其具体结构包含MOCVD技术生长的底层、发光层及分子束外延技术生长的p型层两部分，即：MOCVD技术生长镓极性缓冲层、非掺氮化物层、N型氮化物层、多量子阱发光层；然后将样品转移至分子束外延设备反应室，生长氮极性电子阻挡层、P型氮化物层及P型氮化物接触层。该方法能够降低电子阻挡层与多量子阱发光层之间由于极化造成的能带弯曲，不仅能增加电子过冲到P型层的势垒高度，而且能降低空穴注入到多量子阱区的势垒。
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公开(公告)号：CN105870275B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610350859.4
申请日：2016-05-25
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管由下至上依次包括N型层、发光层、电子阻挡层、P型层；其中电子阻挡层由下至上依次为AlGaN层、三维P型氮化镓插入层、二维AlGaN合并层。所述发光二极管的电子阻挡层在实现了电子有效阻挡的同时避免了P型AlGaN层中Mg掺活化效率低问题，三维P型氮化镓设计形成的锥状结构形成了非规则的势垒低谷，同时P型锥状结构对空穴注入效率具有一定的放大、加速功效，提升了空穴注入效率。
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公开(公告)号：CN108110101A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711247866.2
申请日：2017-12-01
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种黄绿光发光二极管，包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体导，其特征在于：所述有源层依次包含第一量子阱、第二量子阱、应变补偿层和第三量子阱，其中所述第一量子阱结构为无应变量子阱，所述第二、第三量子阱为应变量子阱。本发明采用无应变量子阱和大应变的量子阱组合，采取了应变补偿措施防止出现晶格弛豫，减少了Al的组分使得器件可靠性更强，同时提高量子阱对载流子的限制作用提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN106206886B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201610650535.2
申请日：2016-08-10
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，所述发光二极管，包括N型覆盖层、AlaIn1‑aGaP多量子阱有源层和P型AlbIn1‑bP覆盖层(0＜b≤0.5)，所述有源层与P型AlbIn1‑bP覆盖层之间插入一周期结构，所述周期结构由AlxIn1‑xP层和AlyIn1‑yP层交替堆叠（其中0.5＜x＜1，0＜y≤0.5），所述AlxIn1‑xP层的带隙大于所述P型AlbIn1‑bP覆盖层的带隙，其晶格常数与所述P型AlbIn1‑bP覆盖层失配，所述AlyIn1‑yP层的晶格常数与所述P型AlbIn1‑bP覆盖层匹配。所述周期结构之AlxIn1‑xP层的单层厚度满足在弹性范围内无应变释放，但其总厚度确保能够电子阻挡，并减少直接隧穿效应。
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